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公开(公告)号：CN100559605C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200610172083.8
申请日：2006-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144
Abstract: 一种相变随机存取存储器(PRAM)器件，包括：硫族材料的化合物元件，该硫族材料的化合物元件包括能够基于加热电流的应用而呈现晶体状态或非晶状态的材料。第一接触，连接到硫族材料的化合物元件的第一区域，并具有第一横截面。第二接触，连接到硫族材料的化合物元件的第二区域，并具有第二横截面。硫族材料的化合物材料的第一可编程体积限定在硫族材料的化合物元件的第一区域中，第一可编程体积的状态可以根据与第一接触相关联的阻抗来编程。硫族材料的化合物材料的第二可编程体积限定在硫族材料的化合物元件的第二区域中，第二可编程体积的状态可以根据与第二接触相关联的第二阻抗来编程。
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公开(公告)号：CN100470870C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200410032188.4
申请日：2004-04-05
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李世昊
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2013/0078 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148
Abstract: 本发明提供了相变存储器，其中，通过使电阻发生微量改变来改变相态。在相变存储器中，置位状态被定义为在存储单元的相变层中形成非晶体核且相变层具有高于晶体矩阵中的电阻的初始电阻的状态，且复位状态被定义为非晶体核的数量和/或密度大于置位状态且电阻高于置位状态中的电阻的状态。用于写入复位和置位状态的电流被降低至几百微安培并且写入复位和置位状态所需的周期被降低至几十毫微秒～几百毫微秒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1996609A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610172083.8
申请日：2006-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144
Abstract: 一种相变随机存取存储器(PRAM)器件，包括：硫化物元件，该硫化物元件包括能够基于加热电流的应用而呈现晶体状态或非晶状态的材料。第一接触，连接到硫化物元件的第一区域，并具有第一横截面。第二接触，连接到硫化物元件的第二区域，并具有第二横截面。硫化物材料的第一可编程体积限定在硫化物元件的第一区域中，第一可编程体积的状态可以根据与第一接触相关联的阻抗来编程。硫化物材料的第二可编程体积限定在硫化物元件的第二区域中，第二可编程体积的状态可以根据与第二接触相关联的第二阻抗来编程。
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公开(公告)号：CN1885542A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610089834.X
申请日：2006-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 提供在其中具有垂直二极管的集成电路器件。该器件包括集成电路衬底和集成电路衬底上的绝缘层。接触孔贯穿绝缘层。垂直二极管在接触孔的下部区域中以及接触孔中的底电极具有在垂直二极管的顶表面上的底表面。底电极与垂直二极管自对准。底电极的顶表面面积小于接触孔的水平截面面积。还提供形成该集成电路器件和相变存储单元的方法。
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公开(公告)号：CN100479219C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200510074362.6
申请日：2005-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 宋胤宗 , 黄荣南 , 南相敦 , 赵性来 , 高宽协 , 李忠满 , 具奉珍 , 河龙湖 , 李秀渊 , 郑椙旭 , 李智惠 , 柳庚昶 , 李世昊 , 安洙珍 , 朴淳五 , 李将银
CPC classification number: H01L29/7843 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1666
Abstract: 在一个实施例中，相变存储器件具有防止存储单元污染或氧化的氧化阻挡层及其制造方法。在一个实施例中，半导体存储器件包括覆盖在半导体衬底上的压模层。该压模层具有从其顶表面垂直扩展的突起部分。该器件进一步包括邻近突起部分的相变图案和电气连接至相变图案的下电极。
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公开(公告)号：CN1702883A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510074362.6
申请日：2005-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 宋胤宗 , 黄荣南 , 南相敦 , 赵性来 , 高宽协 , 李忠满 , 具奉珍 , 河龙湖 , 李秀渊 , 郑椙旭 , 李智惠 , 柳庚昶 , 李世昊 , 安洙珍 , 朴淳五 , 李将银
CPC classification number: H01L29/7843 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1666
Abstract: 在一个实施例中，相变存储器件具有防止存储单元污染或氧化的氧化阻挡层及其制造方法。在一个实施例中，半导体存储器件包括覆盖在半导体衬底上的压模层。该压模层具有从其顶表面垂直扩展的突起部分。该器件进一步包括邻近突起部分的相变图案和电气连接至相变图案的下电极。
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公开(公告)号：CN1536688A
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN200410032188.4
申请日：2004-04-05
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李世昊
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2013/0078 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148
Abstract: 本发明提供了相变存储器，其中，通过使电阻发生微量改变来改变相态。在相变存储器中，置位状态被定义为在存储单元的相变层中形成非晶体核且相变层具有高于晶体矩阵中的电阻的初始电阻的状态，且复位状态被定义为非晶体核的数量和/或密度大于置位状态且电阻高于置位状态中的电阻的状态。用于写入复位和置位状态的电流被降低至几百微安培并且写入复位和置位状态所需的周期被降低至几十毫微秒～几百毫微秒。
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