公开(公告)号：CN102129980A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201010614988.2

申请日：2010-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金奉秀 ,  李哲 ,  黄德性 ,  安相彬

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供具有掩埋栅极电极的半导体器件及其形成方法。多晶半导体层形成在衬底的单元有源区和周边有源区上。在形成多晶半导体层之后，掩埋栅极电极形成在单元有源区中的衬底中且在多晶半导体层之下的层面。在形成掩埋栅极电极之后，栅极电极由多晶半导体层形成在周边有源区中的衬底上。

公开(公告)号：CN118317598A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410011413.3

申请日：2024-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金康仁 ,  金炅桓 ,  孙朠佑 ,  安相彬 ,  李相旼 ,  曹永丞

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供一种具有改进的性能和可靠性的半导体存储器装置。该半导体存储器装置包括：衬底，其具有单元区域和外围区域；单元区域隔离层，其将单元区域与外围区域分离；以及多个单元栅极结构，其各自包括在第一方向上延伸的单元栅电极。单元区域包括多个有源区域，其在不同于第一方向的第二方向上延伸，并且在相应单元元件隔离层和单元区域隔离层之间。每个有源区域包括通过单元栅极结构分离的第一部分和第二部分，有源区域的第二部分在有源区域的第一部分中的相应一个的两侧。有源区域包括正常有源区域和虚设有源区域。

公开(公告)号：CN117769248A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311244101.9

申请日：2023-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林东源 ,  白寅硕 ,  安相彬 ,  崔舒景 ,  洪昇勇

IPC: H10B12/00

Abstract: 可以提供一种集成电路器件，该集成电路器件包括在基板上的第一单元块，该第一单元块包括：第一单元区；第一虚设单元区，在平面图中围绕第一单元区，第一虚设单元区包括在第一虚设单元区的外周边中的第一有源区和第二有源区，每个第一有源区具有第一尺寸，每个第二有源区具有大于第一尺寸的第二尺寸；第一字线和第二字线，在第一方向上延伸并在第二方向上彼此交替，每条第一字线包括在第二有源区和第一有源区之间延伸的第一着陆区，第一有源区在第二方向上靠近第二有源区并与其间隔开；以及第一字线接触，在第一着陆区上。