公开(公告)号：CN118843311A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410163557.0

申请日：2024-02-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李忠炫 ,  金俊澈 ,  金冈昱 ,  金真雅 ,  张炳旭 ,  曹永丞

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种能够改善元件的性能和可靠性的半导体存储器件。该半导体存储器件包括：衬底，包括单元区域和外围区域；在衬底中的单元区域隔离层，将单元区域与外围区域隔离；隔离有源区域，被单元区域隔离层围绕；位线结构，在单元区域上，包括单元导线；以及单元栅电极，在单元区域的衬底中，与单元导线交叉。

公开(公告)号：CN118280822A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202311765917.6

申请日：2023-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金康仁 ,  金时年 ,  朴志皓 ,  孙朠佑 ,  李知恩 ,  曹永丞

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/308

Abstract: 一种制造半导体器件的方法可以包括：在基板上形成有源图案；在基板上顺序形成基底掩模、第一掩模层、第一盖层、第二掩模层、第二盖层、第三掩模层、第三盖层、第四掩模层和第四盖层；形成第一间隔物；形成第二间隔物；形成第三间隔物；以及使用第三间隔物作为掩模来图案化第一掩模层和第一盖层。形成第三间隔物可以包括形成间隔物层以完全填充图案化的第二掩模层的图案的侧壁之间的空间。

公开(公告)号：CN116367532A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211173475.1

申请日：2022-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁贤玉 ,  朴孝珍 ,  成豪镇 ,  李知恩 ,  曹永丞

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括其中具有外围区域和单元区域的基底。提供了在外围区域中从基底突出的第一半导体有源图案。提供了在单元区域中从基底突出的第二半导体有源图案。第一半导体有源图案的上部分的第一边缘具有圆形形状，并且第二半导体有源图案的上部分的第二边缘具有圆形形状。第一边缘的曲率大于第二边缘的曲率。

公开(公告)号：CN118317598A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410011413.3

申请日：2024-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金康仁 ,  金炅桓 ,  孙朠佑 ,  安相彬 ,  李相旼 ,  曹永丞

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供一种具有改进的性能和可靠性的半导体存储器装置。该半导体存储器装置包括：衬底，其具有单元区域和外围区域；单元区域隔离层，其将单元区域与外围区域分离；以及多个单元栅极结构，其各自包括在第一方向上延伸的单元栅电极。单元区域包括多个有源区域，其在不同于第一方向的第二方向上延伸，并且在相应单元元件隔离层和单元区域隔离层之间。每个有源区域包括通过单元栅极结构分离的第一部分和第二部分，有源区域的第二部分在有源区域的第一部分中的相应一个的两侧。有源区域包括正常有源区域和虚设有源区域。

公开(公告)号：CN116528582A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202211709125.2

申请日：2022-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁贤玉 ,  申东花 ,  柳镐仁 ,  曹永丞

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置可以包括：基底，在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上延伸，基底包括存储器单元区域、外围电路区域以及在存储单元区域与外围电路区域之间的边界区域；第一有源图案，在存储器单元区域中，第一有源图案中的每个在倾斜于第一方向的第三方向上延伸；以及硅坝结构，在边界区域中。硅坝结构可以包括包含在倾斜方向上延伸的沟槽线的硅坝图案和在沟槽线中的坝隔离图案。

公开(公告)号：CN102446920B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201110295534.8

申请日：2011-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大益 ,  吴容哲 ,  黄有商 ,  曹永丞 ,  郑铉雨

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/108 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明提供了具有垂直沟道晶体管的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管，其中第一场效应晶体管的沟道区域用作第二场效应晶体管的源极/漏极电极，第二场效应晶体管的沟道区域用作第一场效应晶体管的源极/漏极电极。

公开(公告)号：CN102446920A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110295534.8

申请日：2011-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大益 ,  吴容哲 ,  黄有商 ,  曹永丞 ,  郑铉雨

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/108 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明提供了具有垂直沟道晶体管的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管，其中第一场效应晶体管的沟道区域用作第二场效应晶体管的源极/漏极电极，第二场效应晶体管的沟道区域用作第一场效应晶体管的源极/漏极电极。