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公开(公告)号：CN101221725A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710305786.8
申请日：2007-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G09G3/30 , G09G3/32 , H03K17/687
CPC classification number: G09G3/3291 , G09G3/3225 , G09G2300/0809 , G09G2310/0216 , G09G2310/0262 , G09G2320/043
Abstract: 显示装置包括发光元件、电容器、驱动晶体管、以及第一至第三开关单元。电容器连接在第一节点和第二节点之间。驱动晶体管具有与第一电压相连接的输入端、输出端、以及与第二节点相连接的控制端，并且其输出驱动电流到发光元件。第一开关单元选择并将数据电压和第二电压中的一个连接到第一节点。第二开关单元切换在第二电压和第二节点之间的连接。第三开关单元选择并将第二节点和发光元件中的一个连接到驱动晶体管的输出端。
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公开(公告)号：CN1200135C
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN98122757.0
申请日：1998-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H05B33/04 , C23C16/44 , C23C16/45527 , C23C16/45561 , H01L21/02381 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/31604 , H01L21/31691
Abstract: 本发明提供了一种薄膜制备方法。该方法通过在基片上致密化学吸附第一种反应剂和第二种反应剂，从而利用化学交换形成固态薄膜。根据本发明，由于该第一种反应剂和该第二种反应剂是致密化学吸附的并且通过清洗或抽气完全去除了杂质，故有可能制备膜密度高的精确化学计量薄膜。
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公开(公告)号：CN1170317C
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN98115946.X
申请日：1998-07-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L28/40 , H01L21/02178 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/02337 , H01L21/3162
Abstract: 本发明提供一种使用含硅导电层作为存储节点的高电容的电容器及其形成方法。电容器包括存储节点、非晶Al2O3介质层和平板节点。此时，通过将反应汽相材料提供到存储节点上的方法，例如原子层淀积法形成非晶Al2O3层。此外，在形成非晶Al2O3层之前，对存储节点进行快速热氮化处理。形成平板节点后在约850℃下通过退火致密非晶Al2O3层，由此实现接近理论值30埃的氧化层的等效厚度。
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公开(公告)号：CN108632448A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810220743.8
申请日：2018-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04M1/725
CPC classification number: G06F3/165 , G06F3/0482 , G06F3/0484 , G06F2203/04803
Abstract: 本发明提供了一种用于控制音频输出的电子设备及其操作方法。所述电子设备包括显示器、通信接口、至少一个处理器和电连接至所述处理器的存储器，其中，所述存储器被配置为存储指令，所述指令当被执行时使得所述至少一个处理器能够执行以下操作：基于用户输入，将所述电子设备和至少一个其它电子设备设置为不同应用的音频输出设备；检测经由所述通信接口与所述至少一个其它电子设备的连接；以及控制所述显示器显示指示所述电子设备和所述至少一个其它电子设备被设置为所述不同应用的音频输出设备的信息。
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公开(公告)号：CN115053198B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202180013195.1
申请日：2021-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F1/20 , G06F1/3215 , G06F1/3228 , G06F1/3287 , G06F1/329
Abstract: 在某些实施例中，一种电子装置包括温度传感器；以及，处理器，其中所述处理器被配置为：检测所述电子装置的温度超过预定温度；当所述温度超过所述预定温度时，驱动满足预定条件的至少一个进程达时间段的一部分，并且在剩余的时间段内不驱动所述至少一个进程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118317598A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410011413.3
申请日：2024-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供一种具有改进的性能和可靠性的半导体存储器装置。该半导体存储器装置包括：衬底，其具有单元区域和外围区域；单元区域隔离层，其将单元区域与外围区域分离；以及多个单元栅极结构，其各自包括在第一方向上延伸的单元栅电极。单元区域包括多个有源区域，其在不同于第一方向的第二方向上延伸，并且在相应单元元件隔离层和单元区域隔离层之间。每个有源区域包括通过单元栅极结构分离的第一部分和第二部分，有源区域的第二部分在有源区域的第一部分中的相应一个的两侧。有源区域包括正常有源区域和虚设有源区域。
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公开(公告)号：CN101221725B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200710305786.8
申请日：2007-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G09G3/30 , G09G3/32 , H03K17/687
CPC classification number: G09G3/3291 , G09G3/3225 , G09G2300/0809 , G09G2310/0216 , G09G2310/0262 , G09G2320/043
Abstract: 显示装置包括发光元件、电容器、驱动晶体管、以及第一至第三开关单元。电容器连接在第一节点和第二节点之间。驱动晶体管具有与第一电压相连接的输入端、输出端、以及与第二节点相连接的控制端，并且其输出驱动电流到发光元件。第一开关单元选择并将数据电压和第二电压中的一个连接到第一节点。第二开关单元切换在第二电压和第二节点之间的连接。第三开关单元选择并将第二节点和发光元件中的一个连接到驱动晶体管的输出端。
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公开(公告)号：CN115053198A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202180013195.1
申请日：2021-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F1/20 , G06F1/3215 , G06F1/3228 , G06F1/3287 , G06F1/329
Abstract: 在某些实施例中，一种电子装置包括温度传感器；以及，处理器，其中所述处理器被配置为：检测所述电子装置的温度超过预定温度；当所述温度超过所述预定温度时，驱动满足预定条件的至少一个进程达时间段的一部分，并且在剩余的时间段内不驱动所述至少一个进程。
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公开(公告)号：CN101075032A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710104166.8
申请日：2007-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G09G3/3611 , G09G3/3648 , G09G2310/0289 , G09G2330/021
Abstract: 公开了一种电平移动器，具有：放大器，对第二电源电压进行放大，并且产生比所述预定信号高的输入电压；输入缓冲器，基于所述放大器的输入电压，选择性地传送输入信号；以及输出晶体管，基于所述输入缓冲器的所述输入信号，向输出端子提供第一电源电压。当所述放大器的所述晶体管导通时，所述输入缓冲器的栅极和源极之间的电压差根据所述输入电压的增加而增加，使得可以高速操作。此外，当所述放大器的所述晶体管截止时，栅极和源极之间的电压差变为负，从而因为不存在泄漏电流而可以减少能耗。
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公开(公告)号：CN119833510A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202410924382.0
申请日：2024-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/762
Abstract: 提供了一种集成电路器件及其制造方法。该集成电路器件包括：衬底，具有多个有源区；位线，在衬底上在平行于衬底的上表面的水平方向上延伸；直接接触，电连接到所述多个有源区的第一有源区并且电连接到位线；接触插塞，电连接到所述多个有源区的与第一有源区相邻的第二有源区；以及外绝缘间隔物，在位线和接触插塞之间并且在垂直于衬底的上表面的垂直方向上与位线重叠。外绝缘间隔物包括掺有金属元素的掺杂区。
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