公开(公告)号：CN119907300A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202411261501.5

申请日：2024-09-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金康仁 ,  金炅桓

IPC: H10D84/83 ,  H10D62/17 ,  H10D64/27

Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底上沿第一方向延伸的栅极沟槽；从栅极沟槽的底部突出的第一有源鳍，每个第一有源鳍的上表面具有第一垂直水平；在栅极沟槽中的第二有源鳍；第二有源鳍的上表面具有高于第一垂直水平的第二垂直水平；以及在填充栅极沟槽的隔离图案上的栅极结构。栅极结构的与第一有源鳍的上部重叠的第一部分包括第一电极。栅极结构的与第二有源鳍的上部重叠的第二部分包括第二电极。第二电极的垂直高度大于第一电极的垂直高度。

公开(公告)号：CN118317598A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410011413.3

申请日：2024-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金康仁 ,  金炅桓 ,  孙朠佑 ,  安相彬 ,  李相旼 ,  曹永丞

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供一种具有改进的性能和可靠性的半导体存储器装置。该半导体存储器装置包括：衬底，其具有单元区域和外围区域；单元区域隔离层，其将单元区域与外围区域分离；以及多个单元栅极结构，其各自包括在第一方向上延伸的单元栅电极。单元区域包括多个有源区域，其在不同于第一方向的第二方向上延伸，并且在相应单元元件隔离层和单元区域隔离层之间。每个有源区域包括通过单元栅极结构分离的第一部分和第二部分，有源区域的第二部分在有源区域的第一部分中的相应一个的两侧。有源区域包括正常有源区域和虚设有源区域。