公开(公告)号：CN101325179A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200810093182.6

申请日：2008-04-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金桢仁 ,  吴在熙 ,  孔晙赫 ,  朴哉炫 ,  李广宇

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  H01L27/24 ,  H01L23/522 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/141 ,  H01L45/1683

Abstract: 提供一种具有自对准电极的半导体存储器件的制造方法。在衬底上形成具有接触孔的层间绝缘层。形成部分地填充该接触孔的相变图形。形成包括自对准到相变图形并跨越层间绝缘层的位延伸的位线。该位延伸可以在相变图形上的接触孔中延伸。该位延伸与相变图形接触。

公开(公告)号：CN101106174B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200710104174.2

申请日：2007-05-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑椙旭 ,  孔晙赫 ,  李智惠 ,  赵栢衡

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C2013/0078

Abstract: 本发明涉及用于减小重置相变存储器件的存储单元中的部分相变材料用的重置电流的方法及相变存储器件。根据一个实施例，包括第一晶相的至少部分相变材料被转变为晶相和非晶相之一。与第一晶相相比，第二晶相更容易转变为非晶相。例如，第一晶相可以是六边形闭合密集结构，以及第一晶相可以是面心立方结构。

公开(公告)号：CN101106174A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710104174.2

申请日：2007-05-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑椙旭 ,  孔晙赫 ,  李智惠 ,  赵栢衡

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C2013/0078

Abstract: 本发明涉及用于减小重置相变存储器件的存储单元中的部分相变材料用的重置电流的方法及相变存储器件。根据一个实施例，包括第一晶相的至少部分相变材料被转变为晶相和非晶相之一。与第一晶相相比，第二晶相更容易转变为非晶相。例如，第一晶相可以是六边形闭合密集结构，以及第一晶相可以是面心立方结构。

公开(公告)号：CN101101793A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200710127820.7

申请日：2007-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑椙旭 ,  孔晙赫 ,  吴泂录

IPC: G11C17/18 ,  H01L27/24

CPC classification number: G11C17/16 ,  G11C13/0004 ,  G11C17/165

Abstract: 提出了一种对一次可编程器件进行编程的方法。将衬底中设置的开关器件导通，并且向与开关器件电连接的熔丝施加编程电流从而切断熔丝。所述熔丝包括：第一电极，与开关器件相连；第二电极，与第一电极间隔开；以及硫族化物图案，设置在第一电极与第二电极之间。还公开了相关的一次可编程器件、相变存储器件和电子系统。