公开(公告)号：CN105765662B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201480064108.5

申请日：2014-08-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 加藤纯男 ,  上田直树

IPC: G11C13/00 ,  G11C17/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: G11C17/18 ,  G02F1/13452 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/123 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C17/16 ,  G11C17/165 ,  G11C19/28 ,  G11C2213/53 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11206 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 半导体装置(1001)具备存储单元和写入控制电路，存储单元包含存储晶体管(10A)，存储晶体管(10A)具有含有金属氧化物的活性层(7A)，存储晶体管(10A)是能从漏极电流Ids依赖于栅极‐源极间电压Vgs的半导体状态不可逆地变为漏极电流Ids不依赖于栅极‐源极间电压Vgs的电阻体状态的晶体管，在将存储晶体管(10A)的阈值电压设为Vth，将漏极‐源极间电压设为Vds时，写入控制电路以满足Vgs≥Vds+Vth的方式对施加到漏极(9dA)、源极(9sA)以及栅极电极(3A)的电压进行控制，由此进行向存储晶体管(10A)的写入。

公开(公告)号：CN104620320B

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201380047386.5

申请日：2013-09-13

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： J·P·金 ,  T·金 ,  K·李 ,  S·H·韩 ,  X·李 ,  W·N·许

IPC: G11C11/16 ,  G11C17/02 ,  G11C17/16

CPC classification number: G11C17/18 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C17/02 ,  G11C17/16 ,  G11C17/165

Abstract: 一种一次性编程(OTP)装置单位单元，包括具有反向连接的磁隧道结(MTJ)，该反向连接用于在编程期间将该MTJ置于反平行电阻状态。在MTJ的反平行电阻状态中增大的MTJ电阻导致了较高的编程电压，此较高的编程电压减小了编程时间和编程电流。

公开(公告)号：CN107078212A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580051572.5

申请日：2015-09-11

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： X·李 ,  D·W·小佩里 ,  S·H·康

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C17/16 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L27/2418 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C17/165 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/145 ,  H01L45/16

Abstract: 诸方法和装置，其中该方法包括提供一种逻辑器件。该方法在至少一侧上用过渡金属氧化物基本上包围金属栅极，其中该过渡金属氧化物包括草酸铪和二氧化硅。该方法提供了底部电极(BE)，其中该BE包括硅或钨中的至少一者。

公开(公告)号：CN104916321A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201510111801.X

申请日：2015-03-13

Applicant: 恩智浦有限公司

Inventor： 马克·沃克莱尔 ,  菲利普·特温

IPC: G11C16/06

CPC classification number: G06F3/0619 ,  G06F3/0652 ,  G06F3/0679 ,  G06F2206/1014 ,  G11C7/1045 ,  G11C11/005 ,  G11C13/0035 ,  G11C13/0059 ,  G11C13/0069 ,  G11C16/22 ,  G11C17/165 ,  G11C2013/0083

Abstract: 使用可再编程存储设备的一部分来实现永久数据存储。存储设备包括多个电可擦存储元件和控制器。多个电可擦存储元件配置为存储数据。每个存储元件在达到写入故障状态之前可编程多个写入周期。控制器耦合到所述多个存储元件。控制器包括接收机和写入引擎。接收机配接收用于将所选的存储元件驱动到写入故障状态的指令。写入引擎在多个写入操作中将数据值重复写入所选的存储元件，直到建立所选的存储元件的写入故障状态为止。

公开(公告)号：CN102668085B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201080055451.5

申请日：2010-09-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S.S.帕金 ,  M.G.萨曼特 ,  杨政翰 ,  蒋信

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11C13/00

CPC classification number: G11C11/5685 ,  C23C14/081 ,  C23C14/35 ,  G11C11/5671 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C17/16 ,  G11C17/165 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/165

Abstract: 掺杂氮的氧化镁(MgO)绝缘层呈现电压控制的电阻状态，如，高电阻状态和低电阻状态。100nm级的图案化纳米装置显示高的可再现开关特性。通过增加氮浓度，可有系统地降低此类装置在两个电阻电平之间切换的电压电平。同样地，通过改变氮浓度，可改变高电阻状态的电阻，和通过改变氮浓度几个百分比，可减少高电阻状态的电阻若干数量级。另一方面，低电阻状态的电阻则几乎不受氮掺杂程度的影响。通过限制在SET(设定)过程期间通过的电流，可在广泛范围中改变单一Mg50O50-xNx层装置的电阻。因而可建构相关的数据存储装置。

公开(公告)号：CN104396014A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201380034473.7

申请日：2013-06-27

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： Z·王 ,  J·J·朱 ,  X·李

IPC: H01L27/112 ,  G11C17/16 ,  H01L23/522 ,  H01L23/525 ,  H01L49/02

CPC classification number: H01L27/11206 ,  G11C17/16 ,  G11C17/165 ,  H01L21/8239 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/5252 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11286 ,  H01L28/24 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种集成电路(例如OTP或MTP存储器电路)包括存取晶体管(10)和反熔丝(102)。该存取晶体管包括至少一个源极/漏极区(106，08)，而该反熔丝具有导体-绝缘体-导体结构。该反熔丝包括充当第一电极(134)的第一导体，并且还包括反熔丝电介质(136)、和第二导体(114，304)。第一电极的第一表面耦合至该反熔丝电介质的第一表面，该反熔丝电介质的第二表面耦合至该第二导体的第一表面。该第二导体电耦合至该存取晶体管的源极/漏极区。该反熔丝被适配成在大于或等于反熔丝电介质击穿电压的编程电压Vpp被施加在第一电极和第二导体之间情况下从开路状态转换到闭路状态。还可提供电阻器(202)且其是从与该反熔丝的第一电极(134)相同的层形成的。该电阻器位于由与该反熔丝电介质相同的层制成的绝缘层(204)上。

公开(公告)号：CN102347080B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201110196968.2

申请日：2011-07-14

Applicant: 美国博通公司

Inventor： 迈伦·布尔

IPC: G11C17/16

CPC classification number: G11C17/165 ,  G11C17/14 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L28/24 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明涉及存储元件以及内存结构，实施例扩展了熔丝元件、反熔丝元件以及其结合使能多次可编程存储元件的能力。因此，实施例显著降低了存储元件的面积要求和控制电路复杂性。实施例可以在例如非易失的存储器中使用，并且适合于在片上系统(SoC)的产品中使用。

公开(公告)号：CN101911206B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN200880122646.X

申请日：2008-11-05

Applicant: 桑迪士克3D公司

Inventor： T·库玛尔

IPC: G11C13/02

CPC classification number: G11C11/5685 ,  G11C11/5692 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C17/16 ,  G11C17/165 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

Abstract: 一种编程非易失性存储器件的方法，包括(i)提供包含有与至少一个金属氧化物串联的二极管的非易失性存储单元，(ii)施加第一正向偏置，将金属氧化物的电阻率状态从第一状态变化到第二状态；(iii)施加第二正向偏置，将金属氧化物的电阻率状态从第二状态变化到第三状态；以及(iv)施加第三正向偏置，将金属氧化物的电阻率状态从第三状态变化到第四状态。第四电阻率状态高于第三电阻率状态，第三电阻率状态低于第二电阻率状态，而第二电阻率状态低于第一电阻率状态。

公开(公告)号：CN101937717B

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201010221425.7

申请日：2010-06-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许国原 ,  陈柏宏 ,  黄建程 ,  苏布拉马尼·肯基瑞

IPC: G11C17/16 ,  G01R27/08

CPC classification number: G11C13/00 ,  G11C5/147 ,  G11C7/00 ,  G11C7/062 ,  G11C7/22 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/004 ,  G11C16/26 ,  G11C17/16 ,  G11C17/165 ,  G11C17/18 ,  G11C2013/0045

Abstract: 本发明提供一种测量电阻值的方法及电路，该电路包括：一第一子电路，用以接收一输入电压，并产生一第一电压与一第二电压，该第一电压产生流经一电阻性装置的一第一电流，而该第二电压产生该第二电流；一节点，电性耦接至该电阻性装置，并具有一第三电压，该第三电压产生一第三电流；以及一第二子电路，用以产生一第四电压，其具有一逻辑态，表示该电阻性装置的逻辑态。本发明可以有效率并精确地测量电熔丝电阻值。

公开(公告)号：CN101253573B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200680031533.X

申请日：2006-08-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： G·J·弗雷德曼 ,  桐畑外志昭 ,  A·J·莱斯利 ,  J·M·萨夫兰

IPC: G11C17/00 ,  G11C7/02 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C17/16 ,  G11C17/165 ,  G11C29/027

Abstract: 一次可编程只读存储器(OTPROM)在极小硅化物可迁移的电可编程熔丝的二维阵列中实现。当位线驱动在Vdd和用于编程的更高电压Vp之间切换时，通过在Vdd下操作的译码逻辑(140)来执行字线(WL)选择。这样，该OTPROM在不增加成本的情况下可与其他技术兼容并且可与其他技术集成，并且支持为了在熔丝编程期间的最小电压降而对大电流部分进行优化。具有可编程参考点(130)的差分检测放大器(120)，被用来改进检测裕度，并且能够支持整个位线，而不是针对单个熔丝提供检测放大器(120)。