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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103633002A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310177763.9
申请日：2013-05-14
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/60 , H01L25/065
CPC classification number: H01L24/94 , H01L23/481 , H01L23/50 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/06181 , H01L2224/13025 , H01L2224/16146 , H01L2224/8113 , H01L2224/81132 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2225/06593 , H01L2224/81
Abstract: 在半导体晶片到晶片堆叠中的晶片之一可以相对于堆叠中的先前晶片被旋转预定义数目的位置，并且在其中对准最大数目的良好裸片的位置被键合。在每个裸片上的调整电路对从已经由于旋转而重定位的焊盘接收的信号重寻路由。由贯穿衬底过孔互连的焊盘对形成的通信信道可以放置于每个裸片中，并且可以从一个裸片向下一裸片传送选择的信息。可以在位于每个裸片上的可编程只读存储器中记录或者可以从远程源下载代表每个裸片的位置定向的代码。可以连续地堆叠任何附加晶片，并且每个晶片可以相对于堆叠中的在它之前的晶片而旋转。
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公开(公告)号：CN101253573A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200680031533.X
申请日：2006-08-30
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G11C17/16 , G11C17/165 , G11C29/027
Abstract: 一次可编程只读存储器(OTPROM)在极小硅化物可迁移的电可编程熔丝的二维阵列中实现。当位线驱动在Vdd和用于编程的更高电压Vp之间切换时，通过在Vdd下操作的译码逻辑(140)来执行字线(WL)选择。这样，该OTPROM在不增加成本的情况下可与其他技术兼容并且可与其他技术集成，并且支持为了在熔丝编程期间的最小电压降而对大电流部分进行优化。具有可编程参考点(130)的差分检测放大器(120)，被用来改进检测裕度，并且能够支持整个位线，而不是针对单个熔丝提供检测放大器(120)。
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公开(公告)号：CN101253573B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200680031533.X
申请日：2006-08-30
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G11C17/16 , G11C17/165 , G11C29/027
Abstract: 一次可编程只读存储器(OTPROM)在极小硅化物可迁移的电可编程熔丝的二维阵列中实现。当位线驱动在Vdd和用于编程的更高电压Vp之间切换时，通过在Vdd下操作的译码逻辑(140)来执行字线(WL)选择。这样，该OTPROM在不增加成本的情况下可与其他技术兼容并且可与其他技术集成，并且支持为了在熔丝编程期间的最小电压降而对大电流部分进行优化。具有可编程参考点(130)的差分检测放大器(120)，被用来改进检测裕度，并且能够支持整个位线，而不是针对单个熔丝提供检测放大器(120)。
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公开(公告)号：CN101431078B
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200810161774.7
申请日：2008-09-26
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/092 , H01L27/115
CPC classification number: H01L21/823857 , G11C16/0433 , G11C16/10 , H01L21/823885 , H01L21/84 , H01L27/0922 , H01L27/105 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L27/11558 , H01L27/1203 , H01L29/66825 , H01L29/785 , H01L29/7881
Abstract: CMOS EPROM、EEPROM或反相器器件包括带有薄栅极电介质层的nFET器件、和带有厚栅极电介质层和浮置栅电极的与nFET器件并置的pFET器件。厚栅极电介质层基本上比薄栅极电介质层厚。连接两个FET器件的公用漏极节点在存储器件的情况下没有外部连接，而在反相器的情况下含有外部连接。存在到两个FET器件的源极区和到nFET器件的栅电极的外部电路连接。pFET和nFET器件可以是平面、垂直或FinFET器件。
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公开(公告)号：CN101431078A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810161774.7
申请日：2008-09-26
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/092 , H01L27/115
CPC classification number: H01L21/823857 , G11C16/0433 , G11C16/10 , H01L21/823885 , H01L21/84 , H01L27/0922 , H01L27/105 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L27/11558 , H01L27/1203 , H01L29/66825 , H01L29/785 , H01L29/7881
Abstract: CMOS EPROM、EEPROM或反相器器件包括带有薄栅极电介质层的nFET器件、和带有厚栅极电介质层和浮置栅电极的与nFET器件并置的pFET器件。厚栅极电介质层基本上比薄栅极电介质层厚。连接两个FET器件的公用漏极节点在存储器件的情况下没有外部连接，而在反相器的情况下含有外部连接。存在到两个FET器件的源极区和到nFET器件的栅电极的外部电路连接。pFET和nFET器件可以是平面、垂直或FinFET器件。
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