公开(公告)号：CN108231573B

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN201711223730.8

申请日：2017-11-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式公社

Inventor： 金秀珍 ,  李孝善 ,  裵珍惠 ,  林廷训 ,  崔容在

IPC: H01L21/306 ,  C09K13/08

Abstract: 本发明涉及蚀刻组合物及通过使用其制造半导体器件的方法。蚀刻组合物可包括过乙酸混合物、氟化合物、有机溶剂(例如乙酸酯系有机溶剂)和水。蚀刻组合物可用于选择性地蚀刻硅‑锗(SiGe)。

公开(公告)号：CN104183551B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201410217159.9

申请日：2014-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑盛允 ,  裵珍惠 ,  权亨峻 ,  朴钟撤 ,  李源俊

IPC: H01L21/8239 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 一种制造半导体器件的方法可以包括在衬底上形成材料层；执行选择性氧化工艺，以在材料层的第一表面上形成覆盖氧化物层，其中材料层的第二表面没有被氧化；以及经由第二表面蚀刻材料层以形成材料图案。覆盖氧化物层的蚀刻速率小于材料层的蚀刻速率。一种半导体器件可以包括在衬底上的下电极；数据存储部件，在下电极的上表面上；上电极，在数据存储部件上；以及覆盖氧化物层，布置在上电极的上表面的至少一部分上。覆盖氧化物层可以包括通过上电极的上表面的氧化而形成的氧化物。

公开(公告)号：CN104183551A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410217159.9

申请日：2014-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑盛允 ,  裵珍惠 ,  权亨峻 ,  朴钟撤 ,  李源俊

IPC: H01L21/8239 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 一种制造半导体器件的方法可以包括在衬底上形成材料层；执行选择性氧化工艺，以在材料层的第一表面上形成覆盖氧化物层，其中材料层的第二表面没有被氧化；以及经由第二表面蚀刻材料层以形成材料图案。覆盖氧化物层的蚀刻速率小于材料层的蚀刻速率。一种半导体器件可以包括在衬底上的下电极；数据存储部件，在下电极的上表面上；上电极，在数据存储部件上；以及覆盖氧化物层，布置在上电极的上表面的至少一部分上。覆盖氧化物层可以包括通过上电极的上表面的氧化而形成的氧化物。

公开(公告)号：CN119842402A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411449104.0

申请日：2024-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 咸喆 ,  姜炳俊 ,  高基淏 ,  金圣玟 ,  朴美贤 ,  朴仁仙 ,  裵珍惠 ,  李锦喜 ,  赵旻炯 ,  黄圭荣

IPC: C09K13/00 ,  H01L21/768

Abstract: 提供蚀刻组合物、通过使用其蚀刻含金属的膜的方法和通过使用其制造半导体器件的方法。所述蚀刻组合物可包括氧化剂、缓冲剂和选择性蚀刻抑制剂。所述选择性蚀刻抑制剂可包括由式1表示的第一化合物和不同于所述第一化合物的第二化合物。所述第二化合物可包括环。所述环可为吡唑基团、咪唑基团、三唑基团或四唑基团，或者所述环可为各自与苯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、或其任意组合稠合的吡唑基团、咪唑基团或三唑基团。式1的描述提供于本说明书中。式1#imgabs0#

公开(公告)号：CN115291482A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210185641.3

申请日：2022-02-28

Applicant: 三星电子株式会社 ,  KPX化工有限公司

Inventor： 尹孝鎭 ,  金承源 ,  金泰永 ,  朴友情 ,  裵珍惠 ,  申贤燮 ,  李玟泰 ,  韩勋 ,  金文荣 ,  金文昌 ,  梁哲模 ,  崔允硕

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027

Abstract: 提供了一种光致抗蚀剂去除组合物以及使用该组合物制造半导体装置和半导体封装件的方法。所述光致抗蚀剂去除组合物包括极性有机溶剂、烷基氢氧化铵、不包括羟基的脂肪胺和一元醇。为了制造半导体装置，可以在基底上形成光致抗蚀剂图案，然后可以将光致抗蚀剂去除组合物施加到光致抗蚀剂图案。为了制造半导体封装件，可以在基底上形成包括多个通孔的光致抗蚀剂图案。可以在所述多个通孔内部形成包括金属的多个导电柱，并且可以通过将发明构思的光致抗蚀剂去除组合物施加到光致抗蚀剂图案来去除光致抗蚀剂图案。半导体芯片可以在相应的导电柱之间粘附到基底。

公开(公告)号：CN108231573A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711223730.8

申请日：2017-11-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式公社

Inventor： 金秀珍 ,  李孝善 ,  裵珍惠 ,  林廷训 ,  崔容在

IPC: H01L21/306 ,  C09K13/08

Abstract: 本发明涉及蚀刻组合物及通过使用其制造半导体器件的方法。蚀刻组合物可包括过乙酸混合物、氟化合物、有机溶剂(例如乙酸酯系有机溶剂)和水。蚀刻组合物可用于选择性地蚀刻硅‑锗(SiGe)。