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    发光器件和包括所述发光器件的电子设备
    4.
    发明公开
    发光器件和包括所述发光器件的电子设备 审中-公开

    公开(公告)号：CN117479565A

    公开(公告)日：2024-01-30

    申请号：CN202310937852.2

    申请日：2023-07-28

    申请人： 三星电子株式会社

    发明人： 郭丞燕 ,  金圣玟 ,  李锦喜 ,  李芳璘 ,  李晟熏 ,  石原慎吾 ,  崔炳基 ,  洪英基

    IPC分类号： H10K50/12 ,  H10K101/40

    摘要： 公开发光器件和包括所述发光器件的电子设备。所述发光器件包括第一电极、与所述第一电极相对的第二电极、以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的中间层，其中所述中间层包括发射层，其中所述发射层包括m1种掺杂剂和m2种主体，并且m1和m2各自为1或更大，当m1为2或更大时，则两种或更多种掺杂剂彼此不同，当m2为2或更大时，则两种或更多种主体彼此不同，并且所述发光器件满足条件1，其中条件1可通过参照本文中提供的描述而理解。条件10德拜·V≤DMEML×(Vop‑Vinj)≤3.41德拜·V。

    发光器件和包括其的电子设备
    5.
    发明公开
    发光器件和包括其的电子设备 审中-实审

    公开(公告)号：CN116347913A

    公开(公告)日：2023-06-27

    申请号：CN202211734080.4

    申请日：2022-12-22

    申请人： 三星电子株式会社

    发明人： 郭丞燕 ,  姜炳俊 ,  金炯俊 ,  沈明善 ,  李锦喜 ,  李晟熏 ,  李龙柱 ,  崔炳基 ,  洪英基

    IPC分类号： H10K50/13 ,  H10K85/30

    摘要： 公开发光器件和包括其的电子设备。所述发光器件包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；以及布置在所述第一电极和所述第二电极之间的中间层，其中所述中间层包括第一发射层和第二发射层，所述第一发射层包括发射具有第一光谱的第一种光的第一化合物，所述第二发射层包括发射具有第二光谱的第二种光的第二化合物，所述第一化合物包括第一过渡金属，所述第二化合物包括第二过渡金属，所述第一过渡金属和所述第二过渡金属彼此不同，|HOMO(1)‑HOMO(2)|为约0.05eV至约0.4eV，并且|λmax(1)‑λmax(2)|为约0nm‑约30nm，其中HOMO(1)、HOMO(2)、λmax(1)、和λmax(2)如本文中所描述的。

    发光器件和包括其的电子设备
    6.
    发明公开
    发光器件和包括其的电子设备 审中-实审

    公开(公告)号：CN115458700A

    公开(公告)日：2022-12-09

    申请号：CN202210649534.1

    申请日：2022-06-08

    申请人： 三星电子株式会社

    发明人： 郭丞燕 ,  姜炳俊 ,  金炯俊 ,  沈明善 ,  李锦喜 ,  李晟熏 ,  崔炳基

    IPC分类号： H01L51/52 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

    摘要： 提供发光器件和包括其的电子设备。所述发光器件包括第一电极、面对第一电极的第二电极、及在第一电极和第二电极之间的发射层，其中第一电极为反射性电极，发射层包括i)第一发射层、以及在第一发射层和第二电极之间的ii)第二发射层，第一发射层包括能够发射具有第一光谱的第一种光的第一化合物，λP(1)为第一光谱的发射峰波长(nm)，第二发射层包括能够发射具有第二光谱的第二种光的第二化合物，λP(2)为第二光谱的发射峰波长(nm)，发射层可发射具有第三光谱的第三种光，λP(3)为第三光谱的发射峰波长(nm)，λP(1)小于λP(2)，|λP(1)‑λP(2)|大于0nm且小于或等于30nm，且|λP(2)‑λP(3)|和|λP(3)‑λP(1)|各自大于或等于0nm且小于或等于30nm。