公开(公告)号：CN105006483A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201510194427.4

申请日：2015-04-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李馥英 ,  李正允 ,  金东贤 ,  金明哲 ,  韩东佑

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：第一有源鳍和第二有源鳍，它们从衬底突出并沿着第一方向延伸；第一栅极结构，其位于第一有源鳍上以沿着与第一方向交叉的第二方向延伸；第二栅极结构，其布置为在第二方向上邻近于第一栅极结构，并且位于第二有源鳍上以沿着第二方向延伸；以及伪结构，其位于第一栅极结构与第二栅极结构之间的空间中。

公开(公告)号：CN106548931B

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN201610831395.9

申请日：2016-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩东佑 ,  梁光容 ,  李珍旭 ,  田炅烨 ,  丁海建 ,  金度亨

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法和图案化方法，所述制造半导体器件的方法包括：在基底的第一区域和第二区域上分别形成第一有源图案和第二有源图案；在第一有源图案和第二有源图案上分别形成第一栅极结构和第二栅极结构；形成包覆层以覆盖第一栅极结构和第二栅极结构以及第一有源图案和第二有源图案；在第一栅极结构之间的第一有源图案中形成第一凹进区，在第二栅极结构之间的第二有源图案中形成第二凹进区。

公开(公告)号：CN114914241A

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202111546317.1

申请日：2021-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔道永 ,  金成玟 ,  金哲 ,  金孝珍 ,  河大元 ,  韩东佑

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：第一有源图案，在衬底上沿第一方向延伸；第二有源图案，在第一方向上延伸并且在不同于第一方向的第二方向上与第一有源图案相邻；场绝缘膜，置于第一有源图案和第二有源图案之间；第一栅极结构，与第一有源图案交叉，沿第二方向延伸，并包括第一栅电极和第一栅极间隔物；第二栅极结构，与第二有源图案交叉，沿第二方向延伸，并包括第二栅电极和第二栅极间隔物；栅极分隔结构，置于第一栅极结构和第二栅极结构之间的场绝缘膜上。

公开(公告)号：CN105006483B

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201510194427.4

申请日：2015-04-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李馥英 ,  李正允 ,  金东贤 ,  金明哲 ,  韩东佑

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：第一有源鳍和第二有源鳍，它们从衬底突出并沿着第一方向延伸；第一栅极结构，其位于第一有源鳍上以沿着与第一方向交叉的第二方向延伸；第二栅极结构，其布置为在第二方向上邻近于第一栅极结构，并且位于第二有源鳍上以沿着第二方向延伸；以及伪结构，其位于第一栅极结构与第二栅极结构之间的空间中。

公开(公告)号：CN116705795A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310147145.3

申请日：2023-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  成石铉 ,  韩东佑

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括：第一有源图案，包括第一下图案和多个第一片状图案；多个第一栅极结构，在第一下图案上；第二有源图案，包括第二下图案和多个第二片状图案；多个第二栅极结构，在第二下图案上；第一源极/漏极凹槽，在邻近的第一栅极结构之间；第二源极/漏极凹槽，在邻近的第二栅极结构之间；第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案，分别在第一源极/漏极凹槽和第二源极/漏极凹槽中，其中，从第一下图案的上表面到第一源极/漏极图案的最下部的深度小于从第二下图案的上表面到第二源极/漏极图案的最下部的深度，并且第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案包括相同导电类型的杂质。

公开(公告)号：CN106548931A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610831395.9

申请日：2016-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩东佑 ,  梁光容 ,  李珍旭 ,  田炅烨 ,  丁海建 ,  金度亨

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823431 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/823437 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/82385

Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法和图案化方法，所述制造半导体器件的方法包括：在基底的第一区域和第二区域上分别形成第一有源图案和第二有源图案；在第一有源图案和第二有源图案上分别形成第一栅极结构和第二栅极结构；形成包覆层以覆盖第一栅极结构和第二栅极结构以及第一有源图案和第二有源图案；在第一栅极结构之间的第一有源图案中形成第一凹进区，在第二栅极结构之间的第二有源图案中形成第二凹进区。