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公开(公告)号：CN119730366A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202410797263.3
申请日：2024-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了集成电路器件。所述集成电路器件包括：第一鳍和第二鳍，在基底的第一区域上在第一水平方向上延伸；第三鳍和第四鳍，在基底的第二区域上在第一水平方向上延伸；连接栅极线，至少部分地围绕第一沟道区域和第二沟道区域；以及分离栅极线，包括第一分离部分和第二分离部分，第一分离部分至少部分地围绕第三沟道区域，第二分离部分至少部分地围绕第四沟道区域，其中，分离栅极线的顶表面的最上部分在第一竖直高度处，并且连接栅极线的顶表面的最上部分在比第一竖直高度高的第二竖直高度处。
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公开(公告)号：CN117790539A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202310483676.X
申请日：2023-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/08 , H01L23/538 , H01L27/088
Abstract: 一种三维半导体器件，包括：在衬底上的第一有源区域，该第一有源区域包括下沟道图案和连接到下沟道图案的下源/漏图案；第二有源区域，堆叠在第一有源区域上，该第二有源区域包括上沟道图案和连接到上沟道图案的上源/漏图案；栅电极，在下沟道图案和上沟道图案上；下接触部，电连接到下源/漏图案，该下接触部具有在第一方向上在下源/漏图案上延伸的条形形状；第一有源接触部，耦接到下接触部；以及第二有源接触部，耦接到上源/漏图案。下源/漏图案在第二方向上的第一宽度大于下接触部在第二方向上的第二宽度。
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公开(公告)号：CN115911045A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210522953.9
申请日：2022-05-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件，包括：有源图案，在衬底上；一对第一源/漏图案，在有源图案上；一对第二源/漏图案，在一对第一源/漏图案的顶表面上；栅电极，跨有源图案延伸，并且该栅电极具有面向一对第一源/漏图案和一对第二源/漏图案的侧壁；第一沟道结构，跨栅电极延伸并将一对第一源/漏图案彼此连接；以及第二沟道结构，跨栅电极延伸并将一对第二源/漏图案彼此连接。栅电极包括第一沟道结构的底表面与有源图案的顶表面之间的第一下部、以及第一沟道结构的顶表面与第二沟道结构的底表面之间的第一上部。第一下部的厚度大于第一上部的厚度。
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公开(公告)号：CN106057804B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201610228052.3
申请日：2016-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/06
Abstract: 本公开涉及一种半导体器件。该半导体器件包括衬底、衬底上的有源图案、与有源图案交叉的栅电极和栅电极上的封盖结构。封盖结构包括顺序层叠在栅电极上的第一封盖图案和第二封盖图案。第二封盖图案完全覆盖第一封盖图案的顶表面，第二封盖图案的介电常数大于第一封盖图案的介电常数。
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公开(公告)号：CN1252708C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN02152833.0
申请日：2002-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B15/61
CPC classification number: G11B15/6656 , G11B15/61
Abstract: 本发明公开了一种磁性记录/再现设备的磁带导引装置，包括立柱基座组件，以导引自供给卷轴送入并穿过预定路径的磁带而使之在水平方向移动至磁鼓的读取表面。该立柱基座组件包括一个立柱基座，在磁带装载/卸载过程中，该立柱基座靠近磁鼓一侧或与磁鼓一侧分离。该立柱基座组件还包括一个立柱单元，该立柱单元包括与立柱基座倾斜而处于磁鼓读取表面的水平方向上的螺旋凸缘，以为导引进入磁鼓的磁带，使之倾斜预定的角度并定位在读取表面的水平方向上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1244908C
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN02155968.6
申请日：2002-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B25/06 , G11B15/6656
Abstract: 本发明公开了一种用于摄录像机的移动机芯底板，其具有相对主机壳可滑动地移动的从属机壳。磁鼓基座和主机壳整体地形成。一对静止导轨从磁鼓基座的两侧整体地伸出。一对配置在从属机壳处的可动导轨停靠到一对静止导轨上以形成移动路径，一对立柱基座沿该路径移动以从盒式磁带中抽出磁带。静止导轨中的一个通过第一桥形加强肋联接到磁鼓基座上。
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公开(公告)号：CN1098217A
公开(公告)日：1995-02-01
申请号：CN93121475.0
申请日：1993-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B15/00
CPC classification number: G11B15/67584
Abstract: 可以在盒式磁带落到走带机构上时打开磁带盒盖，在盒式磁带落下之后关闭盒盖，以降低走带机构高度的磁性记录和重放装置的磁带盒盖开闭系统，它包括一个盒盖打开部件操纵连杆，用来摆动盒盖打开部件，在磁带盒夹下落到滑板上的过程中打开盒盖，在盒式磁带落到下机架上时通过解除该盒盖打开部件的压盖动作而关闭打开的盒盖的杆；以及操纵杆的杆操纵装置，在磁带重放期间关闭磁带盒盖，从而允许制造超薄的走带机构。
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公开(公告)号：CN1088340A
公开(公告)日：1994-06-22
申请号：CN93112831.5
申请日：1993-12-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B15/00
CPC classification number: G11B15/67565
Abstract: 一种磁带录制机的框架装置，用于在沿某一路径输送的磁带上录制或重放信号。它包括有，具有行走系统的主走带机构；一以铰链方式与主走带机构一侧连接的杠杆架；一通过杠杆架在主走带机构上上下垂直移动的框架及一在框架上水平运动的带盒座。在杠杆架来回转动时，框架上的侧齿轮与杠杆架上的齿条啮合，框架上的带盒座通过与侧齿轮相连的离合器滑动，进行装载和弹出盒式磁带。这样，不需单独的电机或结构就可平稳协调地完成操作。
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公开(公告)号：CN119629995A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202410898008.8
申请日：2024-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种三维半导体器件包括：第一有源区，包括下沟道图案和下源极/漏极图案，下沟道图案包括在第一方向上堆叠并且彼此间隔开的多个下半导体图案，下半导体图案包括第一半导体图案；堆叠在第一有源区上的第二有源区，包括上沟道图案和上源极/漏极图案；在下沟道图案上的下栅电极；以及在第一半导体图案下方的下绝缘图案。下栅电极包括与下绝缘图案的第一侧壁相邻并且在第一方向上从下栅电极的上表面延伸到底表面的第一部分、与下绝缘图案的第二侧壁相邻并且在第一方向上从下栅电极的上表面延伸到底表面的第二部分、以及与下绝缘图案的底表面接触并且在第二方向上从第一部分延伸到第二部分的第三部分。
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公开(公告)号：CN114914241A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202111546317.1
申请日：2021-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：第一有源图案，在衬底上沿第一方向延伸；第二有源图案，在第一方向上延伸并且在不同于第一方向的第二方向上与第一有源图案相邻；场绝缘膜，置于第一有源图案和第二有源图案之间；第一栅极结构，与第一有源图案交叉，沿第二方向延伸，并包括第一栅电极和第一栅极间隔物；第二栅极结构，与第二有源图案交叉，沿第二方向延伸，并包括第二栅电极和第二栅极间隔物；栅极分隔结构，置于第一栅极结构和第二栅极结构之间的场绝缘膜上。
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