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公开(公告)号：CN119855230A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411240141.0
申请日：2024-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；有源区域，其在衬底上沿第一方向延伸；栅极结构，其在有源区域上沿第二方向延伸并且与有源区域相交；源极/漏极区域，其在栅极结构的一侧位于有源区域上；分隔图案，其在第一方向上延伸并且使栅极结构分离；以及接触结构，其位于分隔图案上并且与分隔图案交叉，接触结构电连接到源极/漏极区域，其中，接触结构包括第一部分和第二部分，第一部分接触分隔图案，第二部分接触源极/漏极区域，第二部分的下表面处于比第一部分的下表面低的高度，并且接触结构的最下端与分隔图案间隔开。
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公开(公告)号：CN119629995A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202410898008.8
申请日：2024-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种三维半导体器件包括：第一有源区，包括下沟道图案和下源极/漏极图案，下沟道图案包括在第一方向上堆叠并且彼此间隔开的多个下半导体图案，下半导体图案包括第一半导体图案；堆叠在第一有源区上的第二有源区，包括上沟道图案和上源极/漏极图案；在下沟道图案上的下栅电极；以及在第一半导体图案下方的下绝缘图案。下栅电极包括与下绝缘图案的第一侧壁相邻并且在第一方向上从下栅电极的上表面延伸到底表面的第一部分、与下绝缘图案的第二侧壁相邻并且在第一方向上从下栅电极的上表面延伸到底表面的第二部分、以及与下绝缘图案的底表面接触并且在第二方向上从第一部分延伸到第二部分的第三部分。
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公开(公告)号：CN119562589A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202410662505.8
申请日：2024-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：下图案，在第一方向上延伸；第一沟道图案，在下图案上并且包括多个第一片状图案；下图案上的第二沟道图案，包括多个第二片状图案并且与第一沟道图案间隔开；第一栅结构，围绕第一片状图案延伸，并且包括第一栅电极和第一栅绝缘膜；第二栅结构，围绕第二片状图案延伸，并且包括第二栅电极和第二栅绝缘膜；第一栅封盖图案；以及第二栅封盖图案。第一片状图案的数量不同于第二片状图案的数量，并且第一栅封盖图案的厚度不同于第二栅封盖图案的厚度。
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公开(公告)号：CN118412351A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202311375926.4
申请日：2023-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/06
Abstract: 一种三维堆叠场效应晶体管可以包括：包括第一后侧电源线和第二后侧电源线的后侧布线层、在后侧布线层上的第一场效应晶体管、在第一场效应晶体管上方的第二场效应晶体管、在第二场效应晶体管上方的前侧布线层、将第一场效应晶体管连接到第二场效应晶体管的第一贯通电极、以及连接前侧电源线和后侧电源线的第二贯通电极。前侧布线层可以在第一方向上延伸，并且可以包括连接到第二后侧电源线的前侧电源线。第一场效应晶体管和第二场效应晶体管可以共享在第二方向上延伸的栅极。第一场效应晶体管和第二场效应晶体管中的每一个可以包括在第一方向上分别位于栅极的两侧的源极和漏极、以及在源极和漏极之间并且被栅极围绕的沟道。
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公开(公告)号：CN117542858A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202310665067.6
申请日：2023-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/06
Abstract: 在一些实施例中，一种半导体器件包括：第一有源图案，在衬底上沿第一水平方向延伸；第二有源图案，在衬底上沿第一水平方向延伸；第一底部栅电极，在第一有源图案上沿第二水平方向延伸；第一上栅电极，在第一底部栅电极上沿第二水平方向延伸；第二底部栅电极，在第二有源图案上沿第二水平方向延伸；第二上栅电极，在第二底部栅电极上沿第二水平方向延伸；以及第一栅极切割，包括第一部分和第二部分，第一部分将第一底部栅电极与第二底部栅电极隔离，第二部分将第一上栅电极与第二上栅电极隔离。第二部分的宽度超过第一部分的宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118263251A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311623101.X
申请日：2023-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L23/528 , H01L23/522
Abstract: 一种集成电路器件，包括：在第一方向上延伸的下绝缘线；在下绝缘线上方的多个下沟道线；分别在下绝缘线的相对侧和下沟道线之一的相对侧上的第一下栅极线和第二下栅极线；围绕下沟道线之一的上表面和下表面延伸并将第一下栅极线和第二下栅极线彼此连接的第三下栅极线；布置在下绝缘线下方并与第一下栅极线和第二下栅极线接触的外栅极线；在每个下沟道线的上表面上方的上绝缘线；在上绝缘线上方的多个上沟道线；以及围绕上沟道线之一延伸的上栅极线。
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公开(公告)号：CN119905471A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411051376.5
申请日：2024-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/485 , H10D84/83
Abstract: 一种半导体器件可以包括：通路图案，该通路图案连接到位于衬底上的导电图案，并且包括堆叠在下通路图案上的下通路图案和上通路图案；以及布线线路，该布线线路连接到上通路图案并且在第二方向上延伸。布线线路可以包括与上通路图案相同的金属。布线线路的底部宽度可以大于布线线路的顶部宽度。下通路图案的顶面的宽度可以等于上通路图案的底面的宽度。
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公开(公告)号：CN118943143A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202311726035.9
申请日：2023-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括由沟槽限定的有源图案；器件隔离层，在沟槽中；第一源/漏图案和第二源/漏图案，在有源图案上；分隔壁，在第一源/漏图案和第二源/漏图案之间；挡板结构和栅极切割图案，在器件隔离层上；以及栅极间隔物，在栅极切割图案的侧表面上。第一源/漏图案在分隔壁和挡板结构之间的凹陷中，并且栅极间隔物的下部介于挡板结构和栅极切割图案之间。栅极间隔物的下部的第一厚度与栅极间隔物的上部的第二厚度不同。
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公开(公告)号：CN118825019A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410228883.5
申请日：2024-02-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/092
Abstract: 一种半导体装置，包括：衬底，其包括有源图案；第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案，其与有源图案重叠；分离绝缘层，其在第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案之间；以及第一栅电极和第二栅电极，第一栅电极和第二栅电极通过分离绝缘层插置在其间而彼此间隔开。分离绝缘层的顶表面的水平高度高于第一栅电极的顶表面的水平高度和第二栅电极的顶表面的水平高度。
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公开(公告)号：CN118782609A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202311506578.X
申请日：2023-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L29/08
Abstract: 一种三维(3D)半导体器件包括：衬底，包括彼此相对的第一表面和第二表面；下有源区，在衬底的第一表面上，下有源区包括彼此电连接的下沟道图案和下源/漏图案；上有源区，在下有源区上，上有源区包括彼此电连接的上沟道图案和上源/漏图案；坝状图案，从下源/漏图案竖直地延伸到上源/漏图案；下有源接触部，电连接到下源/漏图案；上有源接触部，电连接到上源/漏图案；以及竖直过孔，沿坝状图案竖直地延伸以将下有源接触部电连接到上有源接触部。
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