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公开(公告)号：CN119562589A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202410662505.8
申请日：2024-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：下图案，在第一方向上延伸；第一沟道图案，在下图案上并且包括多个第一片状图案；下图案上的第二沟道图案，包括多个第二片状图案并且与第一沟道图案间隔开；第一栅结构，围绕第一片状图案延伸，并且包括第一栅电极和第一栅绝缘膜；第二栅结构，围绕第二片状图案延伸，并且包括第二栅电极和第二栅绝缘膜；第一栅封盖图案；以及第二栅封盖图案。第一片状图案的数量不同于第二片状图案的数量，并且第一栅封盖图案的厚度不同于第二栅封盖图案的厚度。
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公开(公告)号：CN110739307A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201910529268.7
申请日：2019-06-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件包括：N型金属氧化物半导体(NMOS)区中的第一鳍图案和第二鳍图案，第一鳍图案和第二鳍图案均沿第一方向纵向延伸，并且通过第一沟槽分开；以及P型金属氧化物半导体(PMOS)区中的第三鳍图案和第四鳍图案，第三鳍图案和第四鳍图案均与第一鳍图案和第二鳍图案中的相应鳍图案平行地沿第一方向纵向延伸，并且通过第二沟槽分开。第一隔离层和第二隔离层分别设置在第一沟槽和第二沟槽中。第一栅电极沿横切第一方向的第二方向纵向延伸，并与第一鳍图案相交。第二栅电极沿第二方向纵向延伸，并与第二鳍图案相交。间隔开的第三栅电极和第四栅电极在第二隔离层上沿第二方向纵向延伸。
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公开(公告)号：CN110581130A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910124739.6
申请日：2019-02-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括第一杂质区、沟道图案、第二杂质区、栅极结构、第一接触图案、第二接触图案和间隔件。第一杂质区可形成在基底上。沟道图案可从基底的上表面突出。第二杂质区可形成在沟道图案上。栅极结构可形成在沟道图案的侧壁以及与沟道图案相邻的基底上，并且栅极结构可包括栅极绝缘图案和栅电极。第一接触图案可与第二杂质区的上表面接触。第二接触图案可与栅电极的表面接触。间隔件可形成在第一接触图案与第二接触图案之间。间隔件可围绕第二接触图案的侧壁的一部分，并且间隔件可与第一接触图案和第二接触图案中的每个接触图案的侧壁接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120035211A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202411189852.X
申请日：2024-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10D84/83
Abstract: 一种半导体装置包括：第一下图案，沿第一方向延伸并包括沿第二方向相对的第一和第二侧壁及沿第三方向相对的上表面和下表面；沟道分离结构，沿第一方向延伸并接触第一下图案的第一侧壁；场绝缘膜，接触第一下图案的第二侧壁；第一沟道图案，在第一下图案的上表面上并包括沿第三方向彼此间隔开且接触沟道分离结构的第一片状图案；第一源极/漏极图案，接触第一沟道图案和沟道分离结构；接触阻挡图案，在第一源极/漏极图案上且由绝缘材料形成并具有与沟道分离结构的上表面处于同一平面的上表面；第一背侧源极/漏极接触件，在第一下图案内并连接到第一源极/漏极图案；以及背侧布线，在第一下图案的下表面上并连接到第一背侧源极/漏极接触件。
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公开(公告)号：CN110739307B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN201910529268.7
申请日：2019-06-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件包括：N型金属氧化物半导体(NMOS)区中的第一鳍图案和第二鳍图案，第一鳍图案和第二鳍图案均沿第一方向纵向延伸，并且通过第一沟槽分开；以及P型金属氧化物半导体(PMOS)区中的第三鳍图案和第四鳍图案，第三鳍图案和第四鳍图案均与第一鳍图案和第二鳍图案中的相应鳍图案平行地沿第一方向纵向延伸，并且通过第二沟槽分开。第一隔离层和第二隔离层分别设置在第一沟槽和第二沟槽中。第一栅电极沿横切第一方向的第二方向纵向延伸，并与第一鳍图案相交。第二栅电极沿第二方向纵向延伸，并与第二鳍图案相交。间隔开的第三栅电极和第四栅电极在第二隔离层上沿第二方向纵向延伸。
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公开(公告)号：CN119545895A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411137423.8
申请日：2024-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10D84/83
Abstract: 一种半导体器件包括：绝缘基体层；多个半导体图案，其堆叠在所述绝缘基体层上并且彼此间隔开；栅极结构，其围绕所述多个半导体图案；第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案，其设置在所述绝缘基体层上并且分别连接到所述多个半导体图案的两个侧表面；接触结构，其通过所述绝缘基体层连接到所述第一源极/漏极图案；侧壁绝缘膜，其设置在所述接触结构的上部与所述绝缘基体层的上部之间并且延伸到所述栅极结构的位于所述多个半导体图案当中的最下面的半导体图案下方的部分的区域上；以及电力传输线，其设置在所述绝缘基体层的下表面上并且连接到所述接触结构。
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公开(公告)号：CN110828568A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910515825.X
申请日：2019-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本公开提供了具有栅极隔离层的半导体器件。一种半导体器件包括：具有第一区和第二区的衬底；第一有源鳍，其在第一区中在第一方向上延伸；第二有源鳍，其在第二区中在第一方向上延伸；第一场绝缘层，其位于第一有源鳍之间，并且在第二方向上延伸；第二场绝缘层，其位于第二有源鳍之间，并且在第二方向上延伸；栅极线，其在第二场绝缘层上在第二方向上延伸，栅极线与第一场绝缘层一起直线地布置；栅极隔离层，其位于第一场绝缘层与栅极线之间；以及栅极间隔件，其在第二方向上延伸，栅极间隔件与第一场绝缘层、栅极线和栅极隔离层中的每一个的两个侧壁接触。
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公开(公告)号：CN104576614A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410398653.X
申请日：2014-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
CPC classification number: G01R31/2884
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件、半导体器件的测试结构和测试半导体器件的方法。可提供这样的测试结构，其包括彼此分离的第一焊盘和第二焊盘以及连接在第一焊盘与第二焊盘之间的第一测试元件和第二测试元件，第一测试元件的特征参数的第一值与第二测试元件的该特征参数的第二值不同。
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