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公开(公告)号：CN107452802B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201710368551.7
申请日：2017-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明如下提供了一种垂直场效应晶体管。衬底具有沿着平行于衬底的上表面的第一方向布置的下部漏极和下部源极。鳍片结构安置于衬底上，并且从衬底的上表面垂直地延伸。鳍片结构包含沿着第一方向布置的第一端部和第二端部。鳍片结构的第一端部的底部表面和鳍片结构的第二端部的底部表面分别与下部漏极和下部源极重叠。鳍片结构包含具有下部侧壁区域、中心侧壁区域和上部侧壁区域的侧壁。栅极电极围绕鳍片结构的中心侧壁区域。
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公开(公告)号：CN115985914A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211252308.6
申请日：2022-10-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/78 , B82Y10/00
Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括具有下图案和与下图案间隔开的片图案的有源图案、在下图案上并具有围绕每个片图案的栅电极和栅极绝缘膜的栅极结构、在栅极结构上的栅极覆盖图案、在栅极覆盖图案和栅极结构之间的栅极蚀刻停止图案、沿着栅极覆盖图案的侧壁的栅极间隔件、在栅极结构上的源极/漏极图案、穿过栅极覆盖图案并连接到栅电极的栅极接触件以及在源极/漏极图案上并连接到源极/漏极图案的源极/漏极接触件，栅极接触件的上表面和栅极间隔件的上表面共面。
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公开(公告)号：CN110021667A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201811601984.3
申请日：2018-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 本发明可提供一种垂直场效应晶体管，所述垂直场效应晶体管包括：第一源极/漏极区；沟道结构，从所述第一源极/漏极区向上突出且被配置成用作沟道，所述沟道结构在平面图中具有二维结构，所述沟道结构在所述沟道结构的至少一侧处具有开口，所述沟道结构包括一个或两个第一部分以及一个或多个第二部分，所述一个或两个第一部分在第一方向上延伸，且所述一个或多个第二部分连接到所述一个或两个第一部分中的对应的一者或多者且在第二方向上延伸，所述第二方向与所述第一方向不同；栅极结构，水平地环绕所述沟道结构；以及第二源极/漏极区，在所述沟道结构上向上。
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公开(公告)号：CN109979989B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201811612378.1
申请日：2018-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 可以提供一种垂直双极晶体管，所述垂直双极晶体管包括：基底，包括第一导电类型的第一阱和与第一导电类型不同的第二导电类型的第二阱，第一阱与第二阱邻接；第一鳍，从第一阱延伸；第二鳍，从第一阱延伸；第三鳍，从第二阱延伸；第一导电区，位于第一鳍上，具有第二导电类型并且被构造为用作所述垂直双极晶体管的发射极；第二导电区，位于第二鳍上，具有第一导电类型并且被构造为用作所述垂直双极晶体管的基极；以及第三导电区，位于第三鳍上，具有第二导电类型并且被构造为用作所述垂直双极晶体管的集电极。
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公开(公告)号：CN110739307A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201910529268.7
申请日：2019-06-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件包括：N型金属氧化物半导体(NMOS)区中的第一鳍图案和第二鳍图案，第一鳍图案和第二鳍图案均沿第一方向纵向延伸，并且通过第一沟槽分开；以及P型金属氧化物半导体(PMOS)区中的第三鳍图案和第四鳍图案，第三鳍图案和第四鳍图案均与第一鳍图案和第二鳍图案中的相应鳍图案平行地沿第一方向纵向延伸，并且通过第二沟槽分开。第一隔离层和第二隔离层分别设置在第一沟槽和第二沟槽中。第一栅电极沿横切第一方向的第二方向纵向延伸，并与第一鳍图案相交。第二栅电极沿第二方向纵向延伸，并与第二鳍图案相交。间隔开的第三栅电极和第四栅电极在第二隔离层上沿第二方向纵向延伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109979989A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201811612378.1
申请日：2018-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 可以提供一种垂直双极晶体管，所述垂直双极晶体管包括：基底，包括第一导电类型的第一阱和与第一导电类型不同的第二导电类型的第二阱，第一阱与第二阱邻接；第一鳍，从第一阱延伸；第二鳍，从第一阱延伸；第三鳍，从第二阱延伸；第一导电区，位于第一鳍上，具有第二导电类型并且被构造为用作所述垂直双极晶体管的发射极；第二导电区，位于第二鳍上，具有第一导电类型并且被构造为用作所述垂直双极晶体管的基极；以及第三导电区，位于第三鳍上，具有第二导电类型并且被构造为用作所述垂直双极晶体管的集电极。
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公开(公告)号：CN110021667B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN201811601984.3
申请日：2018-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明可提供一种垂直场效应晶体管，所述垂直场效应晶体管包括：第一源极/漏极区；沟道结构，从所述第一源极/漏极区向上突出且被配置成用作沟道，所述沟道结构在平面图中具有二维结构，所述沟道结构在所述沟道结构的至少一侧处具有开口，所述沟道结构包括一个或两个第一部分以及一个或多个第二部分，所述一个或两个第一部分在第一方向上延伸，且所述一个或多个第二部分连接到所述一个或两个第一部分中的对应的一者或多者且在第二方向上延伸，所述第二方向与所述第一方向不同；栅极结构，水平地环绕所述沟道结构；以及第二源极/漏极区，在所述沟道结构上向上。
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公开(公告)号：CN110739307B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN201910529268.7
申请日：2019-06-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件包括：N型金属氧化物半导体(NMOS)区中的第一鳍图案和第二鳍图案，第一鳍图案和第二鳍图案均沿第一方向纵向延伸，并且通过第一沟槽分开；以及P型金属氧化物半导体(PMOS)区中的第三鳍图案和第四鳍图案，第三鳍图案和第四鳍图案均与第一鳍图案和第二鳍图案中的相应鳍图案平行地沿第一方向纵向延伸，并且通过第二沟槽分开。第一隔离层和第二隔离层分别设置在第一沟槽和第二沟槽中。第一栅电极沿横切第一方向的第二方向纵向延伸，并与第一鳍图案相交。第二栅电极沿第二方向纵向延伸，并与第二鳍图案相交。间隔开的第三栅电极和第四栅电极在第二隔离层上沿第二方向纵向延伸。
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公开(公告)号：CN115621281A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202210807743.4
申请日：2022-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；第一有源图案和第二有源图案，位于衬底上，沿第一方向延伸，并沿第二方向间隔开；栅电极，位于第一有源图案和第二有源图案上并沿第二方向延伸；第一栅极分离结构，位于第一有源图案与第二有源图案之间，沿第一方向延伸，并分离栅电极；以及第一元件分离结构，位于栅电极之间，沿第二方向延伸，并分离第二有源图案，其中，距第一栅极分离结构的第一部分的第一边的距离小于距第一栅极分离结构的第二部分的第一边的距离，并且到第一部分的第二边的距离小于到第二部分的第二边的距离。
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公开(公告)号：CN107452802A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710368551.7
申请日：2017-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L29/41741 , H01L29/41758 , H01L29/42376 , H01L29/7827 , H01L29/7851 , H01L29/785
Abstract: 本发明如下提供了一种垂直场效应晶体管。衬底具有沿着平行于衬底的上表面的第一方向布置的下部漏极和下部源极。鳍片结构安置于衬底上，并且从衬底的上表面垂直地延伸。鳍片结构包含沿着第一方向布置的第一端部和第二端部。鳍片结构的第一端部的底部表面和鳍片结构的第二端部的底部表面分别与下部漏极和下部源极重叠。鳍片结构包含具有下部侧壁区域、中心侧壁区域和上部侧壁区域的侧壁。栅极电极围绕鳍片结构的中心侧壁区域。
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