公开(公告)号：CN115621281A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202210807743.4

申请日：2022-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高明东 ,  千健龙 ,  金洞院 ,  金贤锡 ,  李尚炫 ,  李炯锡

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；第一有源图案和第二有源图案，位于衬底上，沿第一方向延伸，并沿第二方向间隔开；栅电极，位于第一有源图案和第二有源图案上并沿第二方向延伸；第一栅极分离结构，位于第一有源图案与第二有源图案之间，沿第一方向延伸，并分离栅电极；以及第一元件分离结构，位于栅电极之间，沿第二方向延伸，并分离第二有源图案，其中，距第一栅极分离结构的第一部分的第一边的距离小于距第一栅极分离结构的第二部分的第一边的距离，并且到第一部分的第二边的距离小于到第二部分的第二边的距离。

公开(公告)号：CN115985914A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211252308.6

申请日：2022-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵信喆 ,  千健龙 ,  高明东 ,  朴容喜 ,  李尚炫 ,  金洞院 ,  申宇胜 ,  李炯锡

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  B82Y10/00

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括具有下图案和与下图案间隔开的片图案的有源图案、在下图案上并具有围绕每个片图案的栅电极和栅极绝缘膜的栅极结构、在栅极结构上的栅极覆盖图案、在栅极覆盖图案和栅极结构之间的栅极蚀刻停止图案、沿着栅极覆盖图案的侧壁的栅极间隔件、在栅极结构上的源极/漏极图案、穿过栅极覆盖图案并连接到栅电极的栅极接触件以及在源极/漏极图案上并连接到源极/漏极图案的源极/漏极接触件，栅极接触件的上表面和栅极间隔件的上表面共面。

公开(公告)号：CN114678356A

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202111408672.2

申请日：2021-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高明东 ,  申宇哲 ,  郑秀真

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8238 ,  B82Y40/00 ,  B82Y10/00

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底；有源图案，在衬底上沿第一方向延伸；第一纳米片和第二纳米片，堆叠在有源图案上以在竖直方向上彼此间隔开；栅电极，在有源图案上沿第二方向延伸，栅电极围绕第一纳米片和第二纳米片中的每一个；源极/漏极区域，在栅电极的至少一侧；以及内部间隔物，在栅电极和源极/漏极区域之间，内部间隔物包括在有源图案和第一纳米片之间的第一内部间隔物和在第一纳米片和第二纳米片之间的第二内部间隔物，第二内部间隔物具有与第一纳米片相邻的第一部分和与第二纳米片相邻的第二部分，第一部分比第二部分宽。