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公开(公告)号：CN110021668A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201811619564.8
申请日：2018-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体器件包括：多个栅电极，在衬底上交叉有源图案并沿第二方向延伸，所述多个栅电极在第一方向上彼此间隔开；栅极分隔图案，具有在第一方向上的长轴并且在所述多个栅电极中的两个栅电极之间，所述多个栅电极中的所述两个栅电极在第二方向上彼此相邻；以及多个栅极间隔物，覆盖所述多个栅电极中的相应栅电极的侧壁，栅极间隔物交叉栅极分隔图案并沿第二方向延伸。栅极分隔图案包括沿第一方向延伸的下部、从下部突出并具有第一宽度的中间部分、以及在两个相邻的栅极间隔物之间并从中间部分突出的上部，上部具有小于第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号：CN102820324A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210041323.6
申请日：2012-02-21
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/1606 , H01L29/513
Abstract: 本发明提供了具有多层栅极绝缘层的石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括在石墨烯沟道层与栅极电极之间的多层栅极绝缘层。该多层栅极绝缘层包括有机绝缘层和位于有机绝缘层上的无机绝缘层。有机绝缘层防止杂质被吸收到石墨烯沟道层中，因此石墨烯沟道层的固有特性被保持。
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公开(公告)号：CN111403387A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201910740640.9
申请日：2019-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/04 , H01L21/8238
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：第一半导体层，具有第一区域和第二区域；多个第一沟道层，在第一半导体层的第一区域上沿垂直方向彼此隔开；第一栅电极，围绕所述多个第一沟道层；多个第二沟道层，在第一半导体层的第二区域上沿垂直方向彼此隔开；以及第二栅电极，围绕所述多个第二沟道层，其中，所述多个第一沟道层中的每个具有第一晶向，并且所述多个第二沟道层中的每个具有不同于第一晶向的第二晶向，其中，所述多个第一沟道层中的每个的厚度不同于所述多个第二沟道层中的每个的厚度。
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公开(公告)号：CN102820324B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210041323.6
申请日：2012-02-21
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/1606 , H01L29/513
Abstract: 本发明提供了具有多层栅极绝缘层的石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括在石墨烯沟道层与栅极电极之间的多层栅极绝缘层。该多层栅极绝缘层包括有机绝缘层和位于有机绝缘层上的无机绝缘层。有机绝缘层防止杂质被吸收到石墨烯沟道层中，因此石墨烯沟道层的固有特性被保持。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114678356A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202111408672.2
申请日：2021-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/06 , H01L21/8238 , B82Y40/00 , B82Y10/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底；有源图案，在衬底上沿第一方向延伸；第一纳米片和第二纳米片，堆叠在有源图案上以在竖直方向上彼此间隔开；栅电极，在有源图案上沿第二方向延伸，栅电极围绕第一纳米片和第二纳米片中的每一个；源极/漏极区域，在栅电极的至少一侧；以及内部间隔物，在栅电极和源极/漏极区域之间，内部间隔物包括在有源图案和第一纳米片之间的第一内部间隔物和在第一纳米片和第二纳米片之间的第二内部间隔物，第二内部间隔物具有与第一纳米片相邻的第一部分和与第二纳米片相邻的第二部分，第一部分比第二部分宽。
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公开(公告)号：CN114678353A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202111268067.X
申请日：2021-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 一种集成电路器件包括：绝缘体上半导体(SOI)基板层，包括基底基板层、绝缘基板层和覆盖基板层；半导体基板层；多个第一鳍型有源区与多个第二鳍型有源区，所述多个第一鳍型有源区与所述多个第二鳍型有源区由多个沟槽限定，并分别在所述SOI基板层和所述半导体基板层上方在第一水平方向上延伸；多个纳米片堆叠结构，包括彼此平行延伸且与多个第一鳍型有源区和多个第二鳍型有源区的上表面间隔开的多个纳米片；多个第一源/漏区，延伸到SOI基板层中；以及多个第二源/漏区，延伸到半导体基板层中。第一源/漏区和第二源/漏区的下表面可以彼此不共面。
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公开(公告)号：CN111403387B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201910740640.9
申请日：2019-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/04 , H01L21/8238
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：第一半导体层，具有第一区域和第二区域；多个第一沟道层，在第一半导体层的第一区域上沿垂直方向彼此隔开；第一栅电极，围绕所述多个第一沟道层；多个第二沟道层，在第一半导体层的第二区域上沿垂直方向彼此隔开；以及第二栅电极，围绕所述多个第二沟道层，其中，所述多个第一沟道层中的每个具有第一晶向，并且所述多个第二沟道层中的每个具有不同于第一晶向的第二晶向，其中，所述多个第一沟道层中的每个的厚度不同于所述多个第二沟道层中的每个的厚度。
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公开(公告)号：CN113270483A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202011545324.5
申请日：2020-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/08 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L27/092 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括沟道、栅极结构和源极/漏极层。沟道在垂直方向上堆叠。每个沟道在第一方向上延伸。栅极结构在第二方向上延伸。栅极结构覆盖沟道。源极/漏极层在衬底上连接到沟道的在第一方向上的相反侧壁中的每个，并包括掺杂的半导体材料。源极/漏极层包括分别具有第一杂质浓度和第二杂质浓度的第一外延层和第二外延层。第一外延层覆盖第二外延层的下表面和在第一方向上的相反侧壁。栅极结构的在第一方向上的相反侧壁中的每个的一部分在第一方向上从沟道的在第一方向上的相反侧壁突出，以部分地贯穿第一外延层但不接触第二外延层。
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公开(公告)号：CN112310219A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010564186.9
申请日：2020-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L27/02
Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：基底，具有第一区域和第二区域；第一纳米线和第二纳米线，在第一区域中顺序地设置在基底上并且在第一方向上各自延伸；第三纳米线和第四纳米线，在第二区域中顺序地设置在基底上并且在第一方向上各自延伸；第一内间隔件，位于第一纳米线与第二纳米线之间，并且包括第一氢摩尔分数的氢；以及第二内间隔件，位于第三纳米线与第四纳米线之间，并且包括比第一氢摩尔分数大的第二氢摩尔分数的氢。
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