公开(公告)号：CN104424148B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201410446976.1

申请日：2014-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宇镛 ,  朴俊荣 ,  白升协 ,  柳允善

IPC: G06F13/38

Abstract: 提供了发送内容的方法及其电子设备。所述方法包括由电子设备接收与将发送的数据有关的输入，监视电子设备的状态，基于监视的至少部分结果确定是否发送数据，以及根据确定的结果发送数据。

公开(公告)号：CN117389943A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202310788837.6

申请日：2023-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜甫暻 ,  金起弘 ,  朴俊荣 ,  朴镇燮 ,  吴在根 ,  张英梓

IPC: G06F15/78 ,  G06F21/60

Abstract: 提供片上系统和包括片上系统的电子装置。片上系统包括主机中央处理器(CPU)和安全元件，其中，安全元件包括：主要装置，被配置为发送加密的数据；内部总线，被配置为发送加密的数据；多个次要装置，被配置为接收加密的数据；以及安全CPU，被配置为管理指示主要装置访问所述多个次要装置的授权的访问密钥，并且内部总线基于访问密钥从所述多个次要装置之中设置加密的数据将被发送到的次要装置，并且通过使用错误检测标签将加密的数据发送到设置的次要装置。

公开(公告)号：CN114678353A

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202111268067.X

申请日：2021-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹锡玄 ,  朴俊荣 ,  申宇哲 ,  李承勋

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 一种集成电路器件包括：绝缘体上半导体(SOI)基板层，包括基底基板层、绝缘基板层和覆盖基板层；半导体基板层；多个第一鳍型有源区与多个第二鳍型有源区，所述多个第一鳍型有源区与所述多个第二鳍型有源区由多个沟槽限定，并分别在所述SOI基板层和所述半导体基板层上方在第一水平方向上延伸；多个纳米片堆叠结构，包括彼此平行延伸且与多个第一鳍型有源区和多个第二鳍型有源区的上表面间隔开的多个纳米片；多个第一源/漏区，延伸到SOI基板层中；以及多个第二源/漏区，延伸到半导体基板层中。第一源/漏区和第二源/漏区的下表面可以彼此不共面。

公开(公告)号：CN104424148A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410446976.1

申请日：2014-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宇镛 ,  朴俊荣 ,  白升协 ,  柳允善

IPC: G06F13/38

CPC classification number: H04N17/002 ,  H04W52/0254 ,  Y02D70/142 ,  Y02D70/144 ,  Y02D70/164 ,  Y02D70/166 ,  Y02D70/168 ,  Y02D70/26

Abstract: 提供了发送内容的方法及其电子设备。所述方法包括由电子设备接收与将发送的数据有关的输入，监视电子设备的状态，基于监视的至少部分结果确定是否发送数据，以及根据确定的结果发送数据。