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公开(公告)号：CN115985914A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211252308.6
申请日：2022-10-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/78 , B82Y10/00
Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括具有下图案和与下图案间隔开的片图案的有源图案、在下图案上并具有围绕每个片图案的栅电极和栅极绝缘膜的栅极结构、在栅极结构上的栅极覆盖图案、在栅极覆盖图案和栅极结构之间的栅极蚀刻停止图案、沿着栅极覆盖图案的侧壁的栅极间隔件、在栅极结构上的源极/漏极图案、穿过栅极覆盖图案并连接到栅电极的栅极接触件以及在源极/漏极图案上并连接到源极/漏极图案的源极/漏极接触件，栅极接触件的上表面和栅极间隔件的上表面共面。
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公开(公告)号：CN103325736B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201310087395.9
申请日：2013-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1033 , H01L21/02107 , H01L21/302 , H01L21/3086 , H01L21/823821 , H01L27/0924 , H01L29/0649 , H01L29/66477 , H01L29/66818 , H01L29/785
Abstract: 提供了具有不同鳍宽的鳍式场效应晶体管的制作方法。该方法包括：准备具有第一区域和第二区域的衬底；在第一区域和第二区域上形成鳍部，每个鳍部从所述衬底上突出且具有第一宽度；形成第一掩模图案，以暴露第一区域上的鳍部并覆盖第二区域上的鳍部；以及改变第一区域上的鳍部的宽度。
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公开(公告)号：CN106252417A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610833928.7
申请日：2013-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/308 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1033 , H01L21/02107 , H01L21/302 , H01L21/3086 , H01L21/823821 , H01L27/0924 , H01L29/0649 , H01L29/66477 , H01L29/66818 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供了一种具有不同鳍宽的半导体器件。半导体器件，包括：衬底，其包括第一区域和第二区域；第一鳍部，其布置在第一区域上并且从衬底的顶表面突出；第二鳍部，其布置在第二区域上并且从衬底的顶表面突出；第一隔离件，其接触第一鳍部；以及第二隔离件，其接触第二鳍部。第一鳍部的上部从第一隔离件突出，第二鳍部的上部从第二隔离件突出，N型晶体管位于第一区域中，P型晶体管位于第二区域中，并且第一鳍部的上部的宽度不同于第二鳍部的上部的宽度。
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公开(公告)号：CN103325736A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310087395.9
申请日：2013-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1033 , H01L21/02107 , H01L21/302 , H01L21/3086 , H01L21/823821 , H01L27/0924 , H01L29/0649 , H01L29/66477 , H01L29/66818 , H01L29/785
Abstract: 提供了具有不同鳍宽的鳍式场效应晶体管的制作方法。该方法包括：准备具有第一区域和第二区域的衬底；在第一区域和第二区域上形成鳍部，每个鳍部从所述衬底上突出且具有第一宽度；形成第一掩模图案，以暴露第一区域上的鳍部并覆盖第二区域上的鳍部；以及改变第一区域上的鳍部的宽度。
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