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公开(公告)号：CN118472005A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202311151541.X
申请日：2023-09-07
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L29/06 , H01L27/088 , H01L21/8234 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 提供了半导体器件。所述半导体器件包括：有源图案，所述有源图案包括下图案和在所述下图案上彼此间隔开的多个片状图案；栅极结构，所述栅极结构定位在所述下图案上并且围绕所述片状图案；源极/漏极图案，所述源极/漏极图案定位在所述栅极结构的两侧；以及堆叠图案，所述堆叠图案定位在所述源极/漏极图案与所述片状图案之间，其中，所述堆叠图案包括：第一堆叠图案和第二堆叠图案，所述第一堆叠图案和所述第二堆叠图案顺序地堆叠在片状图案的侧表面上，所述第二堆叠图案包括与所述第一堆叠图案的材料不同的材料，并且所述片状图案的第一宽度小于所述栅极结构的第二宽度。
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公开(公告)号：CN116613162A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310099129.1
申请日：2023-02-08
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/092 , H01L21/8238
摘要： 公开了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：包括第一区域和第二区域的衬底；在衬底中的器件隔离图案；在衬底的第一区域上的下分离电介质图案；在下分离电介质图案上的第一沟道图案；第一栅电极，在第一沟道图案上，并包括在下分离电介质图案和最下面的第一沟道图案之间的第一栅极部分；以及第一源极/漏极图案，在第一栅电极的相反侧并与第一沟道图案的侧表面接触。下分离电介质图案的底表面在高于或等于器件隔离图案的底表面的水平的水平。下分离电介质图案的顶端在比第一栅极部分的底表面的水平高的水平。
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公开(公告)号：CN107452802A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710368551.7
申请日：2017-05-23
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/0847 , H01L29/41741 , H01L29/41758 , H01L29/42376 , H01L29/7827 , H01L29/7851 , H01L29/785
摘要： 本发明如下提供了一种垂直场效应晶体管。衬底具有沿着平行于衬底的上表面的第一方向布置的下部漏极和下部源极。鳍片结构安置于衬底上，并且从衬底的上表面垂直地延伸。鳍片结构包含沿着第一方向布置的第一端部和第二端部。鳍片结构的第一端部的底部表面和鳍片结构的第二端部的底部表面分别与下部漏极和下部源极重叠。鳍片结构包含具有下部侧壁区域、中心侧壁区域和上部侧壁区域的侧壁。栅极电极围绕鳍片结构的中心侧壁区域。
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公开(公告)号：CN114551443A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111249646.X
申请日：2021-10-26
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/088 , H01L21/8234
摘要： 一种集成电路器件包括：鳍型有源区，设置在衬底上并且沿第一水平方向延伸；栅极线，设置在所述鳍型有源区上并且沿与所述第一水平方向相交的第二水平方向延伸，所述栅极线包括连接突出部分和主栅极部分，所述连接突出部分包括处于距所述衬底的第一垂直高度处的突出顶表面，所述主栅极部分包括自所述连接突出部分起沿所述第二水平方向延伸的凹陷顶表面，所述凹陷顶表面处于低于所述第一垂直高度的第二垂直高度处；栅极接触，设置在所述栅极线上并且连接到所述连接突出部分；源极/漏极区，设置在所述鳍型有源区上并且与所述栅极线相邻设置；和源极/漏极接触，设置在所述源极/漏极区上。
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公开(公告)号：CN107452802B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201710368551.7
申请日：2017-05-23
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L29/78
摘要： 本发明如下提供了一种垂直场效应晶体管。衬底具有沿着平行于衬底的上表面的第一方向布置的下部漏极和下部源极。鳍片结构安置于衬底上，并且从衬底的上表面垂直地延伸。鳍片结构包含沿着第一方向布置的第一端部和第二端部。鳍片结构的第一端部的底部表面和鳍片结构的第二端部的底部表面分别与下部漏极和下部源极重叠。鳍片结构包含具有下部侧壁区域、中心侧壁区域和上部侧壁区域的侧壁。栅极电极围绕鳍片结构的中心侧壁区域。
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公开(公告)号：CN116504785A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202211280701.6
申请日：2022-10-19
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/092 , H01L29/78 , H01L21/8238
摘要： 一种半导体装置包括：衬底，其包括有源图案；沟道图案，其位于有源图案上并且包括竖直地堆叠并且彼此间隔开的半导体图案；源极/漏极图案，其连接到半导体图案；栅电极，其位于半导体图案上并且在第一方向上延伸；以及栅极绝缘层，其位于半导体图案与栅电极之间。半导体图案中的第一半导体图案包括在第一方向上的相对的侧表面、以及底表面和顶表面。栅极绝缘层覆盖相对的侧表面以及底表面和顶表面，并且包括位于第一半导体图案的相对的侧表面中的一个上的第一区域以及位于第一半导体图案的顶表面和底表面中的一个上的第二区域，并且第一区域的厚度可以大于第二区域的厚度。
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公开(公告)号：CN108987477A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810509771.1
申请日：2018-05-24
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 可以提供一种垂直隧穿场效应晶体管(VTFET)及其方法，所述VTFET包括：从包括源极/漏极区域的衬底突出的鳍结构；所述鳍结构上的外延生长的源极/漏极结构；包括柱部的帽，所述柱部覆盖所述外延生长的源极/漏极结构的侧表面并且部分覆盖所述鳍结构的上部的侧表面；栅极绝缘体，所述栅极绝缘体覆盖所述帽的所述柱部下方的所述鳍结构的侧表面的剩余部分；所述栅极绝缘体上的功函数金属栅极；以及分离图案，所述分离图案围绕鳍结构的下部使得所述功函数金属栅极垂直地位于所述帽与所述分离图案之间，所述分离图案将所述功函数金属栅极与所述源极/漏极区域电隔离。
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公开(公告)号：CN103793323B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201310502738.3
申请日：2013-10-23
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G06F11/36
CPC分类号： G06F11/3672 , G06F11/3684 , G06F11/3688 , H04N17/004 , H04N21/43635 , H04N21/4424 , H04N21/443
摘要： 一种嵌入式软件的自动测试装置及其自动测试方法，所述嵌入式软件的自动测试装置包括：输出检测器，根据来自分别加载有第一和第二嵌入式软件的第一和第二电子设备中的至少一个的数据发送/接收以及其间的数据交换，收集接口状态信息，并从所收集的接口状态信息中提取关键字；情景构成器，使用关于第一和第二嵌入式软件的识别信息和所提取的关键字，并且构成与预定事件状态相对应的情景；以及控制命令产生器，基于所构成的情景产生用于再现事件状态的控制命令。因此，能够预先检测在多个嵌入式软件的交互中、发送和接收数据的交互操作中等会发生的不可预见问题和可预见问题，并对其进行再现。
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