公开(公告)号：CN116504785A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202211280701.6

申请日：2022-10-19

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金胜圭 ,  朴容喜 ,  申东官 ,  金大新 ,  金相溶 ,  柳主馨

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238

摘要： 一种半导体装置包括：衬底，其包括有源图案；沟道图案，其位于有源图案上并且包括竖直地堆叠并且彼此间隔开的半导体图案；源极/漏极图案，其连接到半导体图案；栅电极，其位于半导体图案上并且在第一方向上延伸；以及栅极绝缘层，其位于半导体图案与栅电极之间。半导体图案中的第一半导体图案包括在第一方向上的相对的侧表面、以及底表面和顶表面。栅极绝缘层覆盖相对的侧表面以及底表面和顶表面，并且包括位于第一半导体图案的相对的侧表面中的一个上的第一区域以及位于第一半导体图案的顶表面和底表面中的一个上的第二区域，并且第一区域的厚度可以大于第二区域的厚度。

公开(公告)号：CN118472005A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202311151541.X

申请日：2023-09-07

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李兴淳 ,  朴容喜 ,  申东官 ,  金锡勋 ,  金胜圭 ,  梁洪铣

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 提供了半导体器件。所述半导体器件包括：有源图案，所述有源图案包括下图案和在所述下图案上彼此间隔开的多个片状图案；栅极结构，所述栅极结构定位在所述下图案上并且围绕所述片状图案；源极/漏极图案，所述源极/漏极图案定位在所述栅极结构的两侧；以及堆叠图案，所述堆叠图案定位在所述源极/漏极图案与所述片状图案之间，其中，所述堆叠图案包括：第一堆叠图案和第二堆叠图案，所述第一堆叠图案和所述第二堆叠图案顺序地堆叠在片状图案的侧表面上，所述第二堆叠图案包括与所述第一堆叠图案的材料不同的材料，并且所述片状图案的第一宽度小于所述栅极结构的第二宽度。