公开(公告)号：CN117594597A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310665406.0

申请日：2023-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹锡玄 ,  李敎旭 ,  李承勳 ,  朴乘汉

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/02

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一单元区域和第二单元区域；基底，包括第一表面和第二表面；第一有源图案至第三有源图案，在第一单元区域中沿第一水平方向延伸，第一有源图案至第三有源图案沿第二水平方向彼此间隔开；第四有源图案，在第二单元区域中沿第一水平方向延伸，第四有源图案沿第一水平方向与第二有源图案对准；有源切口，将第二有源图案和第四有源图案分离；源极/漏极区域，在第二有源图案上；掩埋轨道，在基底的第二表面上沿第一水平方向延伸，掩埋轨道在竖直方向上与第二有源图案和第四有源图案中的每个叠置；以及源极/漏极接触件，穿透基底和第二有源图案并将源极/漏极区域连接到掩埋轨道。

公开(公告)号：CN107452802A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710368551.7

申请日：2017-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明吉 ,  朴乘汉 ,  朴容喜 ,  白尚训 ,  李相遇 ,  千健龙 ,  黄成万

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明如下提供了一种垂直场效应晶体管。衬底具有沿着平行于衬底的上表面的第一方向布置的下部漏极和下部源极。鳍片结构安置于衬底上，并且从衬底的上表面垂直地延伸。鳍片结构包含沿着第一方向布置的第一端部和第二端部。鳍片结构的第一端部的底部表面和鳍片结构的第二端部的底部表面分别与下部漏极和下部源极重叠。鳍片结构包含具有下部侧壁区域、中心侧壁区域和上部侧壁区域的侧壁。栅极电极围绕鳍片结构的中心侧壁区域。

公开(公告)号：CN1323437C

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200410095154.X

申请日：2004-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴乘汉 ,  李基永

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/525 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5256 ,  H01L27/0805 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在一种半导体器件及其制造方法中，在具有熔丝区域和电容器区域的半导体衬底上以相同的平面形成熔丝和电容器。熔丝位于熔丝区域上，且下极板位于电容器区域上。下极板与熔丝位于相同平面上。此外，上极板位于下极板之上，且罩层插入在下极板和上极板之间。因此，可以同时形成熔丝和电容器，由此使光刻和蚀刻工艺步骤最少。

公开(公告)号：CN1617341A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200410095154.X

申请日：2004-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴乘汉 ,  李基永

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/525 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5256 ,  H01L27/0805 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在一种半导体器件及其制造方法中，在具有熔丝区域和电容器区域的半导体衬底上以相同的平面形成熔丝和电容器。熔丝位于熔丝区域上，且下极板位于电容器区域上。下极板与熔丝位于相同平面上。此外，上极板位于下极板之上，且罩层插入在下极板和上极板之间。因此，可以同时形成熔丝和电容器，由此使光刻和蚀刻工艺步骤最少。

公开(公告)号：CN107452802B

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN201710368551.7

申请日：2017-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明吉 ,  朴乘汉 ,  朴容喜 ,  白尚训 ,  李相遇 ,  千健龙 ,  黄成万

IPC: H01L29/78

Abstract: 本发明如下提供了一种垂直场效应晶体管。衬底具有沿着平行于衬底的上表面的第一方向布置的下部漏极和下部源极。鳍片结构安置于衬底上，并且从衬底的上表面垂直地延伸。鳍片结构包含沿着第一方向布置的第一端部和第二端部。鳍片结构的第一端部的底部表面和鳍片结构的第二端部的底部表面分别与下部漏极和下部源极重叠。鳍片结构包含具有下部侧壁区域、中心侧壁区域和上部侧壁区域的侧壁。栅极电极围绕鳍片结构的中心侧壁区域。

公开(公告)号：CN110689911A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201910520336.3

申请日：2019-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵槿汇 ,  朴乘汉 ,  金孝真 ,  安国一

IPC: G11C11/22 ,  H01L27/11 ,  H01L27/108

Abstract: 半导体存储器设备包括：存储器单元阵列，包括存储器单元；行解码器，其通过第一导线连接到存储器单元阵列；写入驱动器和读出放大器，其通过第二导线连接到存储器单元阵列；电压发生器，用于向行解码器供应第一电压，并向写入驱动器和读出放大器供应第二电压；和数据缓冲器，其连接到写入驱动器和读出放大器，并且在写入驱动器和读出放大器与外部设备之间传输数据。行解码器、写入驱动器和读出放大器、电压发生器和数据缓冲器中的至少一个包括用于放大电压的第一铁电电容器。

公开(公告)号：CN110689911B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN201910520336.3

申请日：2019-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵槿汇 ,  朴乘汉 ,  金孝真 ,  安国一

IPC: G11C11/22 ,  H10B10/00 ,  H10B12/00

Abstract: 半导体存储器设备包括：存储器单元阵列，包括存储器单元；行解码器，其通过第一导线连接到存储器单元阵列；写入驱动器和读出放大器，其通过第二导线连接到存储器单元阵列；电压发生器，用于向行解码器供应第一电压，并向写入驱动器和读出放大器供应第二电压；和数据缓冲器，其连接到写入驱动器和读出放大器，并且在写入驱动器和读出放大器与外部设备之间传输数据。行解码器、写入驱动器和读出放大器、电压发生器和数据缓冲器中的至少一个包括用于放大电压的第一铁电电容器。

公开(公告)号：CN114068559A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110869424.1

申请日：2021-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李仁学 ,  李承勋 ,  白尚叶 ,  朴乘汉 ,  李慧珍

IPC: H01L27/11 ,  H01L27/02 ,  G11C5/06

Abstract: 一种包括存储单元的集成电路包括：第一布线层，其上形成第一位线图案和正电源图案、第一电源线落着焊盘和第一字线落着焊盘；第二布线层，其上形成连接到第一电源线落着焊盘的第一负电源图案和连接到第一字线落着焊盘的第一字线图案；第三布线层，其上形成连接到第一负电源图案的第二负电源图案和连接到第一字线图案的第二字线落着焊盘；以及第四布线层，其上形成连接到第二字线落着焊盘的第二字线图案。