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公开(公告)号：CN116230043A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211503949.4
申请日：2022-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C8/08 , G11C16/24 , G11C11/419
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括第一存储单元、在第一方向上与第一存储单元相邻的第二存储单元、以及在第二方向上与第一存储单元和第二存储单元相邻的比较器电路；真位线和互补位线，与第一存储单元和第二存储单元电连接并且从衬底上的第一布线层在第一方向上延伸；第一电源布线，位于第一布线层上，在真位线与互补位线之间在第一方向上延伸，并且与第一存储单元和第二存储单元电连接；第一字线和第二字线，从衬底上的第二布线层在第二方向上延伸；第一字线焊盘，位于第一布线层上，并且将第一存储单元与第一字线电连接；第二字线焊盘，位于第一布线层上，并且将第二存储单元与第二字线电连接；以及第一接地焊盘，位于第一布线层上。
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公开(公告)号：CN109493896A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201810929992.4
申请日：2018-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C8/08 , G11C8/14 , G11C11/418
Abstract: 本发明提供了包括辅助电路的电压控制电路和包括所述电压控制电路的存储器装置。所述存储器装置包括：易失性存储器单元阵列，其连接到多个字线并且包括存储器单元，所述存储器单元包括至少一个晶体管；以及辅助电路，其连接到所述多个字线中的至少一个并调整所述多个字线中的每个的驱动电压电平，其中，所述辅助电路包括二极管NMOS晶体管，所述NMOS晶体管具有彼此连接的栅极和漏极。
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公开(公告)号：CN109427390A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810899680.3
申请日：2018-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/419
CPC classification number: G11C11/419 , G11C7/12 , G11C7/14 , G11C7/18 , G11C11/4085 , G11C11/4097 , H01L27/1104
Abstract: 一种存储器件包括存储单元、连接到存储单元的字线、连接到存储单元的位线、连接到存储单元的互补位线、辅助位线、辅助互补位线以及开关电路。存储单元存储单个比特。开关电路响应于要在写操作期间写入储存单元中的数据比特的逻辑电平，通过使用至少一个虚设单元的至少一个或多个晶体管作为开关，将位线和互补位线中的一个电连接到辅助位线和辅助互补位线中的一个，并且至少一个虚设单元不存储数据比特。
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公开(公告)号：CN108694975A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810311688.3
申请日：2018-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/419 , G11C11/412
CPC classification number: G11C7/1096 , G11C5/14 , G11C5/148 , G11C7/1006 , G11C7/12 , G11C8/08 , G11C8/16 , G11C11/4096 , G11C11/412 , G11C11/419
Abstract: 一种存储器件包括：第一写入辅助电路，向与第一位线对连接的第一存储单元提供单元电压或写入辅助电压；第一写入驱动器，通过所述第一位线对向所述第一存储单元提供写入数据；第二写入辅助电路，向与第二位线对连接的第二存储单元提供所述单元电压或所述写入辅助电压；以及第二写入驱动器，通过所述第二位线对向所述第二存储单元提供写入数据。所述第一写入辅助电路和所述第二写入辅助电路中的一个响应于列选择信号来提供所述写入辅助电压，并且所述第一写入辅助电路和所述第二写入辅助电路中的另一个响应于所述列选择信号来提供所述单元电压，其中，所述列选择信号用于从所述第一写入驱动器和所述第二写入驱动器当中选择一个提供写入数据的写入驱动器。
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公开(公告)号：CN114898791B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202210610664.4
申请日：2017-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/418 , G11C11/413 , G11C7/08 , G11C11/419 , H01L23/528 , H01L27/02 , H01L27/092 , H10B10/00
Abstract: 一种半导体设备，包括：第一有源区域和第二有源区域，其沿第一方向延伸，所述第一有源区域和第二有源区域被设置在基底中；第一栅电极，其沿垂直于第一方向的第二方向延伸，其中，所述第一栅电极在第一有源区域和第二有源区域上连续延伸；第二栅电极，其在第一有源区域上沿第二方向延伸；第三栅电极，其在第一有源区域和第二有源区域上沿第二方向延伸；第一触点，其被设置在第一栅电极的第一侧处的第一有源区域上；第二触点，其被设置在第二栅电极的第二侧处的第一有源区域上；第三触点，其被设置在第一栅电极上；第四触点，其被设置在第二栅电极上；第一导线，其经由第三触点连接到第一栅电极；和第二导线，其与第一触点的部分、第二触点的部分和第四触点的部分重叠，其中，第一电压被提供给第二导线，其中，第二导线的至少一部分沿第一方向延伸，以及第二导线的至少一部分在平面图上与第二栅电极相交。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108154896B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201711273558.7
申请日：2017-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/419
Abstract: 本申请公开了一种静态随机存取存储器装置，包括：排列成行和列的多个存储器单元；写入驱动器，其配置为在写入操作中将对应于写入数据的位线电压施加至在所述多个存储器单元的列方向上延伸的位线；以及子电力线，其配置为在写入操作中将单元驱动电压传输至所述多个存储器单元，在平行于所述位线的方向上延伸，并包括第一节点和第二节点。将所述单元驱动电压施加至所述子电力线的第一节点，并且所述子电力线的第一节点与所述写入驱动器的输出节点在所述多个存储器单元的行方向上对齐。
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公开(公告)号：CN109841245A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811432274.2
申请日：2018-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/419
Abstract: 一种存储设备，包括存储单元阵列和外围电路。所述存储单元阵列接收第一电源电压并包括基于所述第一电源电压存储数据的多个位单元。所述外围电路接收第二电源电压，并基于第二电源电压控制存储单元阵列。所述外围电路包括电压生成电路，其接收第一电源电压和第二电源电压。所述电压生成电路在对多个位单元的存储器操作期间，直接或间接地基于第一电源电压和第二电源电压之间的差，自适应地调节字线驱动电压，以及将调节的字线驱动电压施加到与从所述多个位单元中选择的第一位单元耦接的第一字线。
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公开(公告)号：CN108154896A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711273558.7
申请日：2017-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/419
CPC classification number: G11C11/419 , G11C5/063 , G11C5/14 , G11C5/147 , G11C7/1096 , G11C11/412 , H01L27/1104 , H01L29/785
Abstract: 本申请公开了一种静态随机存取存储器装置，包括：排列成行和列的多个存储器单元；写入驱动器，其配置为在写入操作中将对应于写入数据的位线电压施加至在所述多个存储器单元的列方向上延伸的位线；以及子电力线，其配置为在写入操作中将单元驱动电压传输至所述多个存储器单元，在平行于所述位线的方向上延伸，并包括第一节点和第二节点。将所述单元驱动电压施加至所述子电力线的第一节点，并且所述子电力线的第一节点与所述写入驱动器的输出节点在所述多个存储器单元的行方向上对齐。
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公开(公告)号：CN108122917B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201711120948.0
申请日：2017-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李仁学
IPC: H10B20/20
Abstract: 一种半导体器件包括：基板，具有第一有源区；第一栅电极和第二栅电极，设置在第一有源区上；第一杂质区域、第二杂质区域和第三杂质区域，设置在第一有源区中；第一有源接触、第二有源接触和第三有源接触，分别设置在第一杂质区域、第二杂质区域和第三杂质区域上并且分别连接到第一杂质区域、第二杂质区域和第三杂质区域；第一电源线，通过第一有源接触电连接到第一杂质区域；以及第一位线，通过第二有源接触和第三有源接触电连接到第二杂质区域和第三杂质区域。第一栅电极以及第一杂质区域和第二杂质区域形成第一存储器单元的第一晶体管。第二栅电极以及第二杂质区域和第三杂质区域形成第二存储器单元的第二晶体管。第二杂质区域是第一存储器单元的第一晶体管和第二存储器单元的第二晶体管的漏极。
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公开(公告)号：CN116417042A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202211449532.4
申请日：2022-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/419 , G11C11/408 , G11C11/4094 , G11C11/4097
Abstract: 一种存储器件包括：位单元阵列，所述位单元阵列包括与被供应单元电源电压的第一辅助线路连接的多个位单元；写入驱动器，所述写入驱动器被配置为在写入操作期间向在所述位单元阵列的列方向上延伸的位线施加与写入数据相对应的位线电压；以及写入辅助电路，所述写入辅助电路与所述第一辅助线路和与所述第一辅助线路平行地延伸的第二辅助线路连接，并且被配置为在写入操作期间降低与所述写入驱动器间隔开的第一位单元的单元电源电压，其中，通过所述第二辅助线路向所述第一辅助线路供应所述单元电源电压，并且通过所述第一辅助线路向所述第一位单元和与所述写入驱动器相邻的第二位单元顺序地感应所述单元电源电压。
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