公开(公告)号：CN1297010C

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN03128594.5

申请日：2003-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相勋 ,  李基永

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76832 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明公开了一种有模拟电容器的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括形成在半导体衬底预定区的底板电极，以及其上的具有由底板电极重叠的区域的上板电极。用金属化合物形成上和底板电极。电容器介电层夹在底和上板电极之间。底和上电极插塞通过层间介电层连接到底和上板电极。按本发明方法，在半导体衬底预定区形成底板电极。形成上板电极以具有由底板电极重叠的区域，并形成夹在底和上板电极之间的电容器介电层。在形成有上板电极的半导体衬底的整个表面形成层间介电层。形成通过层间介电层连接到底和上板电极的底和上电极插塞。用金属化合物形成底和上板电极。

公开(公告)号：CN1323437C

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200410095154.X

申请日：2004-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴乘汉 ,  李基永

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/525 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5256 ,  H01L27/0805 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在一种半导体器件及其制造方法中，在具有熔丝区域和电容器区域的半导体衬底上以相同的平面形成熔丝和电容器。熔丝位于熔丝区域上，且下极板位于电容器区域上。下极板与熔丝位于相同平面上。此外，上极板位于下极板之上，且罩层插入在下极板和上极板之间。因此，可以同时形成熔丝和电容器，由此使光刻和蚀刻工艺步骤最少。

公开(公告)号：CN1617341A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200410095154.X

申请日：2004-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴乘汉 ,  李基永

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/525 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5256 ,  H01L27/0805 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在一种半导体器件及其制造方法中，在具有熔丝区域和电容器区域的半导体衬底上以相同的平面形成熔丝和电容器。熔丝位于熔丝区域上，且下极板位于电容器区域上。下极板与熔丝位于相同平面上。此外，上极板位于下极板之上，且罩层插入在下极板和上极板之间。因此，可以同时形成熔丝和电容器，由此使光刻和蚀刻工艺步骤最少。

公开(公告)号：CN1453875A

公开(公告)日：2003-11-05

申请号：CN03128594.5

申请日：2003-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相勋 ,  李基永

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76832 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明公开了一种有模拟电容器的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括形成在半导体衬底预定区的底板电极，以及其上的具有由底板电极重叠的区域的上板电极。用金属化合物形成上和底板电极。电容器介电层夹在底和上板电极之间。底和上电极插塞通过层间介电层连接到底和上板电极。按本发明方法，在半导体衬底预定区形成底板电极。形成上板电极以具有由底板电极重叠的区域，并形成夹在底和上板电极之间的电容器介电层。在形成有上板电极的半导体衬底的整个表面形成层间介电层。形成通过层间介电层连接到底和上板电极的底和上电极插塞。用金属化合物形成底和上板电极。