公开(公告)号：CN110689911A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201910520336.3

申请日：2019-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵槿汇 ,  朴乘汉 ,  金孝真 ,  安国一

IPC: G11C11/22 ,  H01L27/11 ,  H01L27/108

Abstract: 半导体存储器设备包括：存储器单元阵列，包括存储器单元；行解码器，其通过第一导线连接到存储器单元阵列；写入驱动器和读出放大器，其通过第二导线连接到存储器单元阵列；电压发生器，用于向行解码器供应第一电压，并向写入驱动器和读出放大器供应第二电压；和数据缓冲器，其连接到写入驱动器和读出放大器，并且在写入驱动器和读出放大器与外部设备之间传输数据。行解码器、写入驱动器和读出放大器、电压发生器和数据缓冲器中的至少一个包括用于放大电压的第一铁电电容器。

公开(公告)号：CN110690217A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201910603188.1

申请日：2019-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河承锡 ,  安国一 ,  赵槿汇 ,  金成玟

IPC: H01L27/092

Abstract: 提供了半导体器件和形成该半导体器件的方法。该半导体器件可以包括衬底、在衬底上彼此相邻的成对半导体图案、在该成对半导体图案上的栅电极、连接到该成对半导体图案的源极/漏极图案、以及在该成对半导体图案的表面上的铁电图案。该成对半导体图案的所述表面可以彼此面对，并且铁电图案可以限定该成对半导体图案之间的第一空间。栅电极可以包括在第一空间中的功函数金属图案。

公开(公告)号：CN110690289B

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN201910608974.0

申请日：2019-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安国一 ,  赵槿汇 ,  金成玟 ,  朴允文

IPC: H10D30/60 ,  H10D64/27

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，该衬底包括第一区域和第二区域；第一界面层，该第一界面层设置在第一区域中的衬底上并具有第一厚度；第二界面层，该第二界面层设置在第二区域中的衬底上，其中第二界面层包括小于第一厚度的第二厚度；第一栅绝缘层，该第一栅绝缘层设置在第一界面层上并包括第一铁电材料层；第二栅绝缘层，该第二栅绝缘层设置在第二界面层上；第一栅电极，该第一栅电极设置在第一栅绝缘层上；以及第二栅电极，该第二栅电极设置在第二栅绝缘层上。

公开(公告)号：CN110690289A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201910608974.0

申请日：2019-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安国一 ,  赵槿汇 ,  金成玟 ,  朴允文

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，该衬底包括第一区域和第二区域；第一界面层，该第一界面层设置在第一区域中的衬底上并具有第一厚度；第二界面层，该第二界面层设置在第二区域中的衬底上，其中第二界面层包括小于第一厚度的第二厚度；第一栅绝缘层，该第一栅绝缘层设置在第一界面层上并包括第一铁电材料层；第二栅绝缘层，该第二栅绝缘层设置在第二界面层上；第一栅电极，该第一栅电极设置在第一栅绝缘层上；以及第二栅电极，该第二栅电极设置在第二栅绝缘层上。

公开(公告)号：CN110689911B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN201910520336.3

申请日：2019-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵槿汇 ,  朴乘汉 ,  金孝真 ,  安国一

IPC: G11C11/22 ,  H10B10/00 ,  H10B12/00

Abstract: 半导体存储器设备包括：存储器单元阵列，包括存储器单元；行解码器，其通过第一导线连接到存储器单元阵列；写入驱动器和读出放大器，其通过第二导线连接到存储器单元阵列；电压发生器，用于向行解码器供应第一电压，并向写入驱动器和读出放大器供应第二电压；和数据缓冲器，其连接到写入驱动器和读出放大器，并且在写入驱动器和读出放大器与外部设备之间传输数据。行解码器、写入驱动器和读出放大器、电压发生器和数据缓冲器中的至少一个包括用于放大电压的第一铁电电容器。

公开(公告)号：CN110690217B

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN201910603188.1

申请日：2019-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河承锡 ,  安国一 ,  赵槿汇 ,  金成玟

IPC: H01L27/092

公开(公告)号：CN110828568A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910515825.X

申请日：2019-06-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河承锡 ,  宋炫昇 ,  金孝珍 ,  朴敬美 ,  安国一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开提供了具有栅极隔离层的半导体器件。一种半导体器件包括：具有第一区和第二区的衬底；第一有源鳍，其在第一区中在第一方向上延伸；第二有源鳍，其在第二区中在第一方向上延伸；第一场绝缘层，其位于第一有源鳍之间，并且在第二方向上延伸；第二场绝缘层，其位于第二有源鳍之间，并且在第二方向上延伸；栅极线，其在第二场绝缘层上在第二方向上延伸，栅极线与第一场绝缘层一起直线地布置；栅极隔离层，其位于第一场绝缘层与栅极线之间；以及栅极间隔件，其在第二方向上延伸，栅极间隔件与第一场绝缘层、栅极线和栅极隔离层中的每一个的两个侧壁接触。

公开(公告)号：CN110690288A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201910605331.0

申请日：2019-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安国一 ,  赵槿汇 ,  河大元 ,  河承锡

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 一种半导体器件包括衬底、衬底上的栅极结构和栅极结构上的第一导电连接组。栅极结构包括栅极间隔件和栅电极。第一导电连接组包括铁电材料层。铁电材料层的至少一部分设置在栅极间隔件的上表面之上。