公开(公告)号：CN120035211A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202411189852.X

申请日：2024-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴敬美 ,  金孝珍 ,  黄东勋 ,  杨永镇 ,  赵敬熙

IPC: H10D84/83

Abstract: 一种半导体装置包括：第一下图案，沿第一方向延伸并包括沿第二方向相对的第一和第二侧壁及沿第三方向相对的上表面和下表面；沟道分离结构，沿第一方向延伸并接触第一下图案的第一侧壁；场绝缘膜，接触第一下图案的第二侧壁；第一沟道图案，在第一下图案的上表面上并包括沿第三方向彼此间隔开且接触沟道分离结构的第一片状图案；第一源极/漏极图案，接触第一沟道图案和沟道分离结构；接触阻挡图案，在第一源极/漏极图案上且由绝缘材料形成并具有与沟道分离结构的上表面处于同一平面的上表面；第一背侧源极/漏极接触件，在第一下图案内并连接到第一源极/漏极图案；以及背侧布线，在第一下图案的下表面上并连接到第一背侧源极/漏极接触件。

公开(公告)号：CN119545895A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411137423.8

申请日：2024-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 杨永镇 ,  朴奎南 ,  全在镐 ,  朴敬美

IPC: H10D84/83

Abstract: 一种半导体器件包括：绝缘基体层；多个半导体图案，其堆叠在所述绝缘基体层上并且彼此间隔开；栅极结构，其围绕所述多个半导体图案；第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案，其设置在所述绝缘基体层上并且分别连接到所述多个半导体图案的两个侧表面；接触结构，其通过所述绝缘基体层连接到所述第一源极/漏极图案；侧壁绝缘膜，其设置在所述接触结构的上部与所述绝缘基体层的上部之间并且延伸到所述栅极结构的位于所述多个半导体图案当中的最下面的半导体图案下方的部分的区域上；以及电力传输线，其设置在所述绝缘基体层的下表面上并且连接到所述接触结构。