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公开(公告)号：CN118693090A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410311132.X
申请日：2024-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092
Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置包括：基底；有源区域，从基底的上表面突出并且沿第一水平方向延伸；多个纳米片堆叠件，在有源区域上；多条栅极线，在有源区域上沿与第一水平方向相交的第二水平方向延伸，并且围绕所述多个纳米片堆叠件；以及第一绝缘图案，在有源区域上在所述多个纳米片堆叠件之中的在第一水平方向上邻近的两个纳米片堆叠件之间，并且沿与第一水平方向和第二水平方向垂直的垂直方向延伸，其中，第一绝缘图案与所述多个纳米片堆叠件接触。
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公开(公告)号：CN118943143A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202311726035.9
申请日：2023-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括由沟槽限定的有源图案；器件隔离层，在沟槽中；第一源/漏图案和第二源/漏图案，在有源图案上；分隔壁，在第一源/漏图案和第二源/漏图案之间；挡板结构和栅极切割图案，在器件隔离层上；以及栅极间隔物，在栅极切割图案的侧表面上。第一源/漏图案在分隔壁和挡板结构之间的凹陷中，并且栅极间隔物的下部介于挡板结构和栅极切割图案之间。栅极间隔物的下部的第一厚度与栅极间隔物的上部的第二厚度不同。
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公开(公告)号：CN118825019A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410228883.5
申请日：2024-02-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/092
Abstract: 一种半导体装置，包括：衬底，其包括有源图案；第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案，其与有源图案重叠；分离绝缘层，其在第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案之间；以及第一栅电极和第二栅电极，第一栅电极和第二栅电极通过分离绝缘层插置在其间而彼此间隔开。分离绝缘层的顶表面的水平高度高于第一栅电极的顶表面的水平高度和第二栅电极的顶表面的水平高度。
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公开(公告)号：CN119545895A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411137423.8
申请日：2024-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10D84/83
Abstract: 一种半导体器件包括：绝缘基体层；多个半导体图案，其堆叠在所述绝缘基体层上并且彼此间隔开；栅极结构，其围绕所述多个半导体图案；第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案，其设置在所述绝缘基体层上并且分别连接到所述多个半导体图案的两个侧表面；接触结构，其通过所述绝缘基体层连接到所述第一源极/漏极图案；侧壁绝缘膜，其设置在所述接触结构的上部与所述绝缘基体层的上部之间并且延伸到所述栅极结构的位于所述多个半导体图案当中的最下面的半导体图案下方的部分的区域上；以及电力传输线，其设置在所述绝缘基体层的下表面上并且连接到所述接触结构。
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公开(公告)号：CN119133177A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202410361074.1
申请日：2024-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/51
Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件能够提高元件性能和可靠性。所述半导体器件可以包括：有源图案，所述有源图案包括在衬底上在第一方向上延伸的下部图案和位于所述下部图案上的片状图案；场绝缘层，所述场绝缘层限定所述衬底上的所述有源图案；栅极结构，所述栅极结构位于所述下部图案上并且包括栅极绝缘层和栅电极，所述栅电极在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸；栅极间隔物，所述栅极间隔物至少部分包围所述栅极结构，并且包括位于所述栅极结构的侧壁上的第一部分和位于所述栅极结构的底表面上的第二部分；以及源极/漏极图案，所述源极/漏极图案位于所述下部图案上并且与所述片状图案接触。
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