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公开(公告)号：CN119403173A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202410547819.3
申请日：2024-05-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体装置包括下图案。沟道隔离结构和场绝缘层接触下图案。栅极结构在下图案上，与沟道隔离结构接触。沟道图案在下图案上，并且包括片图案，每个片图案与沟道隔离结构接触。源极/漏极图案接触沟道图案和沟道隔离结构。沟道隔离结构包括接触栅极结构的第一区域和接触源极/漏极图案的第二区域。沟道隔离结构的第二区域包括其宽度随着距场绝缘层的底表面的距离增大而增大的部分。沟道隔离结构的最上部分的宽度大于沟道隔离结构的最下部分的宽度。
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公开(公告)号：CN118943185A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410559655.6
申请日：2024-05-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体器件包括：基板；第一下图案，在基板上；第二下图案，在第一下图案上；沟道图案，在第二下图案上；第一场绝缘层，在第一下图案的第一侧表面上；第二场绝缘层，在第一下图案的第二侧表面上；掩埋绝缘结构，在第一场绝缘层上并且在沟道图案的侧表面上；保护层，在第二场绝缘层上；源极/漏极图案，在每个沟道图案的相反两侧；以及栅电极，在沟道图案和掩埋绝缘结构周围延伸，其中保护层包括：在第一下图案和第二下图案之间以及在栅电极和第二场绝缘层之间的保护绝缘层；以及在保护绝缘层周围延伸的保护衬垫。
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公开(公告)号：CN119545897A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202410489495.2
申请日：2024-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置可包括：第一有源图案；第二有源图案，其与第一有源图案间隔开第一距离；第三有源图案，其与第二有源图案间隔开第二距离；第一器件隔离层，其在第一有源图案与第二有源图案之间；第二器件隔离层，其在第二有源图案与第三有源图案之间；第一沟道结构，其与第一有源图案重叠；第二沟道结构，其与第二有源图案重叠；第三沟道结构，其与第三有源图案重叠；以及分离电介质层，其在第一沟道结构与第二沟道结构之间。分离电介质层可与第一器件隔离层重叠。第一器件隔离层的顶表面的水平高度可高于第二器件隔离层的顶表面的水平高度。
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公开(公告)号：CN119230595A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202410486931.0
申请日：2024-04-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体器件，包括：第一沟道分离结构和第二沟道分离结构，沿第一方向延伸，并且在第二方向彼此间隔开；第一栅极结构，在第一沟道分离结构与第二沟道分离结构之间在第一方向上彼此间隔开，与第一沟道分离结构和第二沟道分离结构接触；第一沟道图案和第二沟道图案，分别包括第一片状图案和第二片状图案，第一和第二片状图案在第三方向上彼此间隔开，与对应的第一和第二沟道分离结构接触；第一源/漏图案和第二源/漏图案，在第一沟道分离结构与第二沟道分离结构之间，第一源/漏图案与第一沟道图案和第一沟道分离结构接触，第二源/漏图案与第二沟道图案和第二沟道分离结构接触；第一栅极分离结构，在第一源/漏图案与第二源/漏图案之间。
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公开(公告)号：CN118693090A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410311132.X
申请日：2024-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092
Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置包括：基底；有源区域，从基底的上表面突出并且沿第一水平方向延伸；多个纳米片堆叠件，在有源区域上；多条栅极线，在有源区域上沿与第一水平方向相交的第二水平方向延伸，并且围绕所述多个纳米片堆叠件；以及第一绝缘图案，在有源区域上在所述多个纳米片堆叠件之中的在第一水平方向上邻近的两个纳米片堆叠件之间，并且沿与第一水平方向和第二水平方向垂直的垂直方向延伸，其中，第一绝缘图案与所述多个纳米片堆叠件接触。
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