公开(公告)号：CN119545897A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202410489495.2

申请日：2024-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴雨锡 ,  宋旭桓 ,  黄东勋 ,  姜明一 ,  柳太贤 ,  李南玹

IPC: H10D84/85 ,  H01L23/48

Abstract: 一种半导体装置可包括：第一有源图案；第二有源图案，其与第一有源图案间隔开第一距离；第三有源图案，其与第二有源图案间隔开第二距离；第一器件隔离层，其在第一有源图案与第二有源图案之间；第二器件隔离层，其在第二有源图案与第三有源图案之间；第一沟道结构，其与第一有源图案重叠；第二沟道结构，其与第二有源图案重叠；第三沟道结构，其与第三有源图案重叠；以及分离电介质层，其在第一沟道结构与第二沟道结构之间。分离电介质层可与第一器件隔离层重叠。第一器件隔离层的顶表面的水平高度可高于第二器件隔离层的顶表面的水平高度。

公开(公告)号：CN119855230A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411240141.0

申请日：2024-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴雨锡 ,  黄东勋 ,  姜明一 ,  宋旭桓 ,  崔道永

IPC: H10D84/85 ,  H10D84/03

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；有源区域，其在衬底上沿第一方向延伸；栅极结构，其在有源区域上沿第二方向延伸并且与有源区域相交；源极/漏极区域，其在栅极结构的一侧位于有源区域上；分隔图案，其在第一方向上延伸并且使栅极结构分离；以及接触结构，其位于分隔图案上并且与分隔图案交叉，接触结构电连接到源极/漏极区域，其中，接触结构包括第一部分和第二部分，第一部分接触分隔图案，第二部分接触源极/漏极区域，第二部分的下表面处于比第一部分的下表面低的高度，并且接触结构的最下端与分隔图案间隔开。