公开(公告)号：CN119403173A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202410547819.3

申请日：2024-05-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄东勳 ,  金孝珍 ,  姜明一 ,  柳太贤 ,  朴奎南 ,  朴雨锡

IPC: H10D30/60 ,  H10D62/10

Abstract: 半导体装置包括下图案。沟道隔离结构和场绝缘层接触下图案。栅极结构在下图案上，与沟道隔离结构接触。沟道图案在下图案上，并且包括片图案，每个片图案与沟道隔离结构接触。源极/漏极图案接触沟道图案和沟道隔离结构。沟道隔离结构包括接触栅极结构的第一区域和接触源极/漏极图案的第二区域。沟道隔离结构的第二区域包括其宽度随着距场绝缘层的底表面的距离增大而增大的部分。沟道隔离结构的最上部分的宽度大于沟道隔离结构的最下部分的宽度。

公开(公告)号：CN119545895A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411137423.8

申请日：2024-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 杨永镇 ,  朴奎南 ,  全在镐 ,  朴敬美

IPC: H10D84/83

Abstract: 一种半导体器件包括：绝缘基体层；多个半导体图案，其堆叠在所述绝缘基体层上并且彼此间隔开；栅极结构，其围绕所述多个半导体图案；第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案，其设置在所述绝缘基体层上并且分别连接到所述多个半导体图案的两个侧表面；接触结构，其通过所述绝缘基体层连接到所述第一源极/漏极图案；侧壁绝缘膜，其设置在所述接触结构的上部与所述绝缘基体层的上部之间并且延伸到所述栅极结构的位于所述多个半导体图案当中的最下面的半导体图案下方的部分的区域上；以及电力传输线，其设置在所述绝缘基体层的下表面上并且连接到所述接触结构。