公开(公告)号：CN104576614A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410398653.X

申请日：2014-08-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珍铭 ,  李一权 ,  李埈宇 ,  郑相九 ,  朴敬美 ,  李仁爱

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01R31/2884

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件、半导体器件的测试结构和测试半导体器件的方法。可提供这样的测试结构，其包括彼此分离的第一焊盘和第二焊盘以及连接在第一焊盘与第二焊盘之间的第一测试元件和第二测试元件，第一测试元件的特征参数的第一值与第二测试元件的该特征参数的第二值不同。

公开(公告)号：CN116417456A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202310024610.4

申请日：2023-01-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珍铭 ,  张亨淳 ,  金培经 ,  卢贤娥 ,  白种收 ,  李宝璎

IPC: H01L27/02

Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置包括：基底，具有第一区域至第四区域；第一有源区域、第二有源区域、第三有源区域和第一虚设有源区域，分别在第一区域至第四区域上延伸；第一栅极结构，在第一区域上与第一有源区域交叉，并且包括第一栅极导电层；第二栅极结构，在第二区域上与第二有源区域交叉，并且包括第二栅极导电层；第三栅极结构，在第三区域上与第三有源区域交叉，并且包括第三栅极导电层；第一虚设栅极结构，在第四区域上与第一虚设有源区域交叉，并且包括第一虚设栅极导电层；以及源极/漏极区域，位于第一有源区域、第二有源区域和第三有源区域上，并且位于第一栅极结构的两侧、第二栅极结构的两侧和第三栅极结构的两侧。

公开(公告)号：CN119730369A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411338945.4

申请日：2024-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珍铭 ,  李槿熙

IPC: H10D84/83 ,  H10D64/20 ,  H10D64/23 ,  H10D64/27 ,  H01L23/528

Abstract: 提供了包括背面供电网络（BSPDN）的半导体器件。该半导体器件包括：基板；第一有源图案，在基板的顶表面上在第一方向上延伸；第二有源图案，在基板的顶表面上在第一方向上延伸并在与第一方向交叉的第二方向上与第一有源图案间隔开；栅极结构，在第一有源图案和第二有源图案上在第二方向上延伸；第一源极/漏极图案，在栅极结构的侧表面上连接到第一有源图案；第二源极/漏极图案，在栅极结构的侧表面上连接到第二有源图案；背面源极/漏极接触，穿透基板；以及第一电源线，在基板的底表面上连接到背面源极/漏极接触。

公开(公告)号：CN119108398A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202410410579.2

申请日：2024-04-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李槿熙 ,  李珍铭

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 可以提供一种半导体器件，包括：衬底，包括第一区域和第二区域；第一有源图案，在第一区域上沿第一方向延伸；第二有源图案，在第二区域上沿第一方向延伸；壁结构，在第一区域和第二区域之间沿第一方向延伸，并将第一有源图案和第二有源图案彼此分隔开；第一栅极结构，在第一区域上与第一有源图案相交；第一二维(2D)沟道层，在第一有源图案和第一栅极结构之间，包括第一过渡金属二硫属化物；第二栅极结构，在第二区域上与第二有源图案相交；以及第二2D沟道层，在第二有源图案和第二栅极之间，包括第二过渡金属二硫属化物。