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公开(公告)号：CN116417456A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310024610.4
申请日：2023-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置包括：基底，具有第一区域至第四区域；第一有源区域、第二有源区域、第三有源区域和第一虚设有源区域，分别在第一区域至第四区域上延伸；第一栅极结构，在第一区域上与第一有源区域交叉，并且包括第一栅极导电层；第二栅极结构，在第二区域上与第二有源区域交叉，并且包括第二栅极导电层；第三栅极结构，在第三区域上与第三有源区域交叉，并且包括第三栅极导电层；第一虚设栅极结构，在第四区域上与第一虚设有源区域交叉，并且包括第一虚设栅极导电层；以及源极/漏极区域，位于第一有源区域、第二有源区域和第三有源区域上，并且位于第一栅极结构的两侧、第二栅极结构的两侧和第三栅极结构的两侧。
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