公开(公告)号：CN101728329B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN200910206176.1

申请日：2009-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 玄尚镇 ,  崔时荣 ,  申裕均 ,  徐康一 ,  赵学柱 ,  罗勋奏 ,  李晓山 ,  朴全雄 ,  李惠兰 ,  洪炯硕

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。该方法可以包括在衬底上形成金属氧化物层和在该金属氧化物层上形成牺牲氧化物层。在衬底上执行退火工艺。在退火工艺的工艺温度下，牺牲氧化物层的生成自由能大于金属氧化物层的生成自由能。

公开(公告)号：CN104347717A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410372950.7

申请日：2014-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权炳昊 ,  金哲 ,  金镐永 ,  朴世廷 ,  金明哲 ,  姜甫京 ,  尹普彦 ,  崔在光 ,  崔时荣 ,  郑锡勋 ,  成金重 ,  郑熙暾 ,  崔容准 ,  韩智恩

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7853 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785 ,  H01L2229/00

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括半导体基板，该半导体基板具有与第二半导体鳍端对端地对准的第一半导体鳍，在第一和第二半导体鳍的面对的端部之间具有凹陷。第一绝缘体图案邻近第一和第二半导体鳍的侧壁形成，第二绝缘体图案形成在第一凹陷内。第二绝缘体图案可以具有比第一绝缘体图案的上表面高的上表面，诸如可以具有至鳍的上表面的高度的上表面(或可以具有高于或低于鳍的上表面的高度的上表面)。第一和第二栅极沿第一半导体鳍的侧壁和上表面延伸。虚设栅电极可以形成在第二绝缘体图案的上表面上。还公开了制造半导体器件以及变型的方法。

公开(公告)号：CN100527351C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200410057442.6

申请日：2004-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李德炯 ,  李炳讚 ,  崔时荣 ,  金泽中 ,  孙龙勋 ,  丁仁洙

IPC: H01L21/00 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L21/26586 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 公开了一种用于FinFET器件的半导体鳍形结构，该鳍形结构引入上区域和下区域，其中上区域形成有基本上垂直的侧壁，下区域形成有倾斜的侧壁，以制造宽的基础部分。公开的半导体鳍形结构一般还包括上区域和下区域之间的界面处的台阶区。也公开了制造半导体器件的一系列方法，该半导体器件引入具有该双结构的半导体鳍形和引入用于在相邻的半导体鳍形之间形成浅沟槽隔离(STI)结构的绝缘材料如二氧化硅和/或氮化硅的各种组合。

公开(公告)号：CN101330085A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810127774.5

申请日：2008-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟昱 ,  孙龙勋 ,  崔时荣

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7841 ,  H01L21/268 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10802

Abstract: 一种半导体存储器件及其形成方法。存储单元晶体管包括其上具有第一导电型(例如N型)的第一杂质区的半导体基底。其上具有第一导电型的第二杂质区的U形半导体层被提供在第一杂质区上。提供栅极绝缘层，其排列成U形半导体层的底部和内侧壁。栅极电极被提供在栅极绝缘层上。栅极电极被围绕在U形半导体层的内侧壁。提供字线，电性连接到栅极电极，且提供位线，电性连接到第二杂质区。

公开(公告)号：CN101714550B

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN200910253069.4

申请日：2009-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳正道 ,  金东赞 ,  郑圣勋 ,  崔时荣 ,  申裕均 ,  朴泰绪 ,  柳宗烈 ,  姜宗勋

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/82 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L27/108

Abstract: 本发明提供了凹形沟道阵列晶体管、半导体器件及其制造方法。凹形沟道阵列晶体管可以包括衬底、栅极氧化层、栅极电极和源极/漏极区。衬底可以具有有源区和隔离区。凹槽可以形成在有源区中。栅极氧化层可以形成在凹槽和衬底上。栅极氧化层可以包括第一部分和在凹槽的侧表面上的第二部分，该第一部分在凹槽的侧端与有源区的侧壁之间的相交处上。第一部分的厚度可以大于第二部分的厚度的约70％。栅极电极可以形成在栅极氧化层上。源极/漏极区可以形成在衬底中。因此，凹形沟道阵列晶体管可以具有减小的泄漏电流和增大的导通电流。

公开(公告)号：CN101258983B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200810082503.2

申请日：2008-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金勍勋 ,  崔时荣 ,  王勇

IPC: A47J27/00 ,  A47J36/30 ,  D06F39/00

CPC classification number: D06F39/00 ,  D06F39/04 ,  H01M8/04291 ,  H01M8/0435 ,  H01M8/0441 ,  H01M8/04746 ,  H01M8/04753 ,  H01M8/04776 ,  H01M2008/1095 ,  H01M2250/00 ,  H01M2250/10 ,  H01M2250/405 ,  Y02B90/14 ,  Y02B90/16

Abstract: 一种家用电器系统，包括：高温电池燃料系统，其中燃料与氧气起化学反应而产生电和高温蒸汽；蒸汽通路，用于传送高温蒸汽；以及家用电器，连接至蒸汽通路以使用高温蒸汽。

公开(公告)号：CN101728329A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910206176.1

申请日：2009-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 玄尚镇 ,  崔时荣 ,  申裕均 ,  徐康一 ,  赵学柱 ,  罗勋奏 ,  李晓山 ,  朴全雄 ,  李惠兰 ,  洪炯硕

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。该方法可以包括在衬底上形成金属氧化物层和在该金属氧化物层上形成牺牲氧化物层。在衬底上执行退火工艺。在退火工艺的工艺温度下，牺牲氧化物层的生成自由能大于金属氧化物层的生成自由能。

公开(公告)号：CN104347717B

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201410372950.7

申请日：2014-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权炳昊 ,  金哲 ,  金镐永 ,  朴世廷 ,  金明哲 ,  姜甫京 ,  尹普彦 ,  崔在光 ,  崔时荣 ,  郑锡勋 ,  成金重 ,  郑熙暾 ,  崔容准 ,  韩智恩

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括半导体基板，该半导体基板具有与第二半导体鳍端对端地对准的第一半导体鳍，在第一和第二半导体鳍的面对的端部之间具有凹陷。第一绝缘体图案邻近第一和第二半导体鳍的侧壁形成，第二绝缘体图案形成在第一凹陷内。第二绝缘体图案可以具有比第一绝缘体图案的上表面高的上表面，诸如可以具有至鳍的上表面的高度的上表面(或可以具有高于或低于鳍的上表面的高度的上表面)。第一和第二栅极沿第一半导体鳍的侧壁和上表面延伸。虚设栅电极可以形成在第二绝缘体图案的上表面上。还公开了制造半导体器件以及变型的方法。

公开(公告)号：CN102146629B

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201110034928.8

申请日：2011-01-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成勋 ,  表尚渊 ,  朴在龙 ,  崔时荣

IPC: D06F33/02 ,  G01G17/00

CPC classification number: D06F39/003 ,  D06F37/12 ,  D06F2202/10 ,  Y02B40/56

Abstract: 本发明提供一种衣物重量感测方法。电机被连续打开和关闭多次，对当电机最终关闭时依赖于电机的反电动势从反电动势检测器输出的脉冲数进行计数，使用计数的脉冲数感测衣物重量。

公开(公告)号：CN101714550A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910253069.4

申请日：2009-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳正道 ,  金东赞 ,  郑圣勋 ,  崔时荣 ,  申裕均 ,  朴泰绪 ,  柳宗烈 ,  姜宗勋

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/82 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L27/108

Abstract: 本发明提供了凹形沟道阵列晶体管、半导体器件及其制造方法。凹形沟道阵列晶体管可以包括衬底、栅极氧化层、栅极电极和源极/漏极区。衬底可以具有有源区和隔离区。凹槽可以形成在有源区中。栅极氧化层可以形成在凹槽和衬底上。栅极氧化层可以包括第一部分和在凹槽的侧表面上的第二部分，该第一部分在凹槽的侧端与有源区的侧壁之间的相交处上。第一部分的厚度可以大于第二部分的厚度的约70％。栅极电极可以形成在栅极氧化层上。源极/漏极区可以形成在衬底中。因此，凹形沟道阵列晶体管可以具有减小的泄漏电流和增大的导通电流。