公开(公告)号：CN115863341A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211109284.9

申请日：2022-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊模 ,  朴鍊皓 ,  朴恩实 ,  李晋硕 ,  林旺燮 ,  崔圭峯

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一片图案和第二片图案，在基底的第一区域上彼此间隔开；第一栅电极，在第一片图案与第二片图案之间延伸；第三片图案和第四片图案，在基底的第二区域上彼此间隔开；以及第二栅电极，在第三片图案与第四片图案之间延伸。第一栅电极包括在第一片图案与第二片图案之间的第一逸出功控制膜和在第一逸出功控制膜上的第一填充导电膜。第二栅电极包括在第三片图案与第四片图案之间的第二逸出功控制膜和在第二逸出功控制膜上的第二填充导电膜。第三片图案与第四片图案之间的距离大于第一片图案与第二片图案之间的距离。

公开(公告)号：CN115732504A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202210740758.3

申请日：2022-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊模 ,  朴鍊皓 ,  林旺燮 ,  崔圭峰

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件，包括包含第一有源区和第二有源区的衬底、位于第一有源区和第二有源区上的第一有源图案和第二有源图案、以及与第一有源图案和第二有源图案交叉的栅电极。栅电极可以包括位于第一有源区和第二有源区上的第一电极部分和第二电极部分。第一电极部分可以包括第一金属图案以及位于该第一金属图案上的第二金属图案。第二电极部分可以包括第三金属图案以及位于该第三金属图案上的第四金属图案。第一金属图案可以包括第一线路部以及从该第一线路部延伸的第一竖直部，而第三金属图案可以包括第二线路部以及从该第二线路部延伸的第二竖直部。第一竖直部和第二竖直部可以彼此接触。

公开(公告)号：CN115588693A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202210701452.7

申请日：2022-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊模 ,  朴鍊皓 ,  崔圭峰 ,  金哲 ,  李俊锡 ,  李晋硕

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10

Abstract: 一种半导体存储器件包括：衬底，具有分别沿第一方向延伸并沿垂直于第一方向的第二方向布置的第一沟道结构和第二沟道结构；第一栅极结构，在衬底上设置在第一沟道结构上并沿第二方向延伸；第二栅极结构，设置在第二沟道结构上并沿第二方向延伸；第一源/漏区，分别设置在第一栅极结构的相对侧上；第二源/漏区，分别设置在第二栅极结构的相对侧上；栅极分离图案，设置在第一栅极结构与第二栅极结构之间，并且具有位于比第一栅极结构和第二栅极结构中的每一个的上表面的高度低的高度处的上表面；以及栅极封盖层，设置在第一栅极结构和第二栅极结构上，并且具有在第一栅极结构与第二栅极结构之间延伸以连接到栅极分离图案的延伸部分。

公开(公告)号：CN115706048A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210920442.2

申请日：2022-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊模 ,  崔圭峰 ,  朴鍊皓 ,  朴恩实 ,  李晋硕 ,  林旺燮 ,  崔庆寅

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: 一种制造半导体装置的方法包括：在衬底上形成在其间具有不同的间隔的第一初始有源图案至第三初始有源图案；分别在第一初始有源图案与第二初始有源图案之间以及第二初始有源图案与第三初始有源图案之间形成第一场绝缘层和第二场绝缘层；以及分别在基于第一初始有源图案至第三初始有源图案形成的第一有源图案至第三有源图案上形成第一栅电极至第三栅电极，第一栅电极至第三栅电极通过第一栅极隔离结构和第二栅极隔离结构分离。

公开(公告)号：CN115621280A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202210806228.4

申请日：2022-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊模 ,  朴鍊皓 ,  崔圭峰 ,  朴恩实 ,  李俊锡 ,  李晋硕

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括分别在第一方向上延伸并布置在第一线上的第一有源鳍和第二有源鳍，基底具有在第一有源与第二有源鳍之间的凹部；器件隔离膜，在基底上；第一栅极结构和第二栅极结构，分别在第一有源鳍和第二有源鳍上，并且在第二方向上延伸；以及场分离层，具有在第一有源鳍与第二有源鳍之间且在凹部中的第一部分以及在第二方向上从第一部分的两侧延伸到器件隔离膜的上表面的第二部分。凹部具有在与第一方向和第二方向相交的第三方向上比器件隔离膜的上表面低的底表面，并且器件隔离膜的上表面的区域具有平坦的表面。

公开(公告)号：CN116564970A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202211271785.7

申请日：2022-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊模 ,  朴鍊皓 ,  权旭炫 ,  林健

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置可以包括：基底，包括彼此相邻的第一有源区和第二有源区；第一有源图案和第二有源图案，分别设置在第一有源区和第二有源区上；以及栅电极，延伸以与第一有源图案和第二有源图案交叉。栅电极可以包括分别设置在第一有源区和第二有源区上的第一电极部分和第二电极部分。第二电极部分可以包括顺序地覆盖第二有源图案的第一金属图案、蚀刻阻挡图案、第二金属图案和第三金属图案。第一电极部分可以包括覆盖第一有源图案的第二金属图案。蚀刻阻挡图案可以与第一金属图案和第二金属图案接触，并且蚀刻阻挡图案可以比第一金属图案薄并且比第二金属图案薄。

公开(公告)号：CN114068530A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110878115.0

申请日：2021-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金文铉 ,  郑荣采 ,  金旻奎 ,  金善培 ,  朴鍊皓

IPC: H01L27/088

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，具有设置有沟道图案的有源区；器件隔离层，包括限定有源区的第一部、以及包围沟道图案的第一部分的第二部；上外延图案，设置在沟道图案的顶表面上；栅电极，包围沟道图案的第二部分并且在第一方向上延伸；栅间隔物，在栅电极上；层间介电层，在栅间隔物上；以及气隙，在栅电极的底表面和器件隔离层的第二部之间。气隙的至少一部分与栅电极竖直地重叠。沟道图案的第二部分高于沟道图案的第一部分。