半导体装置
    1.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN115621280A

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202210806228.4

    申请日:2022-07-08

    Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括:基底,包括分别在第一方向上延伸并布置在第一线上的第一有源鳍和第二有源鳍,基底具有在第一有源与第二有源鳍之间的凹部;器件隔离膜,在基底上;第一栅极结构和第二栅极结构,分别在第一有源鳍和第二有源鳍上,并且在第二方向上延伸;以及场分离层,具有在第一有源鳍与第二有源鳍之间且在凹部中的第一部分以及在第二方向上从第一部分的两侧延伸到器件隔离膜的上表面的第二部分。凹部具有在与第一方向和第二方向相交的第三方向上比器件隔离膜的上表面低的底表面,并且器件隔离膜的上表面的区域具有平坦的表面。

    半导体器件
    3.
    发明公开
    半导体器件 审中-实审

    公开(公告)号:CN115588693A

    公开(公告)日:2023-01-10

    申请号:CN202210701452.7

    申请日:2022-06-20

    Abstract: 一种半导体存储器件包括:衬底,具有分别沿第一方向延伸并沿垂直于第一方向的第二方向布置的第一沟道结构和第二沟道结构;第一栅极结构,在衬底上设置在第一沟道结构上并沿第二方向延伸;第二栅极结构,设置在第二沟道结构上并沿第二方向延伸;第一源/漏区,分别设置在第一栅极结构的相对侧上;第二源/漏区,分别设置在第二栅极结构的相对侧上;栅极分离图案,设置在第一栅极结构与第二栅极结构之间,并且具有位于比第一栅极结构和第二栅极结构中的每一个的上表面的高度低的高度处的上表面;以及栅极封盖层,设置在第一栅极结构和第二栅极结构上,并且具有在第一栅极结构与第二栅极结构之间延伸以连接到栅极分离图案的延伸部分。

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