公开(公告)号：CN118800776A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202311682462.1

申请日：2023-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊模 ,  金德焕 ,  孔俊秀 ,  朴炼皓 ,  朴亨镇 ,  李秀镇 ,  李晋硕

IPC: H01L27/092

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，所述衬底具有有源图案：第一半导体图案和第二半导体图案，所述第一半导体图案和所述第二半导体图案设置在所述有源图案上并且彼此垂直地间隔开；源极/漏极图案，所述源极/漏极图案连接到所述第一半导体图案和所述第二半导体图案；栅电极，所述栅电极位于所述第一半导体图案与所述第二半导体图案之间；以及栅极绝缘图案，所述栅极绝缘图案包围所述栅电极，其中，所述栅极绝缘图案包括：高k电介质图案，所述高k电介质图案包围所述栅电极；内间隔物，所述内间隔物位于所述高k电介质图案与所述源极/漏极图案之间；以及掩模绝缘图案，所述掩模绝缘图案相对于所述内间隔物具有蚀刻选择性并且位于所述高k电介质图案与所述内间隔物之间。

公开(公告)号：CN110828569A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910525070.1

申请日：2019-06-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊模 ,  金柱然 ,  罗炯柱 ,  俞尚旼 ,  黄义澈

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体器件和形成半导体器件的方法。半导体器件可以包括包含第一区和第二区的衬底、在第一区上沿第一方向延伸的第一有源鳍、在第二区上与第一有源鳍平行延伸的第二有源鳍、以及在两个第一有源鳍之间的单扩散中断区。单扩散中断区可以在第一方向上彼此间隔开。半导体器件还可以包括在两个第二有源鳍之间并沿不同于第一方向的第二方向延伸的下扩散中断区、以及在下扩散中断区上的上扩散中断区。上扩散中断区可以在第一方向上彼此间隔开，每个上扩散中断区可以重叠下扩散中断区。

公开(公告)号：CN116564970A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202211271785.7

申请日：2022-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊模 ,  朴鍊皓 ,  权旭炫 ,  林健

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置可以包括：基底，包括彼此相邻的第一有源区和第二有源区；第一有源图案和第二有源图案，分别设置在第一有源区和第二有源区上；以及栅电极，延伸以与第一有源图案和第二有源图案交叉。栅电极可以包括分别设置在第一有源区和第二有源区上的第一电极部分和第二电极部分。第二电极部分可以包括顺序地覆盖第二有源图案的第一金属图案、蚀刻阻挡图案、第二金属图案和第三金属图案。第一电极部分可以包括覆盖第一有源图案的第二金属图案。蚀刻阻挡图案可以与第一金属图案和第二金属图案接触，并且蚀刻阻挡图案可以比第一金属图案薄并且比第二金属图案薄。

公开(公告)号：CN115701663A

公开(公告)日：2023-02-10

申请号：CN202210839478.8

申请日：2022-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊模 ,  朴炼皓 ,  林旺燮

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 提供了一种能够改善器件的性能和可靠性的半导体器件。可以提供包括以下项的半导体器件：有源图案，在第一方向上延伸；栅极结构，在有源图案上，该栅极结构在不同于第一方向的第二方向上延伸，并且包括栅极绝缘层和栅极填充层；在第二方向上延伸的栅极间隔物，在栅极结构的侧壁上；在栅极间隔物的侧壁上的栅极屏蔽绝缘图案，覆盖栅极绝缘层的上表面，并且包括绝缘材料；以及覆盖栅极填充层的上表面的栅极封盖图案，在栅极结构上。

公开(公告)号：CN115863341A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211109284.9

申请日：2022-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊模 ,  朴鍊皓 ,  朴恩实 ,  李晋硕 ,  林旺燮 ,  崔圭峯

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一片图案和第二片图案，在基底的第一区域上彼此间隔开；第一栅电极，在第一片图案与第二片图案之间延伸；第三片图案和第四片图案，在基底的第二区域上彼此间隔开；以及第二栅电极，在第三片图案与第四片图案之间延伸。第一栅电极包括在第一片图案与第二片图案之间的第一逸出功控制膜和在第一逸出功控制膜上的第一填充导电膜。第二栅电极包括在第三片图案与第四片图案之间的第二逸出功控制膜和在第二逸出功控制膜上的第二填充导电膜。第三片图案与第四片图案之间的距离大于第一片图案与第二片图案之间的距离。

公开(公告)号：CN115732504A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202210740758.3

申请日：2022-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊模 ,  朴鍊皓 ,  林旺燮 ,  崔圭峰

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件，包括包含第一有源区和第二有源区的衬底、位于第一有源区和第二有源区上的第一有源图案和第二有源图案、以及与第一有源图案和第二有源图案交叉的栅电极。栅电极可以包括位于第一有源区和第二有源区上的第一电极部分和第二电极部分。第一电极部分可以包括第一金属图案以及位于该第一金属图案上的第二金属图案。第二电极部分可以包括第三金属图案以及位于该第三金属图案上的第四金属图案。第一金属图案可以包括第一线路部以及从该第一线路部延伸的第一竖直部，而第三金属图案可以包括第二线路部以及从该第二线路部延伸的第二竖直部。第一竖直部和第二竖直部可以彼此接触。

公开(公告)号：CN115692418A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210494880.7

申请日：2022-05-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔圭峰 ,  朴錬皓 ,  朴俊模 ,  朴恩实 ,  李俊席 ,  李晋硕 ,  林旺燮

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供一种半导体器件。半导体器件包括：第一有源图案、第二有源图案和第三有源图案，位于衬底的逻辑单元区域上并且在第一方向上彼此间隔开；第一栅电极和第二栅电极，第一栅电极跨过第一有源图案，并且第二栅电极跨过第二有源图案；第一分离图案，设置在第一有源图案与第二有源图案之间；第二分离图案，设置在第二有源图案与第三有源图案之间；第一栅极绝缘层，介于第一栅电极与第一有源图案之间；以及第一栅极切割图案，介于第一栅电极与第二栅电极之间，并且与第一分离图案的顶表面接触。第一分离图案比第二分离图案宽，并且第一栅极绝缘层在第一栅电极与第一分离图案之间延伸，并且与第一分离图案的侧表面和顶表面接触。

公开(公告)号：CN115588693A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202210701452.7

申请日：2022-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊模 ,  朴鍊皓 ,  崔圭峰 ,  金哲 ,  李俊锡 ,  李晋硕

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10

Abstract: 一种半导体存储器件包括：衬底，具有分别沿第一方向延伸并沿垂直于第一方向的第二方向布置的第一沟道结构和第二沟道结构；第一栅极结构，在衬底上设置在第一沟道结构上并沿第二方向延伸；第二栅极结构，设置在第二沟道结构上并沿第二方向延伸；第一源/漏区，分别设置在第一栅极结构的相对侧上；第二源/漏区，分别设置在第二栅极结构的相对侧上；栅极分离图案，设置在第一栅极结构与第二栅极结构之间，并且具有位于比第一栅极结构和第二栅极结构中的每一个的上表面的高度低的高度处的上表面；以及栅极封盖层，设置在第一栅极结构和第二栅极结构上，并且具有在第一栅极结构与第二栅极结构之间延伸以连接到栅极分离图案的延伸部分。

公开(公告)号：CN118507487A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410174213.X

申请日：2024-02-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 辛宗玟 ,  朴俊模 ,  崔圭峰

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/45 ,  H01L23/48 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种集成电路器件可以包括：鳍型有源结构，在第一水平方向上伸长；纳米片堆叠，包括鳍型有源结构上的纳米片；栅极结构，在纳米片之间延伸；鳍型有源结构上的源/漏结构，位于与栅极结构相邻的位置处，并且在第一水平方向上面向纳米片堆叠；竖直分离层，包括与硅化物分离层接触的硅分离层。硅化物分离层可以在纳米片堆叠和栅极结构中的每一个与源/漏结构之间。硅分离层可以在纳米片堆叠和栅极结构中的每一个与硅化物分离层之间。源/漏结构可以包括金属。栅极结构可以包括在鳍型有源结构上围绕多个纳米片之中的至少一个纳米片的至少一个子栅极。

公开(公告)号：CN117936566A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202311374110.X

申请日：2023-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊模 ,  权旭炫 ,  朴炼皓 ,  辛宗珉 ,  申宪宗 ,  田钟敏 ,  崔圭峰

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体器件可以包括：包括有源图案的衬底、在有源图案上的沟道图案、源极/漏极图案、栅电极和绝缘图案。沟道图案可以包括彼此间隔开并垂直堆叠的半导体图案。半导体图案中最下面的一个可以是第一半导体图案。源极/漏极图案可以连接到半导体图案。栅电极可以在半导体图案上，并且可以包括除了第一半导体图案之外的半导体图案下方的多个内部电极。绝缘图案可以在第一半导体图案和有源图案之间。绝缘图案可以包括电介质图案和保护层。保护层可以在电介质图案和第一半导体图案之间。保护层可以在电介质图案和有源图案之间。