公开(公告)号：CN110931499B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN201910869142.4

申请日：2019-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黃昌善 ,  石韩松 ,  姜炫求 ,  权炳昊 ,  闵忠基

IPC: H10B43/35 ,  H10B43/27

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括在基底上的堆叠结构。堆叠结构包括阶梯区域和位于阶梯区域之间的中心区域，上绝缘层位于堆叠结构上，覆盖绝缘层位于堆叠结构的阶梯区域上。覆盖绝缘层包括与上绝缘层相邻的第一上端部分和第二上端部分。上绝缘层位于第一上端部分和第二上端部分之间。第一上端部分相对于基底延伸第一高度，第一高度不同于第二上端部分的相对于基底的第二高度。

公开(公告)号：CN110931499A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201910869142.4

申请日：2019-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黃昌善 ,  石韩松 ,  姜炫求 ,  权炳昊 ,  闵忠基

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括在基底上的堆叠结构。堆叠结构包括阶梯区域和位于阶梯区域之间的中心区域，上绝缘层位于堆叠结构上，覆盖绝缘层位于堆叠结构的阶梯区域上。覆盖绝缘层包括与上绝缘层相邻的第一上端部分和第二上端部分。上绝缘层位于第一上端部分和第二上端部分之间。第一上端部分相对于基底延伸第一高度，第一高度不同于第二上端部分的相对于基底的第二高度。

公开(公告)号：CN115377110A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210361554.9

申请日：2022-04-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊亨 ,  金江旻 ,  严泰敏 ,  李昇珉 ,  黃昌善

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/108

Abstract: 提供了半导体装置和包括半导体装置的电子系统。所述半导体装置包括：基底，包括单元阵列区域和接触区域；多个栅电极，沿与基底的上表面垂直的第一方向布置在基底上，所述多个栅电极在单元阵列区域和接触区域中延伸；多个沟道结构，在单元阵列区域中在第一方向上穿透所述多个栅电极；多个虚设沟道结构，在接触区域中在第一方向上穿透所述多个栅电极；多个单元栅极接触件，在接触区域中在第一方向上延伸并且各自电连接到所述多个栅电极中的相应的一个栅电极；以及多个虚设接触件，在所述多个虚设沟道结构上在第一方向上延伸。