-
公开(公告)号：CN112750841A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011180615.9
申请日：2020-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582
Abstract: 一种垂直存储器件包括栅电极结构、沟道、第一至第三分割图案以及第一支撑层。栅电极结构包括在第一方向上堆叠的栅电极，并且在第二方向上延伸。栅电极结构在第三方向上彼此间隔开。第一分割图案在栅电极结构之间在第二方向上延伸。第二分割图案和第三分割图案在栅电极结构之间在第二方向上交替地设置。第一支撑层在栅电极结构上在与第一分割图案的上部部分和第二分割图案的上部部分基本上相同的高度处，并且接触第一分割图案的上部部分和第二分割图案的上部部分。在平面图中，第一分割图案的上部部分和第二分割图案的上部部分在第二方向上以Z字形图案布置。
-
公开(公告)号：CN117412596A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310720795.2
申请日：2023-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了一种包括集成电路器件的装置和系统。在一些实施例中，集成电路器件包括：半导体衬底，包括存储单元区和连接区；栅堆叠，包括多个字线栅极层和多个绝缘层，并在连接区中具有阶梯结构；字线切割区，穿过存储单元区和连接区中的多个字线栅极层并沿第三方向延伸；多个第一沟道结构，设置在存储单元区上；串选择线栅极层，设置在存储单元区中的栅堆叠上；多个第二沟道结构，穿过串选择线栅极层；以及串选择线切割区，穿过串选择线栅极层。
-
公开(公告)号：CN115589732A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202210786416.5
申请日：2022-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：第一结构，包括外围电路；以及第二结构，在第一结构上。第二种结构包括：堆叠结构，该堆叠结构包括第一堆叠结构和第二堆叠结构；分离结构，穿过第一堆叠结构；存储器竖直结构，在分离结构之间并穿过第一堆栈结构；以及电容器，包括第一电容器电极和第二电容器电极，第一电容器电极和第二电容器电极穿过第二堆叠结构并彼此平行地延伸。第一堆叠结构包括间隔开的栅电极和与栅电极交替地堆叠的层间绝缘层。第二堆叠结构包括间隔开的第一绝缘层和与第一绝缘层交替地堆叠的第二绝缘层。第一电容器电极和第二电容器电极中的每一个具有线形。第一绝缘层和第二绝缘层包括彼此不同的材料。第二绝缘层包括与层间绝缘层相同的材料。
-
公开(公告)号：CN114388522A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110973539.5
申请日：2021-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 公开了一种半导体芯片和一种半导体装置。该半导体芯片包括衬底、设置在衬底上的源极结构和设置在源极结构上的支承图案。源极结构和支承图案中的每一个包括多晶硅。半导体芯片还包括设置在支承图案上的电极结构和竖直延伸穿过电极结构的多个竖直结构。电极结构包括：下电极结构，其设置在支承图案上，并且包括多个下栅电极和多个第一绝缘膜；第二绝缘膜，其设置在下电极结构上；以及上电极结构，其设置在第二绝缘膜上，并且包括多个上栅电极和多个第三绝缘膜。竖直结构在源极结构上方接触源极结构。
-
公开(公告)号：CN112652628A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202010802422.6
申请日：2020-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11563 , H01L27/11568 , H01L27/11578
Abstract: 提供了一种存储装置。所述存储装置包括：衬底；堆叠结构，所述堆叠结构包括沿垂直方向在所述衬底上交替堆叠的多个栅极层和多个层间绝缘层，所述堆叠结构包括成行的切口，每个所述切口沿第一水平方向延伸并且被配置为分割所述多个栅极层，所述切口彼此分开并且在所述堆叠结构的单元区域中沿所述第一水平方向布置；以及成行的沟道结构，所述沟道结构在所述单元区域中沿所述第一水平方向布置，每个所述沟道结构在所述垂直方向上延伸以穿透所述多个栅极层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115411050A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210409971.6
申请日：2022-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11575 , H01L27/11568 , H01L27/11573
Abstract: 一种集成电路装置，包括：衬底；外围布线电路，其包括旁路通孔并且设置在衬底上；外围电路，其包括围绕外围布线电路的至少一部分的层间绝缘层；以及存储器单元阵列，其设置在外围电路上并且与外围电路重叠。存储器单元阵列包括基底衬底、设置在基底衬底上的多条栅极线、以及穿透多条栅极线的多个沟道。集成电路装置还包括插入在外围电路与存储器单元阵列之间的阻挡层。阻挡层包括从阻挡层的顶表面穿透到下表面的旁路孔。旁路通孔设置在旁路孔中。
-
公开(公告)号：CN114373765A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111199535.2
申请日：2021-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11556 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 提供了一种半导体器件和一种数据存储系统。所述半导体器件包括：第一基板；器件，位于第一基板上；第二基板，位于器件上；栅电极，堆叠在第二基板上并在第一方向上彼此间隔开；沟道结构，穿透栅电极、在第一方向上延伸并且包括沟道层；隔离区域，穿透栅电极并在第二方向上延伸；贯通接触插塞，穿透第二基板、在第一方向上延伸并将栅电极电连接至器件；阻挡结构，与贯通接触插塞间隔开并围绕贯通接触插塞；以及支撑结构，位于栅电极上并包括支撑图案，其中，支撑结构具有在隔离区域上在第二方向彼此间隔开的第一贯通区域和与阻挡结构的上表面接触的第二贯通区域。
-
公开(公告)号：CN113497000A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110378061.1
申请日：2021-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L27/11524 , H01L27/1157 , H01L21/768
Abstract: 一种竖直存储器装置包括栅电极结构、沟道、绝缘图案结构、蚀刻停止结构和贯通件。栅电极结构包括在基本垂直于衬底的上表面的第一方向上在衬底上彼此间隔开的栅电极，所述栅电极中的每一个在基本平行于衬底的上表面的第二方向上延伸。沟道在第一方向上延伸穿过栅电极结构。绝缘图案结构延伸穿过栅电极结构。蚀刻停止结构延伸穿过栅电极结构，并且包围绝缘图案结构的至少一部分侧壁，并且蚀刻停止结构包括填充图案和填充图案的侧壁上的蚀刻停止图案。贯通件在第一方向上延伸穿过绝缘图案结构。
-
公开(公告)号：CN115224042A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210131359.7
申请日：2022-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11578
Abstract: 本公开的半导体器件包括：外围电路结构，包括外围晶体管；半导体层，在外围电路结构上；源极结构，在半导体层上；栅极堆叠结构，设置在源极结构上，并包括交替堆叠的绝缘图案和导电图案；存储沟道结构，电连接到源极结构，并穿透栅极堆叠结构；支撑结构，穿透栅极堆叠结构和源极结构；以及绝缘层，覆盖栅极堆叠结构、存储沟道结构和支撑结构。支撑结构包括接触绝缘图案的侧壁和导电图案的侧壁的外支撑层、以及接触外支撑层的内侧壁的支撑图案和内支撑层。
-
公开(公告)号：CN114582883A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111453294.X
申请日：2021-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11556
Abstract: 本发明公开一种半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统，该半导体器件包括：基板，包括第一区域和第二区域；栅电极，在第一方向上堆叠在第一区域上，在第二区域上以不同的长度在第二方向上延伸，并分别包括在第二区域中的焊盘区域，该焊盘区域具有被向上暴露的上表面；与栅电极交替堆叠的层间绝缘层；沟道结构，在第一方向上延伸并穿透栅电极；插塞绝缘层，在焊盘区域下面与层间绝缘层交替地设置并平行于栅电极；以及接触插塞，在第一方向上延伸并分别穿透焊盘区域和在焊盘区域下面的插塞绝缘层。在每个栅电极中，焊盘区域具有与除了焊盘区域之外的区域的物理特性不同的物理特性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
21
records
(took 0.025 seconds)
