公开(公告)号：CN112750841A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011180615.9

申请日：2020-10-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 宋承砇 ,  金江旻 ,  申重植 ,  林根元

IPC分类号： H01L27/11582

摘要： 一种垂直存储器件包括栅电极结构、沟道、第一至第三分割图案以及第一支撑层。栅电极结构包括在第一方向上堆叠的栅电极，并且在第二方向上延伸。栅电极结构在第三方向上彼此间隔开。第一分割图案在栅电极结构之间在第二方向上延伸。第二分割图案和第三分割图案在栅电极结构之间在第二方向上交替地设置。第一支撑层在栅电极结构上在与第一分割图案的上部部分和第二分割图案的上部部分基本上相同的高度处，并且接触第一分割图案的上部部分和第二分割图案的上部部分。在平面图中，第一分割图案的上部部分和第二分割图案的上部部分在第二方向上以Z字形图案布置。

公开(公告)号：CN106024796B

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN201610192154.4

申请日：2016-03-30

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金钟源 ,  朴亨 ,  李铉民 ,  姜镐宗 ,  朴株院 ,  宋承砇

IPC分类号： H01L27/11563 ,  H01L27/11578

摘要： 一种半导体存储器件包括：堆叠结构，其包括垂直地堆叠在衬底上的各个栅电极以及穿过栅电极的垂直沟道部分；位线，其连接至所述垂直沟道部分；以及多条导线，其连接至所述堆叠结构上的各个栅电极。所述导线形成多个堆叠层，并且包括第一导线和第二导线。布置在离所述衬底第一水平高度的位置处的第一导线的数量与布置在离所述衬底第二水平高度的位置处的第二导线的数量不同。所述第一水平高度与所述第二水平高度不同。

公开(公告)号：CN106024796A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610192154.4

申请日：2016-03-30

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金钟源 ,  朴亨 ,  李铉民 ,  姜镐宗 ,  朴株院 ,  宋承砇

IPC分类号： H01L27/115

CPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11578

摘要： 一种半导体存储器件包括：堆叠结构，其包括垂直地堆叠在衬底上的各个栅电极以及穿过栅电极的垂直沟道部分；位线，其连接至所述垂直沟道部分；以及多条导线，其连接至所述堆叠结构上的各个栅电极。所述导线形成多个堆叠层，并且包括第一导线和第二导线。布置在离所述衬底第一水平高度的位置处的第一导线的数量与布置在离所述衬底第二水平高度的位置处的第二导线的数量不同。所述第一水平高度与所述第二水平高度不同。

公开(公告)号：CN114388522A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202110973539.5

申请日：2021-08-24

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金江旻 ,  宋承砇 ,  殷东锡 ,  郑锡和

IPC分类号： H01L27/1157 ,  H01L27/11578

摘要： 公开了一种半导体芯片和一种半导体装置。该半导体芯片包括衬底、设置在衬底上的源极结构和设置在源极结构上的支承图案。源极结构和支承图案中的每一个包括多晶硅。半导体芯片还包括设置在支承图案上的电极结构和竖直延伸穿过电极结构的多个竖直结构。电极结构包括：下电极结构，其设置在支承图案上，并且包括多个下栅电极和多个第一绝缘膜；第二绝缘膜，其设置在下电极结构上；以及上电极结构，其设置在第二绝缘膜上，并且包括多个上栅电极和多个第三绝缘膜。竖直结构在源极结构上方接触源极结构。

公开(公告)号：CN112652628A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202010802422.6

申请日：2020-08-11

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 宋承砇 ,  高秉贤 ,  权容真 ,  金江旻 ,  申载勋 ,  申重植 ,  安圣洙 ,  李承桓

IPC分类号： H01L27/11563 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11578

摘要： 提供了一种存储装置。所述存储装置包括：衬底；堆叠结构，所述堆叠结构包括沿垂直方向在所述衬底上交替堆叠的多个栅极层和多个层间绝缘层，所述堆叠结构包括成行的切口，每个所述切口沿第一水平方向延伸并且被配置为分割所述多个栅极层，所述切口彼此分开并且在所述堆叠结构的单元区域中沿所述第一水平方向布置；以及成行的沟道结构，所述沟道结构在所述单元区域中沿所述第一水平方向布置，每个所述沟道结构在所述垂直方向上延伸以穿透所述多个栅极层。

公开(公告)号：CN114256269A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202110836683.4

申请日：2021-07-23

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 高秉贤 ,  宋承砇 ,  申重植 ,  权容真 ,  金振赫 ,  孙洪翼

IPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L27/11573

摘要： 一种半导体器件，包括：衬底，具有单元阵列和延伸区域；栅电极结构，具有沿第一方向堆叠的栅电极；沟道，在单元阵列区域上穿过栅电极结构；第一划分图案，在单元阵列和延伸区域上沿第二方向延伸，该第一划分图案位于栅电极结构在第三方向上的相对侧；绝缘图案结构，在延伸区域上部分地穿过栅电极结构；通孔，穿过绝缘图案结构；以及支撑层，在栅电极结构上并在单元阵列和延伸区域上延伸，该支撑层接触第一划分图案的上侧壁，并且该支撑层不接触延伸区域上的第一划分图案与绝缘图案结构相邻的部分的上表面。

公开(公告)号：CN113497000A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202110378061.1

申请日：2021-04-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 申载勋 ,  金江旻 ,  朴庆晋 ,  宋承砇 ,  申重植 ,  林根元

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/1157 ,  H01L21/768

摘要： 一种竖直存储器装置包括栅电极结构、沟道、绝缘图案结构、蚀刻停止结构和贯通件。栅电极结构包括在基本垂直于衬底的上表面的第一方向上在衬底上彼此间隔开的栅电极，所述栅电极中的每一个在基本平行于衬底的上表面的第二方向上延伸。沟道在第一方向上延伸穿过栅电极结构。绝缘图案结构延伸穿过栅电极结构。蚀刻停止结构延伸穿过栅电极结构，并且包围绝缘图案结构的至少一部分侧壁，并且蚀刻停止结构包括填充图案和填充图案的侧壁上的蚀刻停止图案。贯通件在第一方向上延伸穿过绝缘图案结构。

公开(公告)号：CN214542223U

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202120714645.7

申请日：2021-04-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 申载勋 ,  金江旻 ,  朴庆晋 ,  宋承砇 ,  申重植 ,  林根元

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/1157 ,  H01L21/768

摘要： 一种竖直存储器装置包括栅电极结构、沟道、绝缘图案结构、蚀刻停止结构和穿通孔。栅电极结构包括在基本垂直于衬底的上表面的第一方向上在衬底上彼此间隔开的栅电极，所述栅电极中的每一个在基本平行于衬底的上表面的第二方向上延伸。沟道在第一方向上延伸穿过栅电极结构。绝缘图案结构延伸穿过栅电极结构。蚀刻停止结构延伸穿过栅电极结构，并且包围绝缘图案结构的至少一部分侧壁，并且蚀刻停止结构包括填充图案和填充图案的侧壁上的蚀刻停止图案。穿通孔在第一方向上延伸穿过绝缘图案结构。