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发明公开
半导体芯片和包括半导体芯片的半导体装置审中-实审

公开(公告)号：CN114388522A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202110973539.5

申请日：2021-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金江旻 , 宋承砇 , 殷东锡 , 郑锡和

IPC: H01L27/1157 , H01L27/11578

Abstract: 公开了一种半导体芯片和一种半导体装置。该半导体芯片包括衬底、设置在衬底上的源极结构和设置在源极结构上的支承图案。源极结构和支承图案中的每一个包括多晶硅。半导体芯片还包括设置在支承图案上的电极结构和竖直延伸穿过电极结构的多个竖直结构。电极结构包括：下电极结构，其设置在支承图案上，并且包括多个下栅电极和多个第一绝缘膜；第二绝缘膜，其设置在下电极结构上；以及上电极结构，其设置在第二绝缘膜上，并且包括多个上栅电极和多个第三绝缘膜。竖直结构在源极结构上方接触源极结构。

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