公开(公告)号：CN106024796B

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN201610192154.4

申请日：2016-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟源 ,  朴亨 ,  李铉民 ,  姜镐宗 ,  朴株院 ,  宋承砇

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/11578

Abstract: 一种半导体存储器件包括：堆叠结构，其包括垂直地堆叠在衬底上的各个栅电极以及穿过栅电极的垂直沟道部分；位线，其连接至所述垂直沟道部分；以及多条导线，其连接至所述堆叠结构上的各个栅电极。所述导线形成多个堆叠层，并且包括第一导线和第二导线。布置在离所述衬底第一水平高度的位置处的第一导线的数量与布置在离所述衬底第二水平高度的位置处的第二导线的数量不同。所述第一水平高度与所述第二水平高度不同。

公开(公告)号：CN106024796A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610192154.4

申请日：2016-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟源 ,  朴亨 ,  李铉民 ,  姜镐宗 ,  朴株院 ,  宋承砇

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11578

Abstract: 一种半导体存储器件包括：堆叠结构，其包括垂直地堆叠在衬底上的各个栅电极以及穿过栅电极的垂直沟道部分；位线，其连接至所述垂直沟道部分；以及多条导线，其连接至所述堆叠结构上的各个栅电极。所述导线形成多个堆叠层，并且包括第一导线和第二导线。布置在离所述衬底第一水平高度的位置处的第一导线的数量与布置在离所述衬底第二水平高度的位置处的第二导线的数量不同。所述第一水平高度与所述第二水平高度不同。

公开(公告)号：CN105789215A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610024352.X

申请日：2016-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴尚容 ,  卢起程 ,  朴亨 ,  林泰完

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/10897 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/528 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/42352 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7926 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L27/11551 ,  H01L29/42336

Abstract: 本发明提供了垂直存储装置及其制造方法，所述制造方法包括：提供包括单元阵列区域和外围电路区域的基底；在单元阵列区域中形成成型结构；形成穿过成型结构并且沿着与基底的顶表面垂直的第一方向延伸的用于共源线的开口；在用于共源线的开口中形成具有限定凹进区域的内侧壁的第一接触塞；以及形成电连接到第一接触塞的内侧壁的共源位线接触件。

公开(公告)号：CN105789215B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201610024352.X

申请日：2016-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴尚容 ,  卢起程 ,  朴亨 ,  林泰完

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11575 ,  H01L29/423 ,  H01L29/792 ,  H01L27/108 ,  H01L23/31 ,  H01L29/78 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L27/10897 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/528 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/42352 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7926 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了垂直存储装置及其制造方法，所述制造方法包括：提供包括单元阵列区域和外围电路区域的基底；在单元阵列区域中形成成型结构；形成穿过成型结构并且沿着与基底的顶表面垂直的第一方向延伸的用于共源线的开口；在用于共源线的开口中形成具有限定凹进区域的内侧壁的第一接触塞；以及形成电连接到第一接触塞的内侧壁的共源位线接触件。