公开(公告)号：CN106024796B

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN201610192154.4

申请日：2016-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟源 ,  朴亨 ,  李铉民 ,  姜镐宗 ,  朴株院 ,  宋承砇

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/11578

Abstract: 一种半导体存储器件包括：堆叠结构，其包括垂直地堆叠在衬底上的各个栅电极以及穿过栅电极的垂直沟道部分；位线，其连接至所述垂直沟道部分；以及多条导线，其连接至所述堆叠结构上的各个栅电极。所述导线形成多个堆叠层，并且包括第一导线和第二导线。布置在离所述衬底第一水平高度的位置处的第一导线的数量与布置在离所述衬底第二水平高度的位置处的第二导线的数量不同。所述第一水平高度与所述第二水平高度不同。

公开(公告)号：CN106024796A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610192154.4

申请日：2016-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟源 ,  朴亨 ,  李铉民 ,  姜镐宗 ,  朴株院 ,  宋承砇

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11578

Abstract: 一种半导体存储器件包括：堆叠结构，其包括垂直地堆叠在衬底上的各个栅电极以及穿过栅电极的垂直沟道部分；位线，其连接至所述垂直沟道部分；以及多条导线，其连接至所述堆叠结构上的各个栅电极。所述导线形成多个堆叠层，并且包括第一导线和第二导线。布置在离所述衬底第一水平高度的位置处的第一导线的数量与布置在离所述衬底第二水平高度的位置处的第二导线的数量不同。所述第一水平高度与所述第二水平高度不同。