公开(公告)号：CN111009528B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN201910949878.2

申请日：2019-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白石千 ,  林根元 ,  申载勋 ,  李明根

IPC: H10B41/27

Abstract: 公开了一种三维半导体存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括：第一衬底上的外围电路结构；外围电路结构上的第二衬底；第一堆叠结构至第四堆叠结构，它们在第二衬底上在第一方向上间隔开；第一支承连接件和第二支承连接件，它们在第二堆叠结构与第三堆叠结构之间；第三支承连接件和第四支承连接件，它们在第三堆叠结构与第四堆叠结构之间；以及穿通电介质图案，其穿过第一堆叠结构和第二衬底。第一支承连接件与第二支承连接件之间的第一距离与第三支承连接件与第四支承连接件之间的第二距离不同。

公开(公告)号：CN112652631A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202010805205.2

申请日：2020-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金江旻 ,  宋昇珉 ,  申载勋 ,  申重植 ,  林根元

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置。所述非易失性存储器装置包括：基底；第一模制结构，设置在基底上并且包括多个第一栅电极；第二模制结构，设置在第一模制结构上并且包括多个第二栅电极；以及多个沟道结构，通过穿透第一模制结构和第二模制结构而与所述多个第一栅电极和所述多个第二栅电极交叉，其中，第一模制结构包括彼此间隔开的第一堆叠件和第二堆叠件，并且第二模制结构包括堆叠在第一堆叠件上的第三堆叠件、堆叠在第二堆叠件上的第四堆叠件以及连接第三堆叠件和第四堆叠件的第一连接部。

公开(公告)号：CN112652628A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202010802422.6

申请日：2020-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋承砇 ,  高秉贤 ,  权容真 ,  金江旻 ,  申载勋 ,  申重植 ,  安圣洙 ,  李承桓

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11578

Abstract: 提供了一种存储装置。所述存储装置包括：衬底；堆叠结构，所述堆叠结构包括沿垂直方向在所述衬底上交替堆叠的多个栅极层和多个层间绝缘层，所述堆叠结构包括成行的切口，每个所述切口沿第一水平方向延伸并且被配置为分割所述多个栅极层，所述切口彼此分开并且在所述堆叠结构的单元区域中沿所述第一水平方向布置；以及成行的沟道结构，所述沟道结构在所述单元区域中沿所述第一水平方向布置，每个所述沟道结构在所述垂直方向上延伸以穿透所述多个栅极层。

公开(公告)号：CN114373765A

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202111199535.2

申请日：2021-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金江旻 ,  申载勋 ,  殷东锡 ,  林根元

IPC: H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

Abstract: 提供了一种半导体器件和一种数据存储系统。所述半导体器件包括：第一基板；器件，位于第一基板上；第二基板，位于器件上；栅电极，堆叠在第二基板上并在第一方向上彼此间隔开；沟道结构，穿透栅电极、在第一方向上延伸并且包括沟道层；隔离区域，穿透栅电极并在第二方向上延伸；贯通接触插塞，穿透第二基板、在第一方向上延伸并将栅电极电连接至器件；阻挡结构，与贯通接触插塞间隔开并围绕贯通接触插塞；以及支撑结构，位于栅电极上并包括支撑图案，其中，支撑结构具有在隔离区域上在第二方向彼此间隔开的第一贯通区域和与阻挡结构的上表面接触的第二贯通区域。

公开(公告)号：CN113497000A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202110378061.1

申请日：2021-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申载勋 ,  金江旻 ,  朴庆晋 ,  宋承砇 ,  申重植 ,  林根元

IPC: H01L23/538 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/1157 ,  H01L21/768

Abstract: 一种竖直存储器装置包括栅电极结构、沟道、绝缘图案结构、蚀刻停止结构和贯通件。栅电极结构包括在基本垂直于衬底的上表面的第一方向上在衬底上彼此间隔开的栅电极，所述栅电极中的每一个在基本平行于衬底的上表面的第二方向上延伸。沟道在第一方向上延伸穿过栅电极结构。绝缘图案结构延伸穿过栅电极结构。蚀刻停止结构延伸穿过栅电极结构，并且包围绝缘图案结构的至少一部分侧壁，并且蚀刻停止结构包括填充图案和填充图案的侧壁上的蚀刻停止图案。贯通件在第一方向上延伸穿过绝缘图案结构。

公开(公告)号：CN111009528A

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201910949878.2

申请日：2019-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白石千 ,  林根元 ,  申载勋 ,  李明根

IPC: H01L27/11556

Abstract: 公开了一种三维半导体存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括：第一衬底上的外围电路结构；外围电路结构上的第二衬底；第一堆叠结构至第四堆叠结构，它们在第二衬底上在第一方向上间隔开；第一支承连接件和第二支承连接件，它们在第二堆叠结构与第三堆叠结构之间；第三支承连接件和第四支承连接件，它们在第三堆叠结构与第四堆叠结构之间；以及穿通电介质图案，其穿过第一堆叠结构和第二衬底。第一支承连接件与第二支承连接件之间的第一距离与第三支承连接件与第四支承连接件之间的第二距离不同。

公开(公告)号：CN214542223U

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202120714645.7

申请日：2021-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申载勋 ,  金江旻 ,  朴庆晋 ,  宋承砇 ,  申重植 ,  林根元

IPC: H01L23/538 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/1157 ,  H01L21/768

Abstract: 一种竖直存储器装置包括栅电极结构、沟道、绝缘图案结构、蚀刻停止结构和穿通孔。栅电极结构包括在基本垂直于衬底的上表面的第一方向上在衬底上彼此间隔开的栅电极，所述栅电极中的每一个在基本平行于衬底的上表面的第二方向上延伸。沟道在第一方向上延伸穿过栅电极结构。绝缘图案结构延伸穿过栅电极结构。蚀刻停止结构延伸穿过栅电极结构，并且包围绝缘图案结构的至少一部分侧壁，并且蚀刻停止结构包括填充图案和填充图案的侧壁上的蚀刻停止图案。穿通孔在第一方向上延伸穿过绝缘图案结构。