公开(公告)号：CN110391174A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201910130971.0

申请日：2019-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林根元 ,  李明根 ,  白石千 ,  朴庆晋

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/768 ,  H01L29/06

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括在衬底上形成基底层。在基底层上形成结构层。该结构层包括至少一个材料层。在基底层上形成结构图案。结构图案包括在第一方向上延伸的第一沟槽和在垂直于第一方向的第二方向上延伸并具有交叉部分的第二沟槽。第二沟槽连接到第一沟槽。该结构图案还包括基底图案，该基底图案具有在第二沟槽的交叉部分处从基底层的表面向下凹陷的凹陷部分。

公开(公告)号：CN110391174B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN201910130971.0

申请日：2019-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林根元 ,  李明根 ,  白石千 ,  朴庆晋

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/768 ,  H01L29/06

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括在衬底上形成基底层。在基底层上形成结构层。该结构层包括至少一个材料层。在基底层上形成结构图案。结构图案包括在第一方向上延伸的第一沟槽和在垂直于第一方向的第二方向上延伸并具有交叉部分的第二沟槽。第二沟槽连接到第一沟槽。该结构图案还包括基底图案，该基底图案具有在第二沟槽的交叉部分处从基底层的表面向下凹陷的凹陷部分。

公开(公告)号：CN111009528B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN201910949878.2

申请日：2019-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白石千 ,  林根元 ,  申载勋 ,  李明根

IPC: H10B41/27

Abstract: 公开了一种三维半导体存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括：第一衬底上的外围电路结构；外围电路结构上的第二衬底；第一堆叠结构至第四堆叠结构，它们在第二衬底上在第一方向上间隔开；第一支承连接件和第二支承连接件，它们在第二堆叠结构与第三堆叠结构之间；第三支承连接件和第四支承连接件，它们在第三堆叠结构与第四堆叠结构之间；以及穿通电介质图案，其穿过第一堆叠结构和第二衬底。第一支承连接件与第二支承连接件之间的第一距离与第三支承连接件与第四支承连接件之间的第二距离不同。

公开(公告)号：CN111009528A

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201910949878.2

申请日：2019-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白石千 ,  林根元 ,  申载勋 ,  李明根

IPC: H01L27/11556

Abstract: 公开了一种三维半导体存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括：第一衬底上的外围电路结构；外围电路结构上的第二衬底；第一堆叠结构至第四堆叠结构，它们在第二衬底上在第一方向上间隔开；第一支承连接件和第二支承连接件，它们在第二堆叠结构与第三堆叠结构之间；第三支承连接件和第四支承连接件，它们在第三堆叠结构与第四堆叠结构之间；以及穿通电介质图案，其穿过第一堆叠结构和第二衬底。第一支承连接件与第二支承连接件之间的第一距离与第三支承连接件与第四支承连接件之间的第二距离不同。