一种垂直存储器件包括栅电极结构、沟道、第一至第三分割图案以及第一支撑层。栅电极结构包括在第一方向上堆叠的栅电极，并且在第二方向上延伸。栅电极结构在第三方向上彼此间隔开。第一分割图案在栅电极结构之间在第二方向上延伸。第二分割图案和第三分割图案在栅电极结构之间在第二方向上交替地设置。第一支撑层在栅电极结构上在与第一分割图案的上部部分和第二分割图案的上部部分基本上相同的高度处，并且接触第一分割图案的上部部分和第二分割图案的上部部分。在平面图中，第一分割图案的上部部分和第二分割图案的上部部分在第二方向上以Z字形图案布置。