公开(公告)号：CN115411050A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202210409971.6

申请日：2022-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊亨 ,  朴昞坤 ,  李昇珉 ,  金江旻 ,  严泰敏 ,  俞炳瓘

IPC: H01L27/11575 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573

Abstract: 一种集成电路装置，包括：衬底；外围布线电路，其包括旁路通孔并且设置在衬底上；外围电路，其包括围绕外围布线电路的至少一部分的层间绝缘层；以及存储器单元阵列，其设置在外围电路上并且与外围电路重叠。存储器单元阵列包括基底衬底、设置在基底衬底上的多条栅极线、以及穿透多条栅极线的多个沟道。集成电路装置还包括插入在外围电路与存储器单元阵列之间的阻挡层。阻挡层包括从阻挡层的顶表面穿透到下表面的旁路孔。旁路通孔设置在旁路孔中。

公开(公告)号：CN115377110A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210361554.9

申请日：2022-04-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊亨 ,  金江旻 ,  严泰敏 ,  李昇珉 ,  黃昌善

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/108

Abstract: 提供了半导体装置和包括半导体装置的电子系统。所述半导体装置包括：基底，包括单元阵列区域和接触区域；多个栅电极，沿与基底的上表面垂直的第一方向布置在基底上，所述多个栅电极在单元阵列区域和接触区域中延伸；多个沟道结构，在单元阵列区域中在第一方向上穿透所述多个栅电极；多个虚设沟道结构，在接触区域中在第一方向上穿透所述多个栅电极；多个单元栅极接触件，在接触区域中在第一方向上延伸并且各自电连接到所述多个栅电极中的相应的一个栅电极；以及多个虚设接触件，在所述多个虚设沟道结构上在第一方向上延伸。