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公开(公告)号：CN103854670B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201310109331.4
申请日：2013-03-29
Applicant: 希捷科技有限公司
IPC: G11B5/187
CPC classification number: G11B5/3163 , G11B5/3906 , G11B5/3932 , G11B5/398
Abstract: 本发明提供一种具有交叉的各向异性的磁性元件。一种磁性元件可配置有至少一个磁性叠层，该磁性叠层具有第一和第二磁性自由层，这些磁性自由层中的每一个具有与空气承载表面(ABS)相距的预定条纹高度。第一和第二磁性自由层可各自配置有相对于ABS交叉并响应于预定条纹高度成角度的第一和第二单轴各向异性。
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公开(公告)号：CN102414756B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201080019289.1
申请日：2010-04-27
Applicant: 希捷科技有限公司
CPC classification number: H01L43/02 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01F10/3263 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H01F10/3295 , H01L43/08
Abstract: 一种磁性存储器单元，它具有铁磁自由层和铁磁被钉扎参考层，每个层具有平面外的磁各向异性和平面外的磁化方向并可经由自旋力矩切换。该单元包括接近自由层的铁磁辅助层，该辅助层具有小于约500Oe的低磁各向异性。该辅助层可具有平面内或平面外各向异性。
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公开(公告)号：CN102414756A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080019289.1
申请日：2010-04-27
Applicant: 希捷科技有限公司
CPC classification number: H01L43/02 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01F10/3263 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H01F10/3295 , H01L43/08
Abstract: 一种磁性存储器单元，它具有铁磁自由层和铁磁被钉扎参考层，每个层具有平面外的磁各向异性和平面外的磁化方向并可经由自旋力矩切换。该单元包括接近自由层的铁磁辅助层，该辅助层具有小于约500Oe的低磁各向异性。该辅助层可具有平面内或平面外各向异性。
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公开(公告)号：CN102592609B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201110463134.3
申请日：2011-11-30
Applicant: 希捷科技有限公司
CPC classification number: G11B5/3912 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3909 , G11B2005/3996
Abstract: 一种具改进的稳定性的磁性元件，其能够检测磁性状态的变化，譬如用作数据传感头中的读取传感器或者用作固态非易失性存储元件。根据不同实施例，磁性元件包括具有第一展布范围的磁性响应堆叠或迭片结构。该堆叠包括位于第一和第二铁磁自由层之间的间隔层。至少一个反铁磁(AFM)片在第一自由层与间隔层相反的表面上与第一自由层连接，AFM片具有小于第一展布范围的第二展布范围。
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公开(公告)号：CN103065644A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210478643.8
申请日：2012-09-21
Applicant: 希捷科技有限公司
IPC: G11B5/265
CPC classification number: G11B5/3932 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3163 , G11B5/3906 , H01F10/30 , H01F10/3254 , H01F41/303 , Y10T428/11 , Y10T428/1114 , Y10T428/1121 , Y10T428/1143 , Y10T428/1171 , Y10T428/1193
Abstract: 多个实施例涉及使用具有预定第一形态的去耦层来构建的磁传感器。磁性自由层可被沉积为接触地邻近于去耦层，磁性自由层被配置为具有预定第二形态的至少第一子层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102997939A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210337348.0
申请日：2012-09-12
Applicant: 希捷科技有限公司
IPC: G01D5/12
CPC classification number: G01R33/091 , G11B5/3906 , G11B5/3932 , G11B5/398 , Y10T29/49636 , Y10T428/11
Abstract: 各种实施方式可以被构建为具有被放置在空气轴承表面（ABS）上的三层层叠。该三层层叠可以配置有沿着与ABS正交的轴的条带高度且配置有第一磁自由层和第二磁自由层，第一磁自由层和第二磁自由层均具有相对于ABS的带角度单轴各向异性。
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公开(公告)号：CN103021423B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201210478642.3
申请日：2012-09-21
Applicant: 希捷科技有限公司
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B32B37/02 , B32B37/14 , B32B2457/00 , G01R33/093 , G11B5/3909 , G11B5/3912 , Y10T156/10 , Y10T428/1121 , Y10T428/1193
Abstract: 本发明的各实施例一般涉及磁响应叠层，其通过在第一和第二铁磁自由层之间设置间隔层来构造。至少一个铁磁自由层具有耦合子层，该耦合子层增强该磁响应叠层的磁阻比(MR)。
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公开(公告)号：CN103310804A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310080431.9
申请日：2013-03-13
Applicant: 希捷科技有限公司
CPC classification number: G01R33/0052 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/23 , G11B5/232 , G11B5/3133 , G11B5/3143 , G11B5/3163 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044
Abstract: 一种磁传感器，包括第一屏蔽、第二屏蔽以及第一屏蔽和第二屏蔽之间的传感器叠层，传感器叠层具有多个层，其中至少一个层使用原位快速热退火被退火。在磁传感器的一种实现中，使用原位快速热退火来对籽晶层进行退火。替代地，使用原位快速热退火来对势垒层、AFM层和覆盖层中的一个进行退火。
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公开(公告)号：CN103021423A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210478642.3
申请日：2012-09-21
Applicant: 希捷科技有限公司
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B32B37/02 , B32B37/14 , B32B2457/00 , G01R33/093 , G11B5/3909 , G11B5/3912 , Y10T156/10 , Y10T428/1121 , Y10T428/1193
Abstract: 本发明的各实施例一般涉及磁响应叠层，其通过在第一和第二铁磁自由层之间设置间隔层来构造。至少一个铁磁自由层具有耦合子层，该耦合子层增强该磁响应叠层的磁阻比(MR)。
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公开(公告)号：CN103065644B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210478643.8
申请日：2012-09-21
Applicant: 希捷科技有限公司
IPC: G11B5/265
CPC classification number: G11B5/3932 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3163 , G11B5/3906 , H01F10/30 , H01F10/3254 , H01F41/303 , Y10T428/11 , Y10T428/1114 , Y10T428/1121 , Y10T428/1143 , Y10T428/1171 , Y10T428/1193
Abstract: 多个实施例一般地涉及使用具有预定第一形态的去耦层来构建的磁传感器。磁性自由层可被沉积为接触地邻近于去耦层，磁性自由层被配置为具有预定第二形态的至少第一子层。
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