公开(公告)号：CN114342099A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202180005276.7

申请日：2021-06-02

Applicant: TDK电子股份有限公司

Inventor： M·维拉贝尔 ,  S·雷多菲

IPC: H01L41/319 ,  H01L41/08 ,  H01L41/083 ,  H01L41/09 ,  H01L41/113 ,  H01L41/18 ,  H01L41/27 ,  H01L41/314

Abstract: 压电组装件，其包括：镍、铜或钢的基材，组装在基材上的第一取向层和取向层上的压电层。压电层相对于局部表面法线具有90％或更大的(100)取向度。

公开(公告)号：CN113852292A

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202110905964.0

申请日：2021-08-09

Applicant: 大连理工大学 ,  大连理工大学宁波研究院

Inventor： 王大志 ,  赵奎鹏 ,  宗浩然 ,  袁钰恒 ,  蒋朝阳 ,  李岩 ,  王伦翔

IPC: H02N2/16 ,  H02N2/14 ,  H02N2/12 ,  H02N2/00 ,  H01L41/314 ,  H01L41/39 ,  H01L41/43

Abstract: 本发明属于微型压电驱动器领域，提供了一种压电陶瓷‑基体一体化驱动器包括压电陶瓷、下电极、基体、分区上电极。基体上部分布齿形结构，底部为平面。下电极制备在基体底部。压电陶瓷通过电流体喷印技术直接将压电陶瓷喷印至下电极表面，通过高温共烧技术使基体、下电极和压电陶瓷形成无界面的整体，实现压电陶瓷和基体的一体化体系。分区上电极制备在压电陶瓷表面。本发明避免了传统压电驱动器中压电陶瓷粘接精度受限、工艺复杂等问题以及胶结层的结合强度差、对振动传递有损耗等问题，显著提高了压电陶瓷和基体的结合强度，并提高了驱动器的驱动性能和长期可靠性,实现了微型化、大驱动力的驱动器制造。

公开(公告)号：CN112713235A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN202110152687.0

申请日：2021-02-04

Applicant: 曹建峰

Inventor： 曹建峰

IPC: H01L41/08 ,  H01L41/16 ,  H01L41/314

Abstract: 本发明公开了一种基于金属基底的高温氮化铝压电传感器的制作方法，在金属基底上淀积一层底层粘接层，以电子束蒸发在底层粘接层上淀积一层绝缘层，以原子层堆积或等离子增强物理气相沉积再淀积一层绝缘层，通过电子束蒸发再淀积一层绝缘层；在绝缘层上淀积一层粘接层及一层下金电极层；通过光刻，等离子辅助物理气相沉积的直流反应溅射及剥离，在下金电极层上淀积一层氮化铝层；在氮化铝上淀积一层上粘接层及一层上金电极层；通过光刻，等离子辅助物理气相沉积的直流反应溅射及剥离，在上金电极层上淀积一层氮氧化铝保护层。本发明工艺温度低，氮化铝在绝缘层与金电极上淀积良好，台阶处无断裂现象；实现高温下压电传感器电极与金属基底的绝缘。

公开(公告)号：CN105990515A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510085131.9

申请日：2015-02-16

Applicant: 新科实业有限公司

Inventor： 熊伟 ,  野口隆男 ,  饭塚大助

IPC: H01L41/09 ,  H01L41/314 ,  G11B5/48 ,  B41J2/045

Abstract: 本发明提供一种薄膜压电体元件，其具有依次层压有下部电极膜、压电体膜以及上部电极膜的层压结构。压电体膜的上表面为具有凸部和凹部的凹凸面，凸部为突出成凸状的弯曲面，并且凹部为凹陷成凹状的弯曲面，在凹凸面上形成有上部电极膜。薄膜压电体元件具有应力均化膜，该应力均化膜采用具备能够抵消元件应力的内部应力的材料形成，且形成于上部电极膜上。根据本发明，即使为单层的压电层压体，也能充分抑制翘曲和弯曲变位，并且能够在不损害批量生产性和成本降低效果的同时制造提高了薄膜之间的粘合性的薄膜压电体元件。

公开(公告)号：CN102891250B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201210332301.5

申请日：2012-09-10

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 李润伟 ,  左正笏 ,  詹清峰 ,  陈斌 ,  杨华礼 ,  刘宜伟

IPC: H01L41/314 ,  H01L41/39

Abstract: 本发明提供了一种反铁电薄膜的制备方法。该方法采用由硅片层、中间层和铂薄膜组成的镀铂硅片；首先，将镀铂硅片放入腐蚀溶液中，使中间层与腐蚀溶液反应，铂薄膜从硅片上脱离；然后，将铂薄膜转移到去离子水中清洗；之后，将铂薄膜转移到与铂不反应的耐高温衬底上并干燥；最后，在铂薄膜上制备反铁电薄膜。与现有技术相比，本发明制得的反铁电薄膜脱离了衬底的束缚，实验证实有效提高了反铁电薄膜的能量存储密度，同时也提高了其能量转换效率，作为储能元件具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN104241517A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201310253039.X

申请日：2013-06-24

Applicant: 中国科学院化学研究所

Inventor： 郭维 ,  江雷 ,  李丹

IPC: H01L41/22 ,  H01L41/314

Abstract: 本发明涉及利用具有层状结构的石墨烯水凝胶薄膜进行机械能转换成为电能的方法。本发明是利用石墨烯薄片堆叠产生的层状结构，构成纳米尺度的流体通道；在机械压力驱动下，使电解质溶液流过具有层状结构的石墨烯水凝胶薄膜中的流体通道。由于石墨烯薄片层是通过不完全还原氧化石墨烯薄片所得到的，石墨烯薄片上保留了部分带有负电荷的极性基团，在电解质溶液流过所述石墨烯水凝胶薄膜时，正电荷可以随流体大量通过，但负电荷却被排斥，不能够通过所述石墨烯水凝胶薄膜中的流体通道，从而起到正负电荷分离的作用，并通过金属电极在外电路中产生电流，从而实现机械能至电能的转换。本发明的方法不产生污染环境的废料，适合作为小型设备的能源。

公开(公告)号：CN102891250A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210332301.5

申请日：2012-09-10

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 李润伟 ,  左正笏 ,  詹清峰 ,  陈斌 ,  杨华礼 ,  刘宜伟

IPC: H01L41/314 ,  H01L41/39

Abstract: 本发明提供了一种反铁电薄膜的制备方法。该方法采用由硅片层、中间层和铂薄膜组成的镀铂硅片；首先，将镀铂硅片放入腐蚀溶液中，使中间层与腐蚀溶液反应，铂薄膜从硅片上脱离；然后，将铂薄膜转移到去离子水中清洗；之后，将铂薄膜转移到与铂不反应的耐高温衬底上并干燥；最后，在铂薄膜上制备反铁电薄膜。与现有技术相比，本发明制得的反铁电薄膜脱离了衬底的束缚，实验证实有效提高了反铁电薄膜的能量存储密度，同时也提高了其能量转换效率，作为储能元件具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN113707802B

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202110995752.6

申请日：2021-08-27

Applicant: 成都汇通西电电子有限公司

Inventor： 张博 ,  阴伏星 ,  李佳 ,  蔡东 ,  严伟

IPC: H01L41/083 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/314 ,  H01L41/39

Abstract: 本发明公开了一种矩阵致动器结构，包括：陶瓷基块，阵列设置在陶瓷基块上的若干压电巴块，压电巴块与陶瓷基块一体成型，压电巴块内设有错位印刷的内电极层，相邻的内电极层通过陶瓷层分隔；每个压电巴块中含有俩个导电通孔，分别连通压电巴块中的奇数电极层与偶数电极层，且导电通孔由上至下贯穿压电巴块与陶瓷基块，并且这俩个导电通孔分别为该压电巴块单元的正负电极。该矩阵致动器的制备工艺包括：流延工艺、印叠工艺、等静压工艺、切割工艺、排胶烧结、等步骤。利用该工艺制备的矩阵致动器，产品一致性好，工艺简单。

公开(公告)号：CN114421909A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202111483158.5

申请日：2021-12-07

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 董树荣 ,  庞正基 ,  轩伟鹏 ,  金浩 ,  骆季奎 ,  刘刚 ,  刘舒婷 ,  钟高峰 ,  邹锦林

IPC: H03H3/02 ,  H03H9/17 ,  H01L41/29 ,  H01L41/314

Abstract: 本发明公开了一种优化FBAR空腔平坦化工艺缺陷的方法，包括：基底表面具有空腔，在所述空腔内沉积牺牲层；平坦化牺牲层以使得所述牺牲层表面碟形坑为正值得到平坦化器件；将平坦化器件加热至1000℃‑1200℃退火30min‑60min得到热处理器件；在热处理器件表面溅射一层TaN，利用化学机械抛光法抛光TaN层至基底表面得到第二平坦化器件；在所述第二平坦化器件表面沉积压电振荡堆和金属pad层，去除牺牲层得到空腔型FBAR。该方法能够使得FBAR谐振器具有较为电极稳定的结构，较高Q值。本发明还公开了采用该方法制备的FBAR谐振器，以及该FBAR谐振器在制备圆晶片上的应用。

公开(公告)号：CN113764570A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202111051173.2

申请日：2021-09-08

Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网河南省电力公司电力科学研究院 ,  国网浙江省电力有限公司金华供电公司 ,  国网内蒙古东部电力有限公司电力科学研究院 ,  浙江清华长三角研究院

Inventor： 田一 ,  聂京凯 ,  崔建业 ,  耿进锋 ,  史昌明 ,  龚文 ,  何强

IPC: H01L41/083 ,  H01L41/113 ,  H01L41/31 ,  H01L41/314 ,  H02N2/00 ,  H02N2/18

Abstract: 本发明提供一种压电结构及其制备方法，压电结构包括：压电膜层；位于压电膜层一侧表面的种子层；位于种子层背离压电膜层的一侧表面的纳米线阵列层，纳米线阵列层的材料为半导体压电材料。当在外界作用下发生形变时，压电膜层和纳米线阵列层产生压电效应，压电膜层相对设置的两个表面和纳米线阵列层相对设置的两个表面均产生相反的电荷，使位于两者之间的种子层受到电场作用，在上述电场的作用下，种子层实现了压电膜层和纳米线阵列层的串联，压电结构所产生的电能为压电膜层和纳米线阵列层所产生的电能的加和，有效提高了压电材料的压电转换效率。