公开(公告)号：CN104112559B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201410167100.3

申请日：2014-04-22

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 榎户靖 ,  崔京九 ,  铃木健一 ,  田中大介

IPC: H01F1/057 ,  H01F1/08

CPC classification number: H01F1/0536 ,  B22F1/00 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  B32B15/015 ,  C22C33/0278 ,  C22C38/002 ,  C22C38/005 ,  C22C38/06 ,  C22C38/10 ,  C22C38/16 ,  C22C2202/02 ,  H01F1/0577 ,  B22F2304/10 ,  B22F3/02 ,  B22F2202/05 ,  B22F9/08 ,  B22F9/023 ,  B22F2009/044 ,  B22F3/10 ,  B22F2003/248

Abstract: 本发明提供一种与现有的R‑T‑B系磁铁相比较不显著降低磁特性且与镀层的密接强度优异的永久磁铁。在作为R必须有R1和Ce的R‑T‑B系磁铁中，通过对作为原料的R‑T‑B系磁铁施行长时间热处理来使主相颗粒核壳化，当令核部中的R1和Ce的质量浓度分别为αR1、αCe且令所述壳部中的R1和Ce的质量浓度分别为βR1、βCe时，所述壳部中的R1和Ce的质量浓度比率(βR1/βCe＝B)与所述核部中的R1和Ce的质量浓度比率(αR1/αCe＝A)之比(B/A)为1.1以上，由此，通过Ce添加而提高与镀层的密接强度，并且抑制矫顽力下降。

公开(公告)号：CN104124017B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201410160457.9

申请日：2014-04-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 桥本龙司 ,  铃木健一 ,  崔京九

IPC: H01F1/057

CPC classification number: H01F1/057 ,  H01F10/126

Abstract: 本发明提供与现有的R-T-B系永久磁铁相比较，不会显著降低磁特性，并且在温度特性方面表现优异的永久磁铁。在R-T-B系的构造中，通过交替地层叠R1-T-B和（Y、Ce）-T-B，从而形成R1-T-B系结晶层和（Y、Ce）-T-B系结晶层的层叠构造，一边可以维持R1-T-B系结晶层的高的各向异性磁场一边可以得到（Y、Ce）-T-B系结晶层的温度系数的改善效果。通过将晶格畸变小的Ce-T-B系结晶层加到Y-T-B系结晶层从而可以得到高的矫顽力。

公开(公告)号：CN101071677B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200710092140.6

申请日：2007-04-02

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 藤原俊康 ,  崔京九

IPC: H01F37/00 ,  H01F27/255 ,  H01F30/00

CPC classification number: H01F17/0013 ,  G11B5/17 ,  H01F2017/0066

Abstract: 本发明提供一种在具有缠绕于磁性膜上的薄膜线圈时能够提高Q值的薄膜器件。在缠绕于磁性膜(13)上的薄膜线圈(14)上，由下部磁性膜(12)以及上部磁性膜(13)夹持的下部线圈部分(14A)的厚度TA比没有被下部磁性膜(12)以及上部磁性膜(13)夹持的上部线圈部分(14B)的厚度TB大(厚度比TB/TA＜1)。与下部线圈部分(14A)的厚度TA为上部线圈部分(14B)的厚度TB以下的情况(厚度比TB/TA≥1)相比，在下部磁性膜(12)以及上部磁性膜(13)之间，交链下部线圈部分(14A)的过渡磁通的量减少。

公开(公告)号：CN101996990A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010260969.4

申请日：2010-08-23

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大塚隆史 ,  崔京九 ,  浪川达男 ,  山口仁

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/02 ,  H01G9/004 ,  H01G9/008

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/02 ,  H01L28/86 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种电子部件及其制造方法，使电子部件的向外部基板的更加高密度安装成为可能，此外，能够任意且按期望地调整端子电极的高度，由此，能够消除电子部件的检查时的现有的不良情况，并且改善电子部件的安装的成品率从而提高生产性。作为一种电子部件的电容器(1)具有：形成于基板(2)上的第一上部电极(5a)、与该第一上部电极(5a)邻接形成的第一台座(10)和第二台座(11)、覆盖第一上部电极(5a)以及第一台座(10)和第二台座(11)的保护层(6、8)、经由贯通它们的通孔导体(Va、Vc)而与第一上部电极(5a)连接并且在第一台座(10)和第二台座(11)上形成的端子电极(9a)。

公开(公告)号：CN100407342C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200380105039.X

申请日：2003-12-22

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 崔京九 ,  村濑琢

IPC: H01F10/16 ,  H01F10/13 ,  H01F17/04 ,  H01F17/00

CPC classification number: H01L27/08 ,  H01F10/132 ,  H01F10/16 ,  H01F10/265 ,  H01F17/0006 ,  H01F41/046 ,  Y10T428/3183

Abstract: 通过组合由T-L组合物(其中，T＝Fe或FeCo，L是从C、B和N中选择的至少1种元素)构成的T-L组合物层5、和配置在该T-L组合物层5的任一面侧的Co系非晶质合金层3，可得到兼有高导磁率和高饱和磁化的高频用磁性薄膜1。而且除T-L组合物层5和Co系非晶质合金层3以外，通过进一步配置比T-L组合物层5和Co系非晶质合金层3表现出更高电阻的高电阻层7，就可以得到兼有高导磁率和高饱和磁化、同时表现出高比电阻的高频用磁性薄膜1。

公开(公告)号：CN1333413C

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN03802283.4

申请日：2003-01-10

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 崔京九 ,  村濑琢 ,  山崎阳太郎

IPC: H01F10/16

Abstract: 本发明提供一种高频用磁性薄膜，其中，含有由T-L组合物构成的第1层，其中T是Fe或FeCo、L是C、B和N之中的1种、2种或以上、和在上述第1层的任意的面上被配置的由Co系非晶质合金构成的第2层。本发明的高频用磁性薄膜，通过层叠、优选交替地层叠了多个第1层和多个第2层的多层膜结构构成为好。本发明的高频用磁性薄膜，能够得到在1GHz下的复数磁导率的实数部(μ’)为400或以上、并且性能指数Q(Q＝μ’/μ”)为4或以上、饱和磁化为14kG(1.4T)或以上的特性。

公开(公告)号：CN104124020A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201410171646.6

申请日：2014-04-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 桥本龙司 ,  铃木健一 ,  崔京九 ,  西川健一

IPC: H01F1/057

CPC classification number: H01F1/057 ,  H01F10/126

Abstract: 本发明提供与现有的R-T-B系永久磁铁相比不会显著降低磁特性并且在温度特性方面表现优异的永久磁铁。在R-T-B系的构造中，通过交替地层叠R1-T-B和Y-T-B，从而形成R1-T-B系结晶层和Y-T-B系结晶层的层叠构造，维持R1-T-B系结晶层的高的各向异性磁场，同时得到Y-T-B系结晶层的温度系数的改善效果。

公开(公告)号：CN104081218A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201280068265.4

申请日：2012-12-13

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 铃木健一 ,  近松努 ,  小川昭雄 ,  崔京九 ,  桥本龙司

IPC: G01R33/12

CPC classification number: G01R33/12 ,  G01R33/10 ,  G01R33/1215

Abstract: 本发明提供一种可以测量薄板状且高矫顽力的磁性体试样的微小区域的矫顽力和矫顽力分布的磁场测量装置。其中，对磁性体试样(5)施加第1方向的磁场并使其大致饱和磁化。接着，在施加了与第1磁场相反的方向的第2磁场之后，由测量部(2)扫描磁性体试样(5)的表面，由此检测磁性体试样(5)的起因于剩磁的泄漏磁通。在一边使施加于磁性体试样(5)的第2磁场强度渐增一边重复由测量部(2)进行的测定，并得到从磁性体试样(5)泄漏的磁场强度变为最大的第2磁场，并对磁性体试样(5)施加相当于矫顽力的磁场而大致一半量的磁化反转的情况下，基于退磁场(Hd)为最小且泄漏至外部的磁通为最大的判断来得到磁性体试样(5)的矫顽力。

公开(公告)号：CN101071677A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200710092140.6

申请日：2007-04-02

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 藤原俊康 ,  崔京九

IPC: H01F37/00 ,  H01F27/255 ,  H01F30/00

CPC classification number: H01F17/0013 ,  G11B5/17 ,  H01F2017/0066

Abstract: 本发明提供一种在具有缠绕于磁性膜上的薄膜线圈时能够提高Q值的薄膜器件。在缠绕于磁性膜(13)上的薄膜线圈(14)上，由下部磁性膜(12)以及上部磁性膜(13)夹持的下部线圈部分(14A)的厚度TA比没有被下部磁性膜(12)以及上部磁性膜(13)夹持的上部线圈部分(14B)的厚度TB大(厚度比TB/TA＜1)。与下部线圈部分(14A)的厚度TA为上部线圈部分(14B)的厚度TB以下的情况(厚度比TB/TA≥1)相比，在下部磁性膜(12)以及上部磁性膜(13)之间，交链下部线圈部分(14A)的过渡磁通的量减少。

公开(公告)号：CN1720596A

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN200380105039.X

申请日：2003-12-22

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 崔京九 ,  村濑琢

IPC: H01F10/16 ,  H01F10/13 ,  H01F17/04 ,  H01F17/00

CPC classification number: H01L27/08 ,  H01F10/132 ,  H01F10/16 ,  H01F10/265 ,  H01F17/0006 ,  H01F41/046 ,  Y10T428/3183

Abstract: 通过组合由T－L组合物(其中，T＝Fe或FeCo，L是从C、B和N中选择的至少1种元素)构成的T－L组合物层5、和配置在该T－L组合物层5的任一面侧的Co系非晶质合金层3，可得到兼有高导磁率和高饱和磁化的高频用磁性薄膜1。而且除T－L组合物层5和Co系非晶质合金层3以外，通过进一步配置比T－L组合物层5和Co系非晶质合金层3表现出更高电阻的高电阻层7，就可以得到兼有高导磁率和高饱和磁化、同时表现出高比电阻的高频用磁性薄膜1。