发明授权
- 专利标题: R-T-B系烧结磁铁
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申请号: CN201410167100.3申请日: 2014-04-22
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公开(公告)号: CN104112559B公开(公告)日: 2018-05-04
- 发明人: 榎户靖 , 崔京九 , 铃木健一 , 田中大介
- 申请人: TDK株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: TDK株式会社
- 当前专利权人: TDK株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理商 杨琦
- 优先权: 2013-089521 2013.04.22 JP
- 主分类号: H01F1/057
- IPC分类号: H01F1/057 ; H01F1/08
摘要:
本发明提供一种与现有的R‑T‑B系磁铁相比较不显著降低磁特性且与镀层的密接强度优异的永久磁铁。在作为R必须有R1和Ce的R‑T‑B系磁铁中,通过对作为原料的R‑T‑B系磁铁施行长时间热处理来使主相颗粒核壳化,当令核部中的R1和Ce的质量浓度分别为αR1、αCe且令所述壳部中的R1和Ce的质量浓度分别为βR1、βCe时,所述壳部中的R1和Ce的质量浓度比率(βR1/βCe=B)与所述核部中的R1和Ce的质量浓度比率(αR1/αCe=A)之比(B/A)为1.1以上,由此,通过Ce添加而提高与镀层的密接强度,并且抑制矫顽力下降。
公开/授权文献
- CN104112559A R-T-B系烧结磁铁 公开/授权日:2014-10-22
IPC分类: